Mo-CVD法制备GaAs和CdTe的特种材料研究

用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料将在选择外延中起重要作用;(2)Mo/Si衬底上生长GaAs:由于面积大,价格低和结晶性能较好,GaAs/Mo/Si材料可能成为有前途的太阳电池材料;(3)在GaAs衬底上生长CdTe:CdTe/GaAs是一种复合材料,它有望代替CdTe单晶成为HgCdTe外延的代用衬底。这三种材料的电性和结晶性能已用C-V,I-V,S。E。M和电子衍射以及用x射线能谱进行了研究和测量。     

低压OMVPE法GaAs外延层表面缺陷

日本研究人员用 SEM 与 TEM 详细研究了低压OMVPE 法 GaAs 外延层的表面缺陷。外延层生长以GaAs 为基底,方向(100)±0.5°,生长温度630～650℃,Ⅴ/Ⅲ约20～100,生长压力0.1～76Torr 文章用 SEM 与 TEM 详细观测了表面缺陷的形状和内部构造。研究发现,低压 OMVPE 法 GaAs 外延层表面分布着从表面凸起的椭圆锥形缺陷,与氯化物 VPE 法GaAs 外延层表面的小丘类似。而且,在每个缺陷中心附近存在一个位错。这一现象表明,具有旋转成分的位错终端的缧旋生长导致了椭圆锥形表面缺陷的形     

GaAs光阴极材料的液相外延

利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10~(16)cm~(-3),少子扩散长度达2.1μm。     

φ50mm多层GaAs气相外延技术

介绍了自行设计制造的φ50～76mm GaAs气相外延系统特点,多层GaAs外延生长技术,微机控制程序,分析了外延材料的均匀性;报道了此类材料在多种GaAs MESFET和GaAs IC研制方面的应用结果。     

TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究

本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。     

用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究

用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。     

氯化物体系气相外延镓铟砷

本文报告用Ga/InAs/AsCl_3/H_2体系,在GaAs衬底上气相外延Ga_(1_x)In_xAs的结果。通过生长过渡层,降低晶格失配;用水平舟生长的InAs源,并适当选择生长参数,得到表面光洁、完整性较好的外延层。组份x值在0.25以内,最佳电性为:     

LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响

本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。     

GaAs气相选择外延生长的研究

本文采用AsCl_3—Ga—H_2体系,研究了衬底晶面与窗壁方向、气相组分以及窗孔的几何形状、尺寸和深度等因素对GaAs气相选择外延生长表面形貌的影响。研究结果表明,如果在一定量HCl气的外延系统内进行选择外延生长,在衬底晶面为(001),窗壁方向为(100)时各种大小和深度的方形和长方形窗孔材料均有良好的表面形貌。已用掺Te法制得18GC平面型肖特基二极管用的选择外延材料,外延层的杂质浓度为1×10~(17)cm~(-3),V_B≥_4V,厚度为2～3μ。文中对GaAs选择外延生长过程中的若干问题也作了初步探讨。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物的原子层外延

本文介绍了原子层外延(ALE)的基本原理、应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术及 ALE 的工艺特点与生长机理。指出了 ALE 是继 MBE、MOCVD 之后又一新的可控制到单原子层生长的外延技术,它将影响 GaAs 材料和器件的未来。     

垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长

用MBF设备以Stranski-Krastanov生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点，在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性。样品外延的主要结构是500nm的GaAs外延层，15nm的Al0．5Ga0．5As势垒外延层，5个周期堆跺的InAs量子点，50nm的Al0．5Ga0．5Asnm势垒外延层等。在生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控。生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征，再利用光制发光(PL)对InAs量子点进行观测。     

用红外反射法测定1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度

本文验证了测量1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度的红外反射法,该法能满足非破坏性测量和测准的要求。本文在一些选定的实验条件下,用红外反射法进行了测量1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度的一系列实验,取得了一些结果。结果表明,在我们的实验条件下,是可以用红外反射法来取得薄外延层厚度数据的。本文还将所得结果同用显微镜和扫描电镜所作的测量结果进行了对比。对比表明,用三种方法测得的外延层厚度是一致的,但红外反射法的误差最小。     

离子束外延生长（Ga,Mn,As）化合物

利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了（Ga,Mn,As）化合物。补底温度523K条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在GaAs的表面形成一层厚度约为30nm的外延层,另一部分锰离子成功注入到GaAs基底里,注入深度约为160nm。补底温度为523K时获得了Ga5.2Mn相,补底温度为673K时获得了Ga5.2Mn、Ga5Mn8和Mn3Ga相。在1113K条件下对673K生长的样品进行退火,退火后样品中原有的Mn3Ga消失,Ga5Mn8峰减弱趋于消失,Ga5.2Mn仍然存在而且结晶更好,并出现Mn2As新相。     

纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。     

用脉冲掺杂技术研究GaAs气相外延生长速率

研究了 Ga-AsCl_3-H_2开管外延系统中 GaAs 的生长速率问题。采用对掺杂量进行调制,同时结合多层结构浓度剖面分布测量,证明了生长速率不随时间变化。由于这一技术的通用性,因而可用于其它外延材料生长速率的研究。     

MOCVD GaAs／Si外延层中层错的TEM研究

应用透射式电子显微镜观测了MOCVD GaAs/Si外延层中的层错。在双束动力学条件下用三种方法确定外延层中层错类型为本征型,其滑移矢量为R=1/6[211],并讨论了引起滑移的三种应力来源。     

MBE法InAs异质外延

用 MBE 法实现了无孪晶 InAs 外廷生长、基底为 GaAs(111)B,取向偏差0.5°。外延层厚2μm,其 X 射线回摆曲线的半高宽为200弧秒。在 InAs 生长过程中,其反射式高能电子衍射(RHEED)图形为条纹,无额外斑点出现。而生长     

氮离子注入65Nb模具钢的研究及应用

氮离子注入６５Ｎｂ模具钢的研究及应用夏立明，张红宝，朱雪芳离子注入是近年来用于材料表面改性的新工艺，经离子注入后，材料耐磨性显著提高。但由于注入层很薄，一般经过能量为１００ｋｅｖ、剂量在１０１７Ｎ＋／ｃｍ２数量级的离子束轰击后，其注入层只有５００～１...     

一种性能优越的CaAs外延片

美国BDH化学公司最近研制成一种性能优越的新GaAs外延片,用它制成的调正变容二极管,其微波调谐系数的最大值将增加一倍多。为满足所必需的电容变化,该GaAs外延片在活性区域的掺杂浓度分布,是由该公司通过特殊工艺制备而得,他们使其从衬底表面到外延层表面的载流子浓度分布逐渐降     

GaAs／Si异质外延生长研究进展

一、前言复杂的模拟电路、数字电路和光电器件的单片集成,使人们越来越注意开发混合半导体材料工艺,这方面最杰出的例子是在硅单晶衬底上生长 GaAs 外延层。GaAs/Si 工艺研究已成为固态电子学和异质结电子学中重要的研究领域。