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本文提出了一种工作于Ku频段的紧凑型全带宽高隔离度波导双工器,该双工器由正交模耦合器OMT(Ortho-Mode Transducer)和消失模波导滤波器组成,OMT采用非对称无隔膜形式,结构紧凑的同时实现了正交模极化隔离度大于50dB。滤波器采用了结构紧凑的消失模滤波器,带外抑制好,用于上行链路信号的分离,下行链路信号的分离则用一段截止波导来实现。该双工器接收频段为10.7~12.75GHz,发射频段为13.75~14.5 GHz,最终实现工作频段内反射系数均小于-15dB,驻波小于1.5,收发端口间隔离度大于95dB,且整体结构高度小于50mm,长度小于103mm,实现了双工器小型化且高隔离度的要求。 相似文献
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文中设计了一种Ku 频段新型全金属高隔离度线极化双工器,它由一个正交模耦合器(Ortho-mode
Transducer,OMT)和两个不同频段的滤波器组成。OMT 采用非对称无隔膜形式,在保持结构紧凑的同时实现了全带
宽通信,具有优异的线极化特性。为抑制带外信号,提高双工器端口隔离度,上行链路通道采用了结构紧凑、损耗小
的消失模带通滤波器,下行链路通道采用结构简单的阶梯阻抗低通滤波器。测试结果表明,线极化双工器覆盖了卫
星通信上下行链路的全部带宽(上行:13. 75~14. 5 GHz,下行:10. 7~12. 75 GHz),在工作频段范围内反射系数小
于-15 dB,端口隔离度优于85 dB。 相似文献
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借助低温陶瓷共烧(LTCC)技术和三维叠层结构的设计方法,设计了有限传输零点的带通滤波器(BPF),然后通过匹配网络设计了一种S波段双工器,利用HFSS仿真软件对其对其参数进行了仿真优化。该双工器尺寸为18.4mm×15.8mm×0.6mm,在2.06GHz和2.21GHz处的插损小于-3.72dB,在1.87GHz和2.32GHz处衰减大于-55dB,在1.51GHz到2.52GHz处隔离度小于-12dB,达到了双工器设计指标要求和小型化的目的。 相似文献
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为进一步提高频带间隔离度,获得陡峭的抑制边带同时不增加体积,文中设计了一款新型的S频段波导双工器。在传统膜片式波导滤波器的基础上,低频滤波器提出了一种新型的波导CT型感性交叉耦合结构,高频滤波器引入非谐振腔结构,工作频段为2.025~2.12 GHz&2.2~2.3 GHz。根据其结构的不连续性,采用模式匹配法进行快速分析设计。该双工器在通带的高、低频带外均产生了传输零点,在2.2~2.3 GHz与2.025~2.12 GHz频段内,隔离度分别大于60 dB与90 dB,回波损耗大于20 dB。与同等性能的传统双工器相比,该双工器尺寸小、设计简洁,可在电子工程中广泛应用。 相似文献
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基于低温共烧陶瓷(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)技术设计了一款C波段超宽带、高抑制的带通滤波器,并通过LTCC技术对滤波器进行加工制作,满足了小体积、高性能、密集封装的应用需求。滤波器整体上采用了低通滤波器与高通滤波器串联的结构实现超宽通带,并引入传输零点来增加带外抑制,采用垂直叉指电容和双层螺旋电感来减少滤波器体积。最终实现的滤波器通带的中心频率为5.3 GHz,带宽为3 GHz,通带内插损小于0.8 dB,在DC~3 GHz处抑制达到了36 dB,在8~14 GHz处抑制达到了35 dB,通带回波损耗为12 dB。滤波器体积为:1.8 mm×1.0 mm×0.7 mm。 相似文献
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该文设计了基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的双波段高抑制、低损耗的双工器。该双工器由低通滤波器和带通滤波器组成,且在低、高频段的阻带抑制方面运用了传输零点理论,在实现双工器低损耗的同时,也实现了在多波段的高抑制,提升了双工器的性能。该双工器在低频段(0.68~0.95 GHz)及高频段(1.43~2.40 GHz)时插损均小于1.2 dB,但在1.43~2.40 GHz时双工器抑制大于20 dB,0.68~0.95 GHz时双工器抑制大于15 dB。在4.9~5.9 GHz时双工器抑制大于13 dB,具有良好的市场应用前景。 相似文献