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相似文献
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1.
王亚楠  刘鑫  李兆  曹静  王永锋  吴坤尧 《功能材料》2021,(3):3160-3163,3176
采用高温固相法制备了Lu2.94Al5O12:0.06Ce3+绿色荧光粉。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光光谱(PL)对样品的物相、形貌及发光性能进行了表征。结果表明,所合成的Lu2.94Al5O12:0.06Ce3+绿色荧光粉为立方晶系,表面为类球形。激发光谱中,位于340和450 nm的激发峰分别归属于4f的两个能级到5d能级的跃迁而产生的吸收,340 nm处的激发峰是由于发光是由于2F5/2到5d的跃迁,而450nm处的激发峰是由于2F7/2到5d的跃迁。发射光谱中,位于525 nm的发射峰对应Ce3+的4f-5d电子跃迁。当Ce3+掺杂量为6%,1500℃煅烧5 h时,Lu2.94Al5O12:0.06Ce3+绿色荧光粉CIE色坐标为(0.3683,0.5959),是一种可以用作白光LED的绿色荧光粉。  相似文献   

2.
游潘丽 《材料导报》2014,(16):32-36
通过高温固相反应制备Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料,利用XRD、FTIR、SEM、XPS和激发-发射光谱表征合成样品的性能。研究表明,使用Li2CO3-NH4F复合助熔剂,形成了长柱状形貌。在349nm或274nm激发下,Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发出Dy3+特征峰,色坐标接近白光区域。Gd3+→Dy3+的能量传递增强了Dy3+发光强度。Dy3+最优的掺杂浓度为2%,临界传输距离为30。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+发光材料可作为潜在的单一掺杂单一组成的白光LED发光材料。  相似文献   

3.
游潘丽 《材料导报》2014,28(24):22-25
利用高温固相反应合成了Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉,从激发光谱、发射光谱、衰减寿命3个方面详细研究了不同激发波长下Gd3+→Dy3+的能量传递和热稳定性能。研究表明,由于Ba2Gd2Si4O13基质中Gd3+→Dy3+的能量传递,Dy3+在274nm激发的发光强度是在349nm激发的5倍;Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉表现出较好的热稳定性,在250℃的发光强度为常温的85%;随着加热温度的升高,兰光比黄光强度下降更多,而Gd3+发光有所增加。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉可作为潜在的单一基质单一掺杂发光材料。  相似文献   

4.
游潘丽 《材料导报》2014,(20):22-25
利用高温固相反应合成了Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉,从激发光谱、发射光谱、衰减寿命3个方面详细研究了不同激发波长下Gd3+→Dy3+的能量传递和热稳定性能。研究表明,由于Ba2Gd2Si4O13基质中Gd3+→Dy3+的能量传递,Dy3+在274nm激发的发光强度是在349nm激发的5倍;Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉表现出较好的热稳定性,在250℃的发光强度为常温的85%;随着加热温度的升高,兰光比黄光强度下降更多,而Gd3+发光有所增加。Ba2Gd2Si4O13∶Dy3+荧光粉可作为潜在的单一基质单一掺杂发光材料。  相似文献   

5.
采用高温固相法制备了Sr2NaMg2V3O12荧光粉,研究了焙烧温度、保温时间和NH4VO3用量等工艺参数对合成产物发光性能的影响,得出优化的工艺条件为NH4VO3过量1.5%,600℃预烧2h后900℃保温6h。所合成Sr2NaMg2V3O12荧光粉在紫外激发下发淡蓝绿色近白光,荧光光谱分析结果显示其激发峰主要位于波长小于390nm的近紫外和紫外区,发射谱带为400~640nm,发射主峰位于470nm左右,有望成为新型近白光LED荧光粉。  相似文献   

