双面蚀刻薄介质材料埋容芯板可行性研究

用蚀刻薄膜材料法制作埋嵌式电容，其电容介质材料较薄，常用的电容介质材料厚度在8μm～50μm之间，因此在制作电容层图形时，容易出现皱折、破损的情况。目前可行的方法是用单面蚀刻法制作电容层图形。探讨运用双面蚀刻法制作电容层图形对电容值精度的影响及其可行性分析。     

BST材料在DRAM电容中的应用研究

钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年，到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑，探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。     

在共面波导上加载集总电容电感制备单负材料

为了探索实现单负材料的方法,研究了在共面波导上加载集总电容和电感元件制备单负材料。首先通过理论分析和微波实验,证实了在共面波导上周期性地加载集总电容和电感元件能够实现两种单负材料(电单负材料和磁单负材料)。然后,针对该制备方法,进一步研究了加载电容电感周期性的破坏及加载电感对称性的破坏对单负带隙的影响。结果表明:周期性的破坏对单负带隙基本没有影响;对称性被破坏后,如果电感分布在共面波导中心导带的两侧,仍然能够获得单负材料。     

氧化镍超电容器的研究

使用传统的水解方法制备氢氧化镍胶体 ,在 30 0℃下进行烧结处理后得到具有特殊微结构及表面特性的超细氧化镍材料。电化学方法证明该材料制备的电极具有典型的电容性能 ,“准电容”比容量达 2 40 F/ g以上 ,优于普通的双电层电容器活性炭电容材料比容量。恒流充放电实验证明使用该材料制备的电容器具有良好的大电流充放电性能以及循环寿命 ,是一种极具发展潜力的储能器件     

基于类电磁诱导透明超材料的可调谐慢光器件

提出并设计了一款能够调控类电磁诱导透明现象的超材料，其单元结构由矩形开缝谐振环和加载变容二极管的开缝金属线组成。当调节变容二极管的电容值时，类电磁诱导透明现象中谐振峰频率会随着电容值的减少往低频方向移动，且对应的幅度值逐渐降低；当电容值降至0.79 pF时，类电磁诱导透明现象消失。通过表面电流分布、双谐振子模型和等效电路模型对其物理特性进行了分析。结合仿真和实验结果证明了该超材料可调谐功能的有效性。通过计算该超材料在不同电容值下的群时延表明其具有良好的慢光效应，因此在设计可调谐的慢光器件中具有潜在应用价值。     

基于前项补偿的电容层析成像数据采集系统

电容层析成像系统极板间的电容值相对于耦合电容相差近两个数量级，如何补偿耦合电容成为微小电容测量的难点之一。以12电极油水两相流电容层析成像系统为研究对象，在分析了电容层析成像系统原理的基础上，设计了电容层析成像数据采集系统，系统采用前项补偿方法完成了微小电容的测量，并根据实际测量过程所涉及的关键性问题进行了分析和讨论，通过实验验证了此方法是实用可行的，较好地解决了微小电容精确测量问题。     

FLB系列：中功率薄膜电容

AVX推出新FLB系列中功率薄膜电容。FLB系列电容采用圆柱形的铝壳，金属化聚丙烯材料，填充使用柔软的聚氯酯（PU）树脂，并配有可直接连接的三相端子。     

新产品与新技术(62)

高容量密度和无卤素埋置电容材料3M公司宣布其高容量埋置电容材料(ECM)在美国DesignCon2012展出,应用它可使设计师们大大改善电路电源完整性和降低电磁干扰(EMI)。3M的ECM新材料将提供最高的电容密度和不含有卤素。电容密度的增加,设计师们可以使产品高频率的噪音减少,有助于设计师提供高保真、高频率和高速度的数字信号,适于各种高性能电子产品应用。     

X波段MEMS可变电容的设计与制作

对一种适合于X波段通信系统的RF MEMS可变电容进行了结构设计和工艺实现。该电容用高阻硅作为衬底材料,采用凹形和T形梁结构,整个结构由金材料组成;静电驱动,采用驱动信号与微波信号分离的方法。用有限元分析软件Ansys对该电容进行了模拟,随着驱动电压的变化,电容上极板产生位移变化,电容值相应地发生变化;设计了相应的工艺流程,实现了X波段MEMS可变电容的工艺制作和测试,该工艺与集成电路工艺兼容。S参数测试结果表明,在9GHz时Q值可达32.5,电容调节范围为28.8%。     

