纳米晶FeCuNbSiB带材巨磁阻抗效应研究

采用微机电系统(MEMS)技术,在玻璃基片上制备了单层结构500℃退火的FeCuNbSiB带材样品。在l～40MHz下,研究了带材的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场强度以及交流电流频率的变化关系。结果表明:纵向、横向巨磁阻抗效应变化率(GMI值)在5MHz、1.2kA/m和5MHz、8kA/m时,分别达到最大值15.6%和10.6%。     

纳米晶(超微晶)材料在共模电感方面的应用——用较小的体积可以达到很好的阻尼特性

<正>随着开关电源在工业上的广泛应用并且成为主要的电源,电源功率密度不断增大,与此同时,导致电器设备故障的电磁干扰也在增加。例如:大功率的电动机可能影响附近固定电话的安装;使用电脑的同时不能同时使用收音机或电视。因为这些原因,现代的电器设备都需要满足规定的电磁兼容限值要求。实际应用中,通常使用EMC滤波器来解决射频干扰问题。常见的EMC滤波器包含电容和电感等元件。用软     

纳米晶材料的软化学制备技术

介绍了软化学制备纳米晶材料的各种制备方法及其优缺点。重点介绍了沉淀法、水热法、溶胶-凝胶法、低温燃烧合成和溶胶-凝胶自燃烧法的工艺原理、特点及其合成实例。     

衬底温度对纳米晶SnO_2薄膜结晶特性的影响

阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2∶Sb透明导电薄膜。通过测定x射线衍射谱,表明薄膜择优取向为[110]和[211]方向,SnO2∶Sb薄膜的结晶特性随衬底温度变化。     

外加电场影响SnO2纳米晶簇光吸收

实验测量外加电场对 Ｓｎ Ｏ２ 纳米晶簇室温近紫外光吸收的影响程度，得到光吸收变化谱线和光吸收大小变化随外加电场变化曲线。它们均为一种非线性变化规律，在高电场区，光吸收变化值趋于饱和     

快速热退火温度对纳米晶氢-硅薄膜及其p-n结性能的影响

采用快速热退火(RTA)对热丝化学气相沉积HWCVD制 备的非晶氢-硅(a-Si:H)薄膜进行晶化处理,并在此基础上制备了 纳米晶氢-硅(nc-Si:H)薄膜p-n结。利用拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)、 扫描电子显微镜(SEM)和分光光 度计研究了所制备(nc-Si:H)薄膜的结构、光学性能与退火温度的关系;同时, 研究了不同RTA条 件下制备p-n结的整流特性随温度变化的规律。研究发现,随RTA温度由700℃升高至 1100℃,薄膜的晶化率由46.3%提高到96%,拉曼峰半高宽(FWHM)由19.7cm－1降低至7. 1cm－1。当退火 温度为700℃时,薄膜的XRD谱中只有一个较弱的Si(111)峰;当退火 温度高于900 ℃时,薄膜 的XRD谱中除Si(111)峰外,还出现了Si(220)、Si(311)峰。同时,随退火温度的升高,薄膜 的禁 带宽度由1.68eV升高至2.05eV。由于禁带宽 度的增加,相应的p-n结最高工作温度也由180℃升高至300℃。     

用纳米晶材料制作光电子器件的研究

硅纳米晶材料最有希望用于制作有源器件,如调制器、光放大器和发光二极管等.人们观测到纳米晶中发光的蓝移与晶体尺寸成正比,其发光效率通常比体材料的发光效率要高.但是,硅的间接带隙所产生的难以克服的余辉将导致相当长的辐射复合寿命(μs数量级),这将限制硅纳米晶光电子器件的发光亮度和发光效率.如果采用等离子激元增强光发射机理提高硅纳米晶的辐射发射速率,则可将硅量子点材料视为能取代直接带隙化合物半导体材料的光学材料.     

非晶/纳米晶TiB2薄膜的制备及其电化学性能研究

通过双层辉光离子渗表面处理技术,在纯Ti基体上制备了非晶/纳米晶TiB2及Ti(Al)B2薄膜。利用X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)观察薄膜的微观组织特征。运用动电位极化及交流阻抗谱(EIS)的电化学方法,研究薄膜试样在3.5 wt.%NaCl溶液中的电化学特性。结果表明:制备的薄膜试样大大提高了纯Ti基体耐蚀性能,Al元素的加入稍微降低了薄膜的耐蚀性,但仍优于基体材料。     

脉冲激光技术用于亚稳态纳米晶材料的制备

文中描述了我们最近发展的一种制备亚稳态纳米晶材料的脉冲激光技术即脉冲激光诱导液－固界面反应法。这种方法已经成功地合成了金刚石、碳氮等一系列重要的超硬纳米晶材料。     

钛酸铅纳米晶的快速合成及拉曼光谱研究

针对传统的Sol-Gel法制备钛酸铅纳米晶体水解速率慢、焙烧温度高、制备周期长等不足,首次采用在溶胶中直接加甲醇水溶液水解和新鲜凝胶直接焙烧的方法,实现了钛酸铅纳米晶的低温、快速合成。用TEM观察了钛酸铅纳米晶的形貌和尺寸,并用XRD法测定了钛酸铅纳米晶的结构,还测定了不同粒径钛酸铅纳米晶的拉曼光谱,确定了各光学声子模的归属,发现A1（1TO）声子峰的多重劈裂特征,支持了Foster等人的非谐性振荡模型。     

激光晶化制备Fe基纳米软磁材料的研究进展

综述了激光非晶晶化制备Fe基纳米软磁材料的国内外研究进展和现状.介绍了Fe基纳米软磁材料的双相组织结构和性能特征及应用领域;对比分析了传统退火晶化和激光晶化制备技术的优缺点;阐述了研究激光纳米晶化技术的重要意义和理论价值.提出了激光晶化技术制备Fe基纳米软磁材料需要重点系统研究的课题和方向.     

