量子方阱中的光学界面声子

本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量，以及相应的色散关系。     

折射率线性分布多量子阱波导的色散特性

本文采用Ｆｌｏｑｕｅｒ理论和转移矩阵技术，求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的等效折射率公式和适用于ＴＥ及ＴＭ两种偏振的色散关系，其结果更适用于实际的多量子阱波导色散特性的分析。     

混合应变量子阱SOA的增益特性

报道了基于混合应变多量子阱有源材料的半导体光放大器及其增益特性．引入张应变量子阱的SOA器件，增益带宽约为50nm，偏振相关损耗小于1dB，峰值增益随偏置电流增大蓝移．在高偏置条件下，芯片剩余反射和外腔反馈引起的受激发射造成增益带谱收缩，增益下降．高性能SOA必须克服芯片剩余反射和抑制外腔反馈．     

浅施主杂质在对称GaAs/AlxGa1-xAs双量子阱中的束缚能

为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响,在有效质量近似下,采用变分方法计算了对称GaAs/Alxga1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能,本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况,并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值．     

量子阱激光器中的热场分布对光输出特性的影响

计算和分析了具有应变层结构的量子阱激光器的温度场分布,首次给出了具有马鞍状 度分布的三维图形,以及温度分布对诸特性的影响,结果表明,理论计算结果与实验测量结果相符合。     

三倍频振动边界微腔中的违反弱不等式的量子场

在三倍频振动边界一维光学微腔中，电磁场基模和第二个模的等时二阶相干度的基础上，推论出微腔中光场具有违反Cauchy-Schwarz场的非经典行为，为进一步研究这种光场的非经典属性提供了理论依据。     

纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子

在长波近似条件下,采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学声子进行计算,结果表明光学声子的频率、振子强度、介电常数随组份菇出现明显的线性变化,但当组分增加到一定程度又呈现明显的非线性变化。计算结果与紫外共振喇曼散射观测到A1（LO）,A1（TO）一阶声子散射峰符合的较好。