MOCVD生长超突变结GaAs变容管材料

用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容管。     

氮掺杂中药废渣生物质碳材料电容性能研究

以废弃的中药废渣作为前驱体，Ni(NO₃)₂为原位造孔剂，尿素为氮源，采用水热法进行氮原子掺杂改性，再经预碳化-活化法制备氮掺杂生物质碳(Ni-N-CMW)。研究表明制备的生物质碳材料具有丰富的孔隙结构，改性掺杂的生物质碳材料Ni-N-CMW比表面积和平均孔径分别为2234.17 m²·g^-1和1.86 nm。对生物质碳材料进行电化学性能测试，结果表明氮掺杂改性生物质碳材料比电容为405 F·g^-1,明显高于未掺杂的生物质碳(256 F·g^-1),且在电流密度增加至8 A·g^-1时，Ni-N-CMW比电容依然能达到332 F·g^-1,电容保持率高达82.1%。除此之外，在5000次循环充放电结束后仍能保持91.2%的比容量，具有良好的循环稳定性。本研究不仅提供了一种回收利用中药废渣的方法，而且为进一步发展中药废渣在电容器电极材料领域的应用提供了理论依据。     

浅谈埋电容PCB的制作工艺

埋电容技术作为PCB制作的一种新工艺。PCB内埋电容不仅节省了PCB板面空间,同时还大量减少了PCB板面SMT焊点数目,提高了PCB板件的可靠性。因目前市场上推出的埋电容材料,由于芯板较薄,通常介质层厚度≤50μm,薄芯板的特性使材料在PCB加工过程中存在一定的难度。本文选用一种陶瓷粉填充的埋电容材料,对该种材料制作埋电容的PCB加工工艺进行相关的研究。     

埋入式电容印制电路板制作工艺

本篇论文主要采用FR406埋入电容材料结合现有的生产设备及条件参数进行工艺兼容性的研究。FR406材料相当于一张超薄的FR-4基材,因而采用标准薄板的图形转移工艺进行电容内层图形的制作。电容材料铜箔表面与半固化片层压的抗剥强度满足IPC接受标准,去钻污及电镀后孔壁质量也比较满意。小面积电容误差分布说明了工艺过程对容值的影响不是很大。因此,采用FR406BC材料进行埋入电容制作是可行的。     

一种小型电容敏感式加速度计的研制

利用弹性良好的铍青铜为材料制作加速度计中的敏感振动元件，研制出电容敏感式加速度计。设计了一种提取差动电容信号的检测电路。给出了电路中所使用的电子元器件，经分析求解得出了电路的输出电压和传感器信号拾取电容变化量之间的正比例关系。经过实验测试，加速度计的灵敏度大约为391.12mV/（m·s^-2）。     

电容扬声器及其阻抗匹配网络

１引言 电容扬声器,也称为静电扬声器（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｌｏｕｄｓｐｅａｋｅｒ）, １９２５年问世,由于当时受到振膜材料和阻抗匹配电路等相关技术的限制,电容扬声器未能及时进入商品市场,随着高分子材料的发展和薄膜技术的进步,电容扬声器振膜特性得到了改进,从而为电容扬声器商品化铺平了道路。另外,驱动电路也开始采用功率ＭＯＳ场效应晶体管和特殊线性运算放大器进行有效组合,从而可省掉原有的音频变压器,提高电容扬声器的保真度。２电容扬声器的基本结构 电容扬声器通常分单电容结构和双电容推挽结构两种类型。…     

SnO_2-LiZnVO_4系湿敏元件电容特性分析

采用共沉淀法制备SnO2-LiZnVO4系湿敏材料,研究了LiZnVO4的掺杂量对材料湿敏电容的影响。结果表明:LiZnVO4的掺杂量,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率对湿敏电容有较大影响。当x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有合适的低湿电容和灵敏度。在100Hz下,当环境的RH从33%上升到93%时,SnO2-LiZnVO4系湿敏材料制备的湿敏元件的电容增量可达起始值的2300%,显示出较高的电容湿度敏感性。湿敏元件的电容响应时间约为54s,恢复时间约为60s。湿滞约为RH6%。     

振镜结构对精度和速度的影响

从振镜的本体结构，使用材料和电容位置传感器三方面来讨论了对其精度和速度的影响     

高密度低寄生电感硅基半导体电容器的设计及验证

采用在半导体材料表面深刻蚀三维图形以形成稳固蜂窝结构的方法,研究了一种适用于解决高频电路和系统级封装中串扰耦合问题的高密度、低寄生电感、制作及排布容易的硅基电容。结果显示,所制作的电容,其密度可增大至普通平面半导体电容的10倍以上,并较大程度地降低了电容的寄生电感,使其性能大大优于常用商业陶瓷电容,更适用于高频电路和系统级封装中的有效退耦。     

VCO电路测试新型BST电容器的可变电容特性

基于新型BST电容器的变容机理,采用集成芯片MC12148设计VCO(压控震荡器)测试电路,通过测量不同控制电压对应的频率,计算出材料的电容与介电常数,研究了新型BST的压控特性,推导出该BST材料的电压与电容关系式。结果显示:新型BST材料加正反偏压电容都发生变化;最大耐压值为40 V;其电容调谐率与压控灵敏度都很小,分别为10.691%和5.717 kHz/V;材料应用在频率合成器的微调上,可提高合成频率的灵敏度与精度。     

SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。