高频气体激光器功率传输的匹配

本文针对高频气体激光器功率传输中的阻抗匹配问题，介绍了一种具有普遍意义的匹配网络的设计方法，并推导出了匹配网络参数的直观解析解，这对实际应用很有指导意义。     

多层Z型六方铁氧体磁导率频率特性研究

采用普通陶瓷工艺,制备了Co2Z(Ba3Co2Fe24O41)六方铁氧体及Ba2+被Sr2+部分取代的Z型六方铁氧体[Ba3(1-x)Sr3xCo2Fe24O41],并将烧结好的铁氧体粉料压制成多层结构样品。其中间层为纯Co2Z粉料,上下两层为掺Sr2+粉料。研究了样品在300MHz~4GHz下的磁导率频率特性。结果表明:多层结构设计能优化甚高频(UHF)下Co2Z材料的磁性性能,使共振频率和复数磁导率动态可调。当掺Sr2+层参数x为0.4时,多层样品获得了最佳的甚高频性能。此时,共振频率达到2.25GHz,且2GHz下μ'和μ"分别为9.03和10.49。     

Gate-structure optimization for high frequency power AlGaN/GaN HEMTs

The influence of gate-head and gate-source-spacing on the performance of AlGaN/GaN HEMTs was studied.Suggestions are then made to improve the performance of high frequency power AlGaN/GaN HEMTs by optimizing the gate-structure.Reducing the field-plate length can effectively enhance gain,current gain cutoff frequency and maximum frequency of oscillation.By reducing the field-plate length,devices with 0.35 μm gate length have exhibited a current gain cutoff frequency of 30 GHz and a maximum frequency of oscillation of 80 GHz.The maximum frequency of oscillation can be further optimized either by increasing the gate-metal thickness,or by using a t-shape gate (the gate where the gate-head tends to the source side).Reducing the gate-source spacing can enhance the maximum drain-current and breakdown voltage,which is beneficial in enhancing the maximum output power of AlGaN/GaN HEMTs.     

高频功率AlGaN/GaN HEMT 的栅结构优化

本文研究了栅帽、栅源间距对AlGaN/GaN HEMT性能的影响。基于研究结果得出了优化高频功率AlGaN/GaN HEMT栅结构的方法。缩小栅场板可以有效提高器件的增益、截止频率（ft）、最大震荡频率（fmax）。通过减小栅场板长度,栅长0.35 器件的ft达到了30GHz、fmax达到了80GHz。采用tao型栅（栅帽偏向源侧）或者增加栅金属厚度还可以进一步优化 。缩小栅源的距离可以提高饱和漏电流和击穿电压,从而提高器件的输出功率。     

高重频干扰对激光解码识别过程的影响

为了有效评估高重频干扰对激光编解码的影响效果,采用归一化互相关函数法,量化分析了高重频干扰对精确频率码的干扰效果。以仅有干扰信号进入导引头波门、干扰信号超前制导信号一定时间进入导引头波门两种情况,重点分析了在激光解码识别过程中的干扰效果,仿真分析了不同因素对干扰效果的定量化影响。结果表明,不同重复频率的高重频激光干扰效果存在差异,重复频率为100kHz时干扰效果最好。该研究为增强高重频干扰效果提供了依据。     

高频大功率Si_(1-x)Ge_x/Si HBT研究进展

回顾了Si_(1-x)Ge_x/Si HBT在几十年中的重要进展以及目前的研究现状。通过不同材料器件的对比表明,Si1-xGex/SiHBT在高频功率应用方面存在着巨大的优势,并将在未来无线通信和射频设计中占据重要地位。通过对研制成功的高频大功率Si1-xGex/SiHBT性能参数和结构的分析,深刻探讨了目前限制高频大功率Si1-xGex/SiHBT发展的问题,提出了解决办法和对进一步研究的想法。     

C波段多注速调管高频系统的模拟研究

采用电磁仿真软件对C波段多注速调管的输入腔、输出腔及中间腔的高频特性进行了冷腔分析。采用CHIPIC软件对高频互作用区进行了整体建模。为得到稳定且较高的输出功率,对电子束,输入功率及输出耦合结构等参数进行研究分析。通过对结果的分析,模拟整个高频结构的工作情况,在电子束电压28 kV,总电流为14.96 A的条件下,得到了功率为225 kW的峰值功率,效率为50%。     

退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响

以纯度为99.95%、Al₂O₃为2wt.%的 ZnO-Al₂O₃金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬 底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度 对AZO薄膜的形貌、导 电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面 形貌与结晶特性 进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结 晶度变好;场发射 性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当 退火温度为300℃时, AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm, 发光均匀性较好,亮度达到650cd/m²,导电 性能最好,电阻率为5.42×10－4 Ω·cm。