一种高功率旋转场移相器的设计方法

介绍了一种高功率旋转场移相器的设计方法。通过对铁氧体材料、结构、电性能多方面设计考虑,研制出一种相移精度高、调制插损小和功率容量高的移相器,其具体指标为X 波段、峰值功率1700 W、平均功率200W、相移精度优于2°、转换时间小于300ms。该方法在结构设计、功率设计方面有独到之处,为后续类似产品的设计提供了新的思路。     

双工移相器误差分析

本文定量地分析了各波片差相移误差对器件相移、隔离和损耗的影响。并对S波波段双工移相器进行了测试。相移实验表明理论计算与实验结果吻合。     

锁式铁氧体旋转场移相器

能承受适应高微波功率容量及高精确度互易相位控制的铁氧体旋转场移相器必须用连续电流来激励。本文介绍一种仅在开关时才需激励的荼在铁氧体剩磁态的旋转场移相器的第一只锁式结构及其试样的实验数据，它在锁式态工人时的变化仅是使相位均方根误差稍大，但使平均的激励功率容量减小，实验完成宽带Ｓ波段器件的设计，其锁式控制方式的优点也作了深入地探讨。     

铁氧体波导移相器的高功率设计初探

通过计算铁氧体波导移相器的微波磁场和功率分布 ,试图找到一种分析该类器件峰值功率容量的有效方法 ;在此基础上 ,针对前人的分析方法和结论 ,提出了自己的看法。     

铁氧本波导移相器的高功率设计初探

通过计算铁氧体波导移相器的微波磁场和功率分布，试图找到一种分析该类器件峰值功率容量的有效方法，在此基础上，针对前人的分析方法和结论，提出了自己的看法。     

波片失配及相位误差对旋转场移相器性能的影响

旋转场移相器由两段λ／２波片组成。由于波片之间失配存在反射。本文分析了反射系数、波片相位误差对输出相移、隔离度及损耗的影响。与实验结果吻合。     

多极化铁氧体移相器

本文综述了多极化铁氧体移相器的几种类型及其它们有关的实验结果。     

铁氧体非互易移相器的高功率容量分析

通过计算铁氧体波导移相器的微波磁场和功率分布,给出了一种分析该类器件峰值功率容量的有效方法,取得了与工程试验相一致的结果,从而使得铁氧体非互易移相器的峰值功率容量大小能够在设计阶段得以较准确计算。     

基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器

基于GaN HEMT工艺研制了一款8～12.5 GHz宽带6 bit数字移相器.通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量.测试结果表明,在8～12.5 GHz频带内,全部64个移相状态下,插入损耗小于11 dB,输入回波损耗小于-14 dB,输出回波损耗小于-16 dB,移相均方根误差小于1.8°,幅度变化均方根误差小于0.5 dB.在8 GHz频率下,1 dB压缩点输入功率高达33 dBm.芯片尺寸为5.05 mm×2.00 mm×0.08 mm.     

一种铁氧体移相器控制系统的设计

首先,阐述了一种铁氧体移相器控制系统,包含波控与移相器驱动电路两部分;然后,由项目设计角度出发,详细介绍了基于FPGA的波控电路设计方法,以及移相器位数与单位脉宽的关系;最后,阐明了移相器工作原理和移相器驱动电路的构成.     

一种低磁化电流铁氧体移相器的研究

从理论上分析了双线磁化移相器的原理,并进行了实验验证,得出了双线磁化移相器比单线移相器有明显的优越性,其磁化电流是单线移相器的一半。文中列举了典型双线移相器的性能,其磁化峰值电流只需６～７Ａ,而其他性能没有明显变化,这对于相控阵雷达波控器和激励器长期、可靠、稳定地工作是一很好的措施。     

铁氧体大功率移相器研究

介绍了大功率背脊波导锁式铁氧体移相器的一般设计方法。首先讨论了器件的铁氧体材料参数的选取和器件结构的设计以及提高器件差相移的方法。然后介绍了器件相位的温度补偿的方法。最后给出了Ｓ 波段器件的性能     

数字式矢量移相器

简要介绍了矢量移相器的原理、特点、基本结构，提出了一种新型的采用数学方式控制的矢量移相器。     

过尺寸毫米波圆极化移相器

毫米波铁氧体移相器由于尺寸很小，铁氧体材料的脆性很大给加工和装配这种移相器带来很大困难。本文提出在毫米波移相器中采用过尺寸波导，使移相器截面尺寸增大了1．56倍，从而大大降低这种移相器的加工、装配困难，使整个相控阵天线的成本得以降低。     

圆极化铁氧体移相器分析

结合HFSS 软件，采用不同方法对圆极化铁氧体移相器的相移进行了对比计算，计算的结果互相吻合。对均 匀磁化情况，用数值积分法分析了圆极化相移和反磁化相移，并证明了圆极化相移的互易特性。对非均匀磁化情况， 分析了铁氧体棒与磁轭结合部位的横向磁化场对相移和极化的影响。