Ti3Sn和Ti3Sn—Nb的电子结构与力学行为

用离散变分Ｘα原子簇方法计算了Ｔｉ３Ｓｎ及加入Ｎｂ后的电子结构，键级（Ｂｏ）和态密度（ＤＯＳ）的分析结果表明：Ｔｉ３Ｓｎ中Ｔｉ－Ｓｎ间相互作用主要是Ｓｎ的Ｓｐ轨道与Ｔｉ的３ｄ，４ｓ，４ｐ轨道的作用，由于在Ｔｉ－Ｓｎ相互作用中ｐ－ｐ作用较强，导致Ｔ１ｅＳｎ的脆性较强，对面和柱面的键级分析结果表明：基面滑移时须破坏较多的近邻Ｔｉ－Ｓｎ键，滑移时需较大的剪切应力，柱面滑移改变的Ｔｉ－Ｓｎ键较少，容易滑移     

磁体用Nb3Sn超导体研究进展

Nb3Sn是典型的低温超导材料,主要应用于高能物理(HEP)和热核聚变(ITER)以及高场核磁共振(NMR)等磁体领域.Nb3Sn材料在2K时的上临界场Hc2达到30T,为其在高场磁体的应用提供了契机.综述了Nb3Sn的发展现状与研究成果,以及近年来其制备工艺的改进和存在的问题.     

Ti_3Sn和Ti_3Sn-Nb的电子结构与力学行为

用离散变分 X_α原子簇方法计算了 Ti_3Sn 及加入 Nb 后的电子结构。键级(Bo)和态密度(DOS)的分析结果表明:Ti_3Sn 中 Ti-Sn 间相互作用主要是 Sn 的5p 轨道与 Ti 的3d,4s,4p 轨道的作用。由于在 Ti—Sn 相互作用中 p-p 作用较强,导致 Ti_3Sn 的脆性较强。对基面和柱面的键级分析结果表明:基面滑移时须破坏较多的近邻 Ti-Sn 键,滑移时需较大的剪切应力,柱面滑移改变的 Ti-Sn 键较少,容易滑移,因而Ti_3Sn 多晶形变时主要是柱面滑移。加入 Nb 后,p—p 成分显著减少,对 Ti_3Sn 起到韧化作用;同时键级增加,因而亦有强化作用。计算结果表明,Nb 在 Ti_3Sn 中随机地占据 Ti 或 Sn 的位置。     

Gd和Sn掺杂BaTiO3陶瓷的介电性能

通过固相反应法制备了掺杂0.5%(摩尔比)Gd和10%(摩尔比)Sn的BaTiO3陶瓷材料,并对样品的介电性能在不同频率、温度下进行了研究.结果表明掺杂之后材料的居里点向低温方向移动,材料的介电常数显著增加.其中同时对BaTiO3的A位掺杂0.5%的Gd,对B位掺杂10%的Sn时,其居里点降至60℃,介电常数在0.005、1、100kHz下的峰值分别达到54000、51000、45000,而对应的tgδ分别为0.053、0.066、0.092.     

日本开始批量生产ITER用Nb3Sn超导体

日本原子能研究开发机构和新日铁公司在福冈县北九州市合作建成用于国际核聚变实验堆（ITER）的超导线圈用材料Nb3Sn生产厂，3月份开始正式生产。超导材料NbsSn用于制作环向磁场线圈（TF线圈）。     

Nb3 Sn超导线材室温拉伸试验方法

利用Zwick Z020型电子万能材料试验机和Zwick Laserxters 1000762型光学引伸计测试了Nb3Sn超导线材的力学性能,研究并制定了一套高精度、高稳定性的室温拉伸试验方法。为了验证该方法的可行性及稳定性,对其进行了多组数据测试,并计算了各性能的平均值X、标准方差s、相对标准偏差COV、相对标准不确定度URSU(N)。结果表明:该方法测试出的Nb_3Sn超导线材力学性能的精确度及稳定性均很高,该试验方法可为高场磁体及加速器磁体的顺利研制提供有效保证。     

Sn2S3薄膜制备及结构与光学特性

采用真空热蒸发法在玻璃衬底上制备Sn2S3薄膜.研究不同Sn和s配比及热处理条件对薄膜的结构及光学特性的影响.结果显示:采用Sn:S为1:1.2(at%)混合粉末制备出的薄膜,在T=430℃,t=40min氮气保护热处理后,可得到结构良好的n型Sn2S3纳米多晶薄膜.薄膜表面致密较平整,颗粒分布均匀,平均晶粒尺寸为60.37m.Sn2S3薄膜的直接光学带隙约为2.0eV.     

