光纤AM—CATV外调制发射机中非线性的预失真补偿技术

对外调制光纤ＡＭ－ＣＡＴＶ发射机中复合三阶差拍失真（ＣＴＢ）的预失真补偿技术进行了详细的理论分析,研制成功了基于互补型二极管阵列的并行结构的预失真非线性ＣＴＢ补偿网络以及预失真电路的均衡电路,实现了宽频带内ＣＴＢ补偿１３ｄＢ～１６ｄＢ。     

光纤AM-CATV外调制发射机中非线性的预失真补偿技术

对外调制光纤ＡＭ－ＣＡＴＶ发射机中复合三阶差拍失真（ＣＴＢ）的预失真补偿技术进行了详细的理论分析,研制成功了基于互补型二级管阵列的并行结构的预失真非线性ＣＴＢ补偿网络以及预失真电路的均衡电路,实现了宽频带内ＣＴＢ补偿（１３～１６）ｄＢ。     

光纤AMCATV外调制发射机的预失真补偿

首先对光纤ＡＭＣＡＴＶ外调制发射机的非线性预失真补偿作了理论分析，在此基础上设计制作了基于热载流子二极管的预失真补偿电路，实际测试结果表明：在５０～２００ＭＨｚ，对三次失真抑制最小达１２ｄＢ，最大达３２ｄＢ，同时对二次失真没有影响。     

30路FM－TV光纤CATV传输系统

本文介绍一个设计研制的能传输３０路ＦＭ－ＴＶ光纤系统。系统的频率范围是１～２．５ＧＨ２。对光纤键路的光发射机设计作了详细的论述；系统的信道间隔设计成非等间隔的频率配置，减少了落入信道的二阶和三阶失真产物。实际测试系统的ＣＮＲ＞１８ｄＢ，ＣＳＯ、ＣＴＢ优于５０ｄＢｃ，传输距离＞３０ｋｍ。系统可以用于ＣＡＴＶ的干线或分配传输。     

Ku波段无耗型MESFET混频器单片电路研究

本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴ漏极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行了ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上，进行Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到，变频地益－２ｄＢ，噪声系数－７－８ｄＢ。     

C波段单片有源环行器

报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采用ＧａＡｓ的离子注入平面工艺，芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在３．５～４．５ＧＨｚ内，电路插入损耗约７．５ｄＢ，隔离度为２１～２６ｄＢ，驻波比基本小于２。     

光纤AM-CATV外调制发射机中的关键技术

介绍了光纤ＡＭ－ＣＡＴＶ外调制发射机中的关键技术,包括最佳偏置点的稳定控制技术;光学线性调制器及预失真补偿等非线性补偿技术;以及附加相位调制法与激光器高频抖动法等受激布里渊散射（ＳＢＳ）的抑制技术。     

UHF分米波发射机系列NV/NH7000

为适应各国家正式开始启动的地面数字电视广播,罗德与施瓦茨公司正在推出新一代水冷ＵＨＦ分米波电视发射机。紧凑的设计使得新ＤＶＢ发射机的安装较为简便,由于其模块化的设计,可以组装为数字和模拟电视发射系统,可满足未来的需要,并具有经济性和可靠性。１ 具有特殊功能的最新技术新型水冷ＵＨＦ分米波发射机系列ＮＶ／ＮＨ７０００使用ＬＤＭＯＳ（横向扩散金属氧化物半导体）技术,通过正确调节数字激励器,可满足从地面数字电视标准ＤＶＢＴ到ＥＴＳ３００７４４和类似的ＰＡＬ,ＳＥＣＡＭ和ＮＴＳＣ等各种标准,该系列设备支…     

低压低能耗应用的InGaAs／AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关

提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能（插入损耗，隔离度，输入及输出反射损耗）的模拟计算表明，与实验结果符合良好。在对串／并联ＰＨＥＭＴ型ＳＰＤＴ开关的ＣＡＤ优化设计基础上进行了ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片ＳＰＤＴ微波开关的实验研制。从研制的ＭＭＩＣ芯片上在片测试得到的结果为：对应新的个人通信频段的应用，在０～２ＧＨＺ范围内，插入损耗＜１．０ｄＢ，隔离度＞５０ｄＢ，输入及输出反射损耗均优于２４ｄＢ。研制的这种高性能单片开关还可在低至－２．０Ｖ的控制电压下工作。     