6.
采用高温固相法制备了Na_3Gd_2(BO_3)_3∶Tb~(3+),Eu~(3+)荧光粉,并对样品的物相组成、微观形貌、发光性能和能量传递进行了分析。结果表明,Na_3Gd_(2-x)(BO_3)_3∶xTb~(3+)荧光粉在紫外和近紫外区域有较强的激发峰,在368nm波长激发下,发射光呈绿色,Tb~(3+)最佳掺杂量为x=0.04。随着在Na_3Gd_(1.96)(BO_3)_3∶0.04Tb~(3+)中掺入Eu~(3+),Tb~(3+)对Eu~(3+)产生了以电偶极-电偶极相互作用为主的能量传递,且传递效率随Eu~(3+)掺杂量的增加而逐渐增大。发射光谱中Tb~(3+)的发射峰强度逐渐减弱,而Eu~(3+)的发射峰强度逐渐增强,导致Na_3Gd_(1.96-y)(BO_3)_3∶0.04Tb~(3+),yEu~(3+)荧光粉发光颜色由绿色向橙色变化。  相似文献   

7.
运用高温固相法合成掺铈的氮化物荧光粉La3Si6N11∶Ce3+。采用X射线衍射仪、能谱仪、荧光光谱仪对合成样品的结构、发光性能等进行研究,利用Rietveld方法对其结构精修,并计算了La3Si6N11∶Ce3+的色坐标、色纯度和色温。结果表明:该荧光粉的色坐标为(0.4165,0.558),落在黄绿光区域,计算得到La2.82Si6N11∶Ce0.183+的色纯度约为92.86%,具有较高的纯度,相关色温为4137K,属于中间色温。通过计算可得掺杂后La3Si6N11∶Ce3+的带隙值为2.92eV,相对掺杂前略微减少,且La3Si6N11∶Ce  相似文献   

8.
通过固相反应法在1000℃空气气氛中合成了In2(MoO4)3:Eu3+、Bi 3+红色荧光粉。粉体分别用X射线衍射(XRD)、荧光分度计测试。结果表明制备的荧光粉具有单相立方晶体结构,该荧光粉能够被近紫外光(395nm)有效激发,发射高强度的612nm红光。Eu3+浓度为40%(摩尔分数)时,In2(MoO4)3:Eu3+发光强度较高。In2(MoO4)3:0.4Eu3+、Bi 3+荧光粉,Bi 3+浓度为3%(摩尔分数)时,发光强度最大,高于没有掺Bi 3+的In2(MoO4)3:0.4Eu3+荧光粉。和CaMoO4:Eu3+相比,In2(MoO4)3:0.4Eu3+、0.03Bi 3+有较高的发光强度。因此,In2(MoO4)3:0.4Eu3+、0.03Bi 3+是一种可能应用于近紫外白光LED的新型红色荧光粉。  相似文献   

9.
采用高温固相法制备Si3N4掺杂氮化Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉。采用XRD、EDS和SEM测试结果表明: N3-进入Sr3SiO5基质晶格中取代部分O2-离子, 形成了单一相Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+固溶体。PL&PLE荧光光谱测试结果显示, Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉在344nm紫外光的激发下发射出红橙光, 属于Eu2+离子典型的 4f65d1→4f7电子跃迁。随着N浓度的增加, Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉发射光谱和激发光谱的强度明显增强。热稳定性测试结果表明, Si3N4掺杂氮化能够显著提高Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的热稳定性。通过Arrhennius模型拟合结果表明横向穿越过程(crossover)引起的Sr3SiO5:Eu2+荧光粉氮化前后的温度猝灭。  相似文献   

10.
刘桂霞  洪广言 《功能材料》2004,35(Z1):181-182
采用液相法成功的在球形Gd2O3Eu荧光粉颗粒表面包覆一层纳米SiO2保护膜.扫描电镜分析可见包覆SiO2后颗粒粒径略微变大说明表面包覆一层纳米级的包覆层.XPS分析表明SiO2包覆层与Gd2O3Eu颗粒表面以Gd(Eu)-O-Si化学键的方式键合在一起的.荧光光谱分析表明包覆后的Gd2O3Eu3+颗粒仍旧是一种很好的发光材料.  相似文献   