Mg-3Sn合金表面高导热耐腐蚀SiC_x涂层研究

高导热耐腐蚀涂层在轻质镁合金散热器件中的应用具有重要的意义。研究了Mg-3Sn合金表面磁控溅射SiC薄膜的组织结构、导热及耐腐蚀性能。结果表明,Mg-3Sn镁合金表面磁控溅射SiCx薄膜为非晶态。相对于经盐雾实验后的Mg-3Sn合金基体,在25和100℃条件下,经SiCx涂覆的Mg-3Sn材料腐蚀后的热导率分别提高23和16W/(m.K),且具有良好的耐腐蚀性能。     

用于冠脉支架的Ti3Mo2Sn3Zr25Nb合金研究

血管支架植入术是冠心病介入治疗的常用手段,钛合金由于具有比强度高、耐蚀性好、生物-力学相容性优良等优点,因此是金属类冠脉支架产品的首选材料。针对不含毒性元素的新型生物医用β型Ti3Mo2Sn3Zr25Nb合金进行了较为系统的研究,同时阐述了该合金的塑性变形与强化机制,分析了不同形变下合金的应力-应变曲线,讨论了热处理工艺对Ti3Mo2Sn3Zr25Nb合金微观组织和性能的影响,明确了冠脉支架用Ti3Mo2Sn3Zr25Nb合金的加工工艺,也为其他β型钛合金加工提供参考和借鉴。同时,还开展了Ti3Mo2Sn3Zr25Nb合金的生化腐蚀率、溶血率和细胞毒性的检测,以及材料在动物体内的试验,较为全面的评价了该合金的生物相容性,为其在生物医学领域的应用起到了积极的推进作用。     

Microstructure and mechanical properties of as aged Mg–3Sn–1Al and Mg–3Sn–2Zn–1Al alloy

Effect of Zn on the microstructure, age hardening response and mechanical properties of Mg–3Sn–1Al alloy which is immediately aged at 180°C after extrusion process (T5) was investigated. It was found that the Zn can refine the microstructure, remarkably improve the aging response with the peak hardness increases to 75 HV and the time to peak hardness reduces from ～110 to ～60 h, which is attributed to the solid solution hardening of Al, Zn and an amount of finer Mg₂Sn precipitates. The as aged Mg–3Sn–2Zn–1Al alloy exhibits better mechanical property at room temperature or 150°C than that of Mg–3Sn–1Al alloy, which is ascribed to the fine grained microstructure and thermally stable Mg₂Sn particles dispersed at grain boundaries and in the matrix.     

Mössbauer studies of O4+-bombarded Nb3Sn

Mössbauer spectra have been taken for Nb₃Sn films on Hastelloy substrate bombarded with 25-MeV O⁴⁺ ions at fluences of 9.6 × 10¹⁵ and 4.0 × 10¹⁶ cm^–2, and annealed at temperatures up to 1050 C. The bombarded samples are found to contain highly damaged Nb₃Sn and Nb₆Sn₅, and show superconducting transitions at 7.3 and 3.3 K, respectively. Annealing at higher temperatures does not restore the properties of the samples to those known for undamaged Nb₃Sn films. The results rather indicate the presence of Nb₃Sn and also Nb₆Sn₅ even after annealing at 850 C. Annealing at 1050 C seems to produce only regions of heavily damaged Nb₃Sn.On leave from North Dakota State University, Fargo, North Dakota.     

Ti3Zr2Sn3Mo25Nb钛合金表面细晶的表征方法

采用超声冲击的方法对Ti3Zr2Sn3Mo25Nb钛合金进行表面强化，采用扫描电镜、透射电镜、电子背散射衍射仪、X射线衍射仪等设备对其表面细晶进行表征。结果表明：超声冲击后，钛合金表面获得了深度约为35μm的强塑性变形层；钛合金表面可观察到明显纳米级的非晶团簇和密集的滑移线，细晶形成的主要原因为位错滑移，位错滑移的主方向为<111>;超声冲击后，材料的表面残余压应力约为250 MPa,晶格常数略有降低，β相的特征峰强度变大，α相的特征峰宽度变大。     

一种制取Nb_3Sn超导带的新扩散方法

研究成功一种制取Nb_3Sn带的新的扩散方法。把Nb基带复上含Sn30～50w/0的Cu-Sn,在650-750℃的较低温度扩散处理。可以得到致密而均匀的Nb_3Sn层。用这种带绕制的10万高斯磁体总平均电流密度约2×10~4安/厘米~2。带中Cu-Nb_3Sn界面清洁平滑。带的复绕性好,弯曲直径可以小到1.6厘米。这种