多路FM－SCM光波系统研制

介绍我们研制的多路ＦＭ－ＳＣＭ（调频副载波复用）光波系统及其性能，讨论了ＳＣＭ光波系统的噪声。该系统主要可用于多路ＣＡＴＶ光纤传输。采用Ｆ－Ｐ腔ＬＤ和ＰＩＮ－ＦＥＴ接收组件，通过系统优化，实现了接收端输出电视图象信号ＳＮＲ＞５５ｄＢ。     

多路FM—SCM光波系统研制

介绍我们研制的多路ＦＭ－ＳＣＭ（调频副载波复用）光波系统及其性能，讨论了ＳＣＭ光波系统的噪声。该系统主要可用于多路ＣＡＴＶ光纤传输。采用Ｆ－Ｐ腔ＬＤ和ＰＩＮ－ＦＥＴ接收组件，通过系统优化，实现了接收端输出电视图象信号ＳＮＲ〉５５ｄＢ。     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。     

1310nm波段光发射中预失真电路实验研究

对CATV中使用AM-VSB光纤的光发射机中的关键技术--预失真校正技术进行了实验研究,对一种实用的预失真电路进行了设计与讨论,对预失真电路的主要原理与调试过程进行了论述,给出了所研制的预失真电路的特性及实测结果.     

电视发射机功放的线性化技术

本文使用伏特拉（Ｖｏｌｔｅｒｒａ）泛函级数分析了射频信道的非线性失真及预失真线性化技术的机理，设计出一种结构简单、性能良好的预失真电路，并将该电路应用于电视发射机，对其功率放大器进行了非线性校正实验，结果表明输出功率在１０ｄＢ以上的动态范围内，带内互调获得１０ｄＢ左右的改善，并且有较好的稳定性。     

采用离散傅立叶变换对CATV系统中DFB激光器非线性特性的分析

本文首次提出了一种新的分析ＣＡＴＶ系统中的ＤＦＢ发射光源的非线性失真的方法，该方法基于ＤＦＢ激光器的输入－输出信号的映射函烽，从信号分析的观点出发，采用离散傅立叶变换，直接得出ＣＡＴＶ系统衡量非线性失真的测试参量。     

用于数字电视地面广播的两种传输系统(ATSC 8-VSB和DVB-T COFDM)的性能比较4

比较了用于数字电视地面广播的ＡＴＳＣ ８－ＶＳＢ和ＤＶＢ－Ｔ ＣＯＦＤＭ两种传输系统的性能,这种比较是基于最新的实验室测试结果和理论分析。     

双频/GSM 3.6V集成功率放大器

Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源(３．６Ｖ)ＲＦ集成功率大器,专门用于ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００手持装置。做一些适当的电路变更,它也可以用于三频ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００/ＰＣＳ１９００设备。其ＧＳＭ/ＤＣＳ典型性能(在３．６Ｖ)是:ＧＳＭ:３５．８ｄＢｍ(５３%ＰＡＥ),ＤＣＳ:３４ｄＢｍ(４３%ＰＡＥ)。     

新产品

２０Ｍｓｐｓ转换速率, 内置跟踪／保持的 １０位ＡＤＣＭＡＸ１４２５ １０位ＡＤＣ具有２０Ｍｓｐｓ转换速率,适合于需要宽带、高线性度及优异的动态性能的应用。例如成像、高速通讯和仪器仪表．与其它高速１０位ＡＤＣ不同的是,该单片集成ＡＤＣ具有高达６１ｄＢ的信号与噪声加失真比（ＳＩＮＡＤ）和７２ｄＢ的无杂激动态范围（ＳＦＤＲ）（２ＭＨｚ输入频率时）。ＭＡＸ１４２５输入电压范围为２Ｖ,单５Ｖ工作．之所以具有如此高的性能,是因为它采用了全差分流水线结构和先进的０．６ｍ ＣＭＯＳ工艺．内部全差分跟踪／保持（Ｔ／…     

大信号设计GaAs MESFET功率合成

利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率特性的线性化模型，求出ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ近似最佳功率负载阻抗，为利用谐波平衡法计算提供初值。然后，使用自行研制的谐波平衡分析软件包，进行ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为９．６ｍｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯，利用内匹配功率合成技术，在Ｃ波段（５．５～５．８ＧＨＺ）制成１ｄＢ压缩功率大于８Ｗ，典型功率增益９ｄＢ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内匹配功率管。     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。