液相添加剂AST对PTCR BaTiO_3陶瓷电气物理特性的影响

研究添加液相添加剂ＡＳＴ（质量分数ｗ为０．４％～１．０％或摩尔分数ｘ为１．６％～４．０％）的ＰＴＣＲ（Ｂａ０．９１Ｓｒ０．０６Ｃａ０．０３）Ｔｉ１．０１Ｏ３陶瓷材料。测量了烧结条件为１３２０～１３８０℃／０．５ｈ陶瓷材料试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线、Ｉ－Ｖ曲线、电阻温度系数α及开关温度Ｔｂ。在实验结果基础上，讨论了ＡＳＴ添加量对ＰＴＣＲ陶瓷主要电特性的影响。得出：ＡＳＴ添加量增加，ＰＴＣ效应变弱     

高纯超细BaTiO_3基PTCR陶瓷

水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体具有超细、高纯等特点，从而能够使ＰＴＣＲ热敏电阻器的制备工艺相对简化，并有利于获得较好性能的ＰＴＣＲ电阻器。本文采用水热法合成的ＢａＴｉＯ３粉体制备ＰＴＣＲ陶瓷。研究了不同添加剂对材料性能及微观结构的影响。     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

PTCR过流保护器的电流冲击失效特性

研究了ＰＴＣＲ过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理，指出ＰＴＣＲ过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂，元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理，推荐最佳的ＴＣ＝９０℃，Ｒ２５＝１８Ω±２０％，芯片尺寸为６．８ｍｍ×１．６ｍｍ，烧成条件为１３２０～１３４０℃，保温１～２ｈ。对产品设计和元件的筛选有指导意义。     

用颗粒表面改性技术制备掺锰Y-BaTiO_3PTCR陶瓷

颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法，在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐，并通过煅烧合成，制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试，是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的掺锰Ｙ－ＢａＴｉ３ＰＴＣＲ陶瓷比用传统固相法制备出的同种ＰＴＣＲ陶瓷，性能更加优良     

正温度系数热敏电阻烧结气氛的研究

研究了不同烧结气氛对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）性能的影响，在ＣＯ２气氛下烧结的ＰＴＣＲ室温电阻率（ρ０）比在空气中烧结的低将近５０％，而其他各种电性能几乎没有明显的变化，因而在ＣＯ２气氛下的烧结是获得低电阻率ＰＴＣＲ的一种有效的工艺途径。     

MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。     

PTCR陶瓷之粒界结构与击穿特性

着重论述ＰＴＣＲ陶瓷电阻之主要根源及热击穿机理，在此基础上提出合理的晶粒边界结构，以便求得室温电阻率低、抗击穿强度高之ＰＴＣＲ材料。同时，用此相关的理论去解释晶粒相对较粗之ＰＴＣＲ陶瓷比晶粒较细之同类ＰＴＣＲ陶瓷具有更佳特性的原因。     

热敏电阻PTC元件诚征合作伙伴

热敏电阻ＰＴＣ元件诚征合作伙伴本人研究热敏电阻ＰＴＣＲ系列元件历时５年，并对影响ＰＴＣＲ元件性能（如：ＰＴＣＲ效应、室温电阻率、耐压、恢复时间、老化性及居里温度的精确控制）等机理进行探索。找到了制造高性能、高稳定性的ＰＴＣＲ系列元件工艺和掺杂的途径。...     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求──《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》评述

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

机械活化燃烧合成AlN-Al_2O_3复合陶瓷粉

在催化剂氯化铵的作用下,将高能球磨机械活化后的工业铝粉置于空气中自燃,制备出了AlN质量分数约为80%的AlN-Al2O3复合粉体。通过对原始铝粉和球磨铝粉的形貌进行对比分析,探讨了球磨对铝粉的机械力化学效应。借助XRD和扫描电镜分析了燃烧产物的物相、形貌和结构,结果表明,生成的AlN颗粒主要集中于燃烧产物中心部,粒径为2μm;生成的Al2O3颗粒则主要分布于燃烧产物外表面,粒径为100nm。     

(Y_2O_3·CaO)-ZrO_2超细粉的制备及条件对粒径的影响

用化学沉淀法合成Y2O3和CaO共掺杂的ZrO2均匀超细粉并讨论了反应条件对样品粒度的影响。通过TG鄄DTA,XRD,TEM和粒度分布仪等检测手段对产品进行了表征,结果表明,Y2O3含量为2mol%和CaO含量为7mol%时,在550℃得到了全稳定立方相ZrO2,选择适当的合成条件,可得到粒度分布集中、粒径约为30郾1nm的样品。     