11.
采用固相法制备了Lu2(MoO4)3:Eu3+系列红色荧光粉,利用X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱仪(EDS)和荧光光谱(PL)仪对制备荧光粉的结构、形貌、元素组成及光致发光性能进行表征与分析。实验结果表明Eu3+成功掺入基质晶格中并得到Lu2(MoO4)3:Eu3+纯相样品,荧光粉颗粒大小在2μm左右。制备温度依赖样品光致发光结果表明1 000℃下制备Lu2(MoO4)3:Eu3+样品发光性能最好。煅烧时间依赖样品光致发光结果表明1 000℃下煅烧时间为6 h时样品发光效果最好。反常于荧光粉发光热猝灭现象,Lu2(MoO4)3:Eu3+样品在外界测试温度为250℃左右时出现热增强...  相似文献   

12.
红色荧光粉一直是发光材料领域研究的热点,硼酸盐红色发光材料具有稳定性好、合成容易等优点,越来越引起人们的关注.采用固相法在还原性气氛下制备了(Sr3xEux) B2O6东列红色荧光粉.荧光粉能被393 nm和464 nm的光有效激发,发射主峰位于606 nm的红光,当铕离子的摩尔掺杂量为0.07时发光强度最大.用少量BaF2进行助溶时,有利于在较低的烧结温度下获得发光强度更高的荧光粉.  相似文献   

13.
采用共沉淀法制备了一系列Nd2O3含量为0~13wt%的CeO2-ZrO2-A12O3(CZA)复合氧化物,并通过X射线衍射(XRD)、低温N2吸附–脱附、氧脉冲吸附(OSC)、H2–程序升温还原(H2-TPR)及扫描电子显微镜(SEM)等方法对所制备的材料进行了表征.研究结果表明,Nd2O3在CZA固溶体中的溶解限约为10wt%,过量Nd的添加会出现分相形成Nd0.5Ce0.5O1.75氧化物.掺杂适量Nd能有效抑制氧化物晶粒的长大,提高材料的热稳定性和氧化还原性能.Nd2O3的掺杂量为10wt%时,样品的织构稳定性最好,1000℃老化5 h后,比表面积和孔容分别达97.14 m2/g和0.44 mL/g.Nd2O3的掺杂量为7wt%时,样品有高的储氧量,经600℃和1000℃焙烧后储氧量分别为938.01μmol/g和821.72μmol/g;体相氧的移动能力最强,还原性能最佳,老化后还原峰温由465℃升高到483℃.SEM结果表明,所制备的材料均为球形颗粒,Nd2O3的添加可以有效阻止高温焙烧过程中粒子的团聚.  相似文献   

14.
通过高温固相方法合成了红色荧光粉Ca3Y2Si3O12∶Pr3+,研究了Pr3+掺杂浓度及助熔剂对荧光粉发光性能的影响。结果显示,所合成的荧光粉的主晶相为Ca3Y2Si3O12。通过分析荧光光谱,发现Ca3Y2Si3O12∶Pr3+硅酸盐荧光粉的有效激发范围可以在430~490nm范围内,并发射红光。在445nm激发下,样品发射光谱中的主发射峰分别位于610nm(3P0→3 H6)和644nm(3P0→3F2),其中610nm处峰值最大。通过改变Pr3+掺杂浓度,发现荧光粉发光强度先增大后减小,最佳Pr3+掺杂量x(Pr3+)为2.0%,超过最佳掺杂浓度表现为由离子间的相互作用导致的浓度淬灭。该荧光粉色温为2261℃。通过观察助熔剂的助熔效果,发现最佳的助熔剂H3BO3添加量为2.0%。  相似文献   

