半导体光电探测器

本文将介绍几种半导体光电探测器的研制工艺,器件特性及其应用举例.     

半导体光电探测器的发展及应用

引言 半导体光电探测器由于体积小,重量轻,响应速度快,灵敏度高,易于与其它半导体器件集成,是光源的最理想探测器,可广泛用于光通信、信号处理、传感系统和测量系统。最近几年,由于超高速光通信、信号处理、测量和     

半导体紫外探测器技术进展

介绍了几种新型半导体紫外探测器。列出了这类探测器的各项用途及优点，并对其结构，制作方法以及性能作出了简要说明。N化物半导体紫外探测器具有探测波长范围可调，可靠性好等优点，可以认为是半导体紫外探测器发展的主要方向。     

多孔硅的光致发光、电致发光以及光电探测器

本文综述了多孔硅作为一种新型半导体光电材料的最新研究进展,主要包括多孔硅的制备和微结构、光致发光(PL)和电致发光(EL),以及采用多孔硅材料制备的可见光区发光二极管和高灵敏度光电探测器。最后,讨论了制备多孔硅器件中存在的一些问题。     

MSM光电探测器研究现状

由于金属－半导体－金属光电探测器潜在的优点，用于光通信、高速片到片互连、以及光控受到极大关注，文中介绍这种光探测器及其与放大器单片集成的最新进展。     

超快硅基光电探测器

于利希研究中心的科学家们研制了一种硅探测器。它能把经光缆传输的闪光快速地转化为电信号 ,速度要比现有的硅探测器快。目前光纤技术只用于远距离通信 ,未来也可用于局域范围。对于局域网的数据传输 ,比如在一幢建筑物内 ,采用红外光纤技术费用太大。但对于 85 0 nm波长范围却有价格便宜的激光。据该中心的 Buchal教授说 ,可见光波长约在 76 0 nm以下 ,具有额外的优点 ,特别是对于眼睛的安全 ,因为它是直接的 ,不用任何仪器 ,所以是有利的。聚合物光纤技术在红外或近红外区域特别好。这类光传感器有利于填补硅占优势的微电子学和光电子学…     

低暗电流InGaAs金属－半导体－金属光电探测器

首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属光电探测器。实验结果表明：具有１５ｎｍ的ｐ－ＩｎＰ和１００ｎｍ的ＩｎＰ双重势垒增强层的器件，极大地减小了暗电流，最小达４．７ｎＡ（１０Ｖ），证明这是一种减小金属－半导体－金属光电探测器暗电流的有效途径     

In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究

本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。     

光通信波段超高速PIN光电探测器的新进展

对自20世纪90年代以来在InGaAs PIN超高速光电探测器的研究上所取得的进展进行了综述,介绍了传统型的面入射光电探测器、波导型光电探测器、渐变耦合型光电探测器、小平面折射型光电探测器、反射型光电探测器和单极型光电探测器等的新进展,同时也介绍了超高速光电探测器封装结构。探讨了超高速光电探测器的发展趋势。     

基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１的分析结果。     

多孔硅基光电器件技术进展

本文综述了多孔硅作了新型的光电半导体材料的最新研究进展，讨论了多孔硅的电致发光和两种不同结构的发光二极管。最后，讨论了制备多孔硅光电器件所遇到的一些问题。     

一个金属—半导体—金属光电探测器等效电路模型

本文提出了一个新的基于外端口直流，交流特性的金属－半导体－金属光电二极管（ＭＳＭＰＤ）的等效电路模型，同时给出了直流模型和电容模型参数的物理含义，利用该模型得到的模拟结果和实测结果吻合很好。     

低维半导体/钙钛矿异质结构光电探测器的研究进展

光电探测器能将光辐照转换为电信号，是光电系统中接收端的核心部件，在国民经济、警用装备以及诸多军事领域都有着重要的应用。基于传统材料的光电探测器面临性能不够优越、单个探测器检测范围窄等问题。近年来，低维半导体和钙钛矿材料在光电探测器领域引起研究人员的广泛关注。相较单一材料，基于低维半导体/钙钛矿异质结构的光电探测器在光响应度、外量子效率、探测率以及响应时间上都有着更为优越的性能，逐渐成为研究热点。简述了光电探测器的基本性质以及钙钛矿材料常见的制备方法，进一步介绍了国内外关于低维半导体/钙钛矿异质结构光电探测器的主要研究进展，探讨了目前优化性能的主要措施，最后对发展前景进行了展望，并提出了相关建议。     

金属氧化物异质结光电探测器研究进展

金属氧化物（metal oxide,MO）因其具有易于制备、高稳定性、对载流子的选择性传输等优点,被广泛应用于光电探测领域。MO材料具有较强的光吸收,但表面效应和缺陷态等问题导致了MO光电探测器响应速度低和暗电流较大的问题。异质结中的内建电场可以有效促进光生电子-空穴对的分离,从而提升器件响应速度和降低器件暗电流。因此,构建金属氧化物异质结光电探测器（heterojunction photodetectors,HPDs）,对于MO在光电子领域的进一步应用具有重要的意义。本文先介绍了MO的界面性质,然后围绕PN、PIN和同型异质结3种结构,对金属氧化物HPDs的工作机制进行了阐述。接着对响应波段在紫外-可见-近红外光区的、具有不同结构的MO/MO和MO/Si HPDs的性能参数进行了分析和比较,并讨论了金属氧化物HPDs的性能优化方法,最后对金属氧化物HPDs的发展进行了展望。     

超高速光电探测器

现代激光科学研究、核爆模拟、惯性约束核聚变（ICF）研究等领域需要测量半宽度100ps左右的超高速激光脉冲。超高速光电探测器就是探测光信号并转换成相应电脉冲的有力工具。     

标准CMOS工艺下Si光电探测器的模拟与设计

设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器,并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应.0.5μm CMOS工艺条件数值模拟结果显示,在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应度都在0.2A/W以上,尤其是在短波长处效果比一般的探测器要好.还就反向偏压以及CMOS工艺中介质与钝化层等因素对探测器响应度的影响进行了讨论.