柔版显示器件用TiO2粉体的制备与性能

以硫酸钛为原料,通过Pechini溶胶-凝胶法制备柔版显示器件用TiO2粉体。SEM和AFM结果表明,以去离子水和无水乙醇混合液为溶剂制备的TiO2粉体为完整的实心球形颗粒,颗粒表面非常光滑,分散性比较好,粒径约为300nm。XRD与TG-DTA结果显示,制得的Pechini凝胶经过煅烧,在500℃时开始出现锐钛矿相TiO2,800℃由锐钛矿相向金红石相转变,900℃转变完全。     

sol-gel燃烧合成CLST陶瓷

采用sol-gel法合成了CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷粉体。用XRD、TEM等手段对CLST粉体和CLST陶瓷的相结构和形貌进行了表征,同时测试了不同烧结温度的CLST陶瓷的介电性能。结果表明:CLST前驱体在900℃煅烧3h,晶体结构已经完全形成,主晶相为斜方钙钛矿结构,一次粒子粒径约60nm。1150℃烧结3h时,CLST陶瓷表现出优良的介电性能:εr为110,tanδ为0.008,τf为11×10–6/℃。     

热处理对(Ba,Cd)TiO3纳米粉体制备的影响

从Ba（CH3COO）2-CA（NO3）2-Ti（OC4H9）-H2O-CH3COOH--CH3CH2OH体系,采用溶液．溶胶-凝胶法研究多层陶瓷电容器用（Ba1-xCAx）TiO3（x=0．05）（BCT）超细粉体的制备。利用热重差热分析仪（TG--DSC）研究BCT前驱体干凝胶加热过程中各阶段的反应历程。借助X射线衍射（XRD）、比表面积测定仪研究了热处理温度对BCT粉体的物相组成、晶粒尺寸、比表面积等的影响。得到晶相单一、颗粒尺寸在35-40nrn左右、比表面积为12．9m^2／g的BCT超细粉体。     

In_2O_3基NO_2气体传感器的研究

利用化学沉淀法制备了In2O3粉体,采用X射线衍射(XRD)的方法得到了粉体的晶体结构,颗粒尺寸为纳米量级。以In2O3为基体材料,制作了烧结型旁热式气敏元件,通过固相掺杂的办法改善元件的气敏特性。在低于100℃的工作温度下,通过对SO2,CO,CH4,Cl2,NO2五种气体的检测,发现分别以质量分数为2%PdCl2和5%CeO2为掺杂剂的元件对NO2气体均表现出较好的敏感性,对SO2,CO,CH4,Cl2四种干扰气体的灵敏度较低,表明元件具有良好的选择性。     

微波场作用下柠檬酸盐法合成阴极纳米粉体La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3

在微波场作用下,采用柠檬酸盐法合成了阴极粉体La0.8Sr0.2MnO3(LSM)。用TG-DTA、XRD、TEM、SEM和电化学工作站对产物形成过程、微观结构和电化学性能进行分析和表征。结果表明,LSM溶胶在微波处理后,850℃煅烧能够形成单一的钙钛矿型结构;粉体粒径约为30nm,远小于采用传统烘箱加热方式的200nm,所得粉体电催化活性高,其制得的单电池在800℃时的最大功率密度达到0.82W/cm2,开路电压达1.1V,而采用传统烘箱加热方式所制得单电池的最大功率密度仅为0.71W/cm2。     

液相法制备窄粒径分布微米铜粉的研究

为了制备出抗氧化、纯度高且粒径分布窄的微米铜粉,以硫酸铜(CuSO4)为原料,抗坏血酸(Vc)为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂和分散剂,浓氨水(NH3·H2O)调节pH值,通过液相还原法制备微米铜粉,研究了CuSO4浓度对制备粉体的影响,并讨论了相关反应机理。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、激光粒度仪和热重分析仪(TG)对制备的铜粉进行表征与分析。结果表明:不同CuSO4浓度下制得的粉体均为高结晶度的单质铜;当CuSO4浓度为0. 6 mol/L,反应温度为80℃时,制得的铜粉结晶度最好且粒径分布较窄,全都分布在1~4μm;制备出的铜粉抗氧化性和稳定性较好,在200℃时都不会发生氧化,于空气中放置30天后仍为单质铜。     

固相法制备ZnO纳米粉及其气敏性能研究

以六水合硝酸锌和碳酸氢铵为原料,采用室温固相法制备前驱体碱式碳酸锌,然后在马弗炉中于600℃煅烧,得到ZnO纳米粉体。用XRD,TEM对其形貌、结构进行了表征。结果表明:所制备的ZnO结晶良好,其粒径为20~50 nm。用其制成气敏元件,并用静态配气法测试其气敏性能,发现在工作温度为290℃左右,该气敏元件对体积分数为0.001%的Cl2的灵敏度高达288。     

纳米铜棒制备的新方法

介绍了一种制备纳米铜棒的新方法,该法采用非对称交流电作为电解电源,采用铜棒为电极,硫酸铜为电解液,在一定的电解工艺参数下,成功制备出纳米铜棒。通过XRD和TEM对制得的铜粉进行了表征分析,表明其为单质铜,且纯度很高,粒度分布均匀,结晶性很好。