15.
低温燃烧法合成了γ-LiAlO2:Eu3+红色荧光粉,采用XRD、SEM、PL对样品进行了结构、形貌及发光性能表征。结果表明样品为四方晶系结构,在395nm的紫外光激发下,样品发射峰位于578、588、613、651和700nm,对应Eu3+离子的5 D0→7FJ=0,1,2,3,4的能级跃迁,主峰位于613nm处。其发光强度与Eu3+和H3BO3的掺量密切相关。  相似文献   

16.
利用TX-100/正己醇/正辛烷/水微乳液法合成纳米Gd2O3Tb3+荧光粉,结构表征证实其为单相的氧化钆,掺杂对晶型无影响,粒子大小较均匀,分散性好,较少团聚.TG-DTA测量了Gd2O3Tb3+的晶型最终形成温度为590℃,发射光谱显示出Tb3+的4个特征发射.随着纳米粒子粒径的减少,发光强度逐渐减弱.  相似文献   

17.
以CaO-B2O3-SiO2(CBS)玻璃粉体和Al2O3陶瓷粉体为原料,通过在CBS与Al2O3的质量比固定为50:50的玻璃-陶瓷复合材料中添加适量的Bi2O3作为烧结助熔剂,探讨了Bi2O3助熔剂对CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能、抗弯强度和热膨胀系数的影响规律.研究表明:Bi2O3助熔剂能通过降低CBS玻璃的转变温度和黏度促进CBS/Al2O3复合材料的致密化进程,于880 ℃下烧结即能获得结构较致密、气孔较少的CBS/Al2O3复合材料.然而,过量添加Bi2O3将使玻璃的黏度过低,从而恶化CBS/Al2O3复合材料的烧结性能、介电性能及抗弯强度.当Bi2O3的添加量为CBS/Al2O3复合材料的1.5wt%时,于880 ℃下烧结即能获得最为致密的CBS/Al2O3复合材料,密度为2.82 g·cm-3,这一材料具有良好的介电性能(介电常数为7.21,介电损耗为1.06×10-3),抗弯强度为190.34 MPa,0~300 ℃的热膨胀系数为3.52×10-6 K-1.  相似文献   

18.
采用固相烧结反应法制备(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷.Sr掺杂促进低温相β-Mg2Al4Si5O18向高温相α-Mg2Al4Si5O18转变,并拓宽了(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷的致密化烧结温度范围.X射线衍射结果表明在0≤x<0.2范围内,(Mg1-xSrx)2Al4Si5O18陶瓷以(Mg,Sr)2Al4Si5O18堇青石固溶体形式存在;在0.6相似文献   

19.
通过两步固相法制备了一系列的CaSnSiO5∶xEu3+荧光粉,研究了该荧光粉的物相结构及其光学性质。根据荧光光谱,确定了Eu3+的最佳掺杂浓度、临界能量传递距离以及平均寿命,并分析出浓度猝灭机制是电偶极之间的相互作用。在LED可能的最大工作温度范围内(393~423K)样品显示出了良好的热稳定性,最后,将样品与商用蓝粉和黄绿粉封装到395nm LED芯片上,在不同的驱动电流下LED样品发出明亮暖白光,且具有显色指数高(CRI>80)、色容差小(SDCM≤7)等优点。综上,所制备的CaSnSiO5∶xEu3+荧光粉在WLED上具有较好的应用前景。  相似文献   

20.
采用溶胶凝胶法,探索了合成纯相Na3Zr2Si2PO12的条件,XRD分析表明前驱体中Na和P均过量10%时,在1050℃下烧结得到了纯相的Na3Zr2Si2PO12,而P不过量时,得到的产物中含有少量的ZrO2杂质。电化学阻抗谱测试表明Na和P均过量10%时,烧结得到的陶瓷片室温离子电导率达到了5.4×10-4S/cm,比P不过量时烧结得到样品的离子电导率(室温时为3.7×10-4S/cm)要高。进一步分析可知高温下P的挥发造成ZrO2杂质相的析出,从而使得离子电导率降低。与固相法相比,溶胶凝胶法需要的烧结温度更低,且制得的样品的离子传导性更好。  相似文献   

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