高温氧化对渗硅碳化硅材料强度的影响

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅(PCRBSC)材料,在1300℃静态空气中的高温氧化行为.研究结果表明PCRBSC材料的氧化过程遵循直线-抛物线规律,其结构对高温氧化有很大的影响,特别是游离硅fsi的含量明显影响氧化后PCRBSC材料的残余抗折强度.     

高温气体分离用分子筛硅膜

通过热固性硅树脂膜的控制裂解和活化，开发出一种新型的可用于高温气体分离的硅膜。热固性硅树脂的化学组成及其结构，裂解及活化条件是影响最终生成的高温气体分离用硅膜性能的关键因素。和常规无机膜及有机膜相比较，分子筛硅膜具有优异的选择透过性能，和分子筛炭膜相比较，硅膜突出的优点是具有优异的耐高温氧化性能，因而这种膜在高温含氧混合气的膜法分离方面，具有广泛的应用前景。     

石墨与硅之比对石墨铝硅复合材料综合性能的影响

研究了石墨与硅之比对石墨－铝硅复合材料综合性能的影响,解决了石墨颗粒直接加入铝硅熔体中的难点,并基本解决了石墨加入的均匀必一步研究表明：石墨与硅生成一定量的ＳｉＣ,对提高石墨０铝硅的高温抗拉强度十分有利;石墨与铝生成Ａｌ４Ｃ３有利地石墨在铝硅熔体中的均匀分布;生成Ａｌ４Ｃ３的量不宜过多,不能给石墨与硅生成碳化硅的比例带来和静态否则,会引起材料的性能下降     

环境压力对硅纳米线及硅微米晶须生长的影响

用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须，借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下的硅纳米线及硅微米晶须的形貌、化学成分和晶体结构进行分析，研究了环境压力对硅纳米线和硅微米晶须生长的影响，结果表明：平行排列的硅纳米线和硅微米晶须生长的环境压力为13．3kPa；环境压力不但对硅纳米线和硅微米晶须直径产生影响，而且对其生长方向性有一定影响；硅微米晶须杆部出现等距离分布单晶硅颗粒，这是在高温退火过程中发生的球化作用所致。     

硅灰对水泥基材料热膨胀性能影响的研究

通过在水泥基材料中加入矿物掺合料硅灰,利用差示热膨胀测试方法对其热膨胀率进行了研究,结果表明:掺入硅灰的水泥石热膨胀率变化趋势与纯水泥石相似,均表现为随着温度的升高先增加后显著降低的规律,而硅灰的加入使水泥石在高温时产生比纯水泥石更大的收缩。借助于TG-DTA和XRD测试手段,对掺加硅灰后水泥石的热膨胀性能变化规律进行了机理分析,得出硅灰的掺入形成了大量C-S-H凝胶,高温作用下凝胶脱水使其体积明显收缩的结论。     

纯碳坯渗硅制备反应烧结碳化硅的研究

以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制备了反应烧结碳化硅陶瓷。研究表明 ,素坯的碳含量 (或孔隙率 )对材料的最终物相组成有决定性的影响 ;合成 Si C时的热效应以及反应过程中的体积效应 ,是影响石油焦坯体烧结的根本原因 ;烧结时间短使晶粒细化 ,是材料强度提高的主要原因。 90 %理论碳含量的素坯渗硅后 ,所得材料的密度为 3.0 8～ 3.12 g/ cm3,强度为 (5 5 0± 30 ) MPa     

燃烧器喷嘴材料热疲劳性能和高温氧化性能研究

采用对比试验方法,通过热疲劳裂纹扩展速率和氧化增重试验,研究了燃煤锅炉燃烧器喷嘴常用的两种材料的热疲劳性能和高温氧化性能,结果表明,铬、锰、硅等元素含量高的新材料ZG40Cr26Ni4Mn3NRe的热疲劳性能和抗高温氧化性能均明显优于原燃烧器喷嘴材料ZG40Cr20Ni5.材料的抗热疲劳性能在很大程度上取决于材料的抗高温氧化性能,热疲劳裂纹在表面缺陷处最易出现,热循环过程中氧化膜的形成和破裂加剧了热疲劳裂纹的萌生和扩展.     

DA-6与硅肥对水稻苗期根系形态和生理特性的影响

以盐粳68为试验材料,研究DA-6与硅肥混合喷施对盐粳68根系形态和生理特性的影响。预实验处理结果表明:DA-6喷施浓度为5μg/L和10μg/L、硅肥喷施1 500倍稀释液时对水稻根系形态和生理特性产生的效果最佳。将DA-6和硅肥进行混合喷施试验结果表明:混合喷施后在根数、根长、根冠比、根系氧化力和还原力均有显著提高,且以1 500倍硅肥稀释液+10μg/L DA-6处理效果最好。     

p型轻掺多孔硅的发光特性研究

采用阳极氧化法在p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si-H、Si-H2键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中Si-H、Si-H2键红外振动峰的变化解释了上述现象.     

Al-Si相变材料与金属容器的相容性及防护涂层的研究

铝硅合金是优异的金属相变储能材料,但其对盛装用的容器材料具有较强的腐蚀性.本实验通过筛选,使用0Cr25Ni20不锈钢作为容器材料的基材,在长时间处于495~620℃高温反复循环的条件下讨论其抗腐蚀性.为了进一步减缓腐蚀,自配了分别以石墨粉、TiB2、有机硅树脂为主要成分的3种高温涂料.实验结果表明,涂料可以有效地抑制储能材料中微量元素的成分在容器材料中的扩散,减缓熔融铝硅介质对容器材料的侵蚀.     

电解法腐蚀硅片过程中产生的晶态二氧化硅

本文用富里叶红外光谱及Ｘ射线衍射对在氢氟酸中电解硅片时形成的多孔硅膜进行了分析，发现除了硅以外，其中还有晶态的二氧化硅（鳞石英）存在，由此说明多孔硅表面的硅氧化合物并非都是样品制备后在在气中氧化造成的，它对多孔硅发光有很大的关系。     

多晶硅制备方法及太阳能电池发展现状

为了降低太阳能级多晶硅生产成本,从而降低太阳能电池制造成本,促进太阳能光伏产业的发展．介绍了目前世界上多晶硅的制备方法及其优缺点,论述了多晶硅及太阳能电池的制备工艺方法和发展现状．国内生产表明,采用改良的西门子工艺技术生产的多晶硅纯度不高．根据中国太阳能电池产业发展中的问题,提出了多晶硅生产技术的发展趋势,即怎样改良技术进一步提高多晶硅纯度．     

硅粉质量对甲基氯硅烷选择性的影响

根据有机硅单体合成反应机理和反应动力学,研究了原料硅粉质量、粒度及粒度分布对二甲基二氯硅烷选择性的影响,并对提高二甲基二氯硅烷选择性提出了建议.     

新型高温消泡剂的研制

本文以二甲基硅油，沉淀二氧化硅为主要成分，研究出适合于高温环境下使用的高温消泡剂。对二甲基硅油和沉淀二氧化硅配比、乳化剂复配、增稠剂用量、加料顺序等对产品性能的影响进行了研究，确定了复配的最佳工艺条件。该消泡剂具有良好的耐高温消泡性、抑泡性和稳定性，且生产工艺简单。     

a-Si:H薄膜中氢退火行为IR谱研究

采用红外吸收(IR)谱法并借助于扫描电子显微镜(SEM)研究了掺氢非晶态硅(a-Si:H)薄膜(厚度0.5-4μm)中硅氢健(Si-H)的断裂和转化特性(SiH→SiH_2)以及氢逸出膜表面的机理。     

利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器

介绍一种新颖的采用硅的各向异性化学腐蚀工艺形成压力传感器的技术.给出了各向异性腐蚀的机理,报告了三种不同腐蚀液(KOH,EPW,TMAH)的腐蚀工艺及实验结果.并结合腐蚀技术介绍了硅电容压力传感器的制作工艺.     

Impacts of hydrogen dilution on growth and optical properties of a-SiC:H films

Hydrogenatedamorphoussiliconcarbon(a-SiC:H)filmshavefoundagreatdealofusesinsolarcells[1],thinfilmtransistors[2],lightemittingdiodes[3],ultravioletimagesensors[4],microfluidiccoatings[5]andprotectivebarrierforcorrosionorthermaloxidation[6,7],becauseofitsuniquepropertiessuchaswideopticalbandgap,highmechanicalhardnessandchemicalstability.However,astheCcontentincreases,theelectronicandstructuralpropertiesofthefilmstendtobeinferior[8].Althoughinrecentyearsmuchworkhasbeendevotedtoexploringthedeposi…     

高硅铝合金组织细化研究

本文对含硅量为24～26％的高硅铝合金进行了细化初晶硅和变质共晶硅的研究。所研制出的PS初晶硅细化剂和Pe共晶硅变质剂同时使用,得到初晶硅细化至20～30μm,共晶硅变质成良好的纤维状的双变质效果。工艺稳定,操作简便,无公害。     

硅对白泥碳酸钙及成纸性能的影响研究

针对草浆绿液硅含量高的问题,对绿液进行二氧化碳法除硅,并探讨了不同硅含量对苛化白泥及成纸性能的影响．结果表明：随着绿液除硅率的提高,得到的白泥碳酸钙平均粒径逐渐下降,比表面积增加,沉降体积升高,吸油值下降,白度增加．当其用于纸张加填时,纸张的光学性能、物理强度以及抗水性能都有了明显改善．当绿液的除硅率达到93％,硅含量为0．62g／L时,制得的白泥碳酸钙能代替商品PCC用于纸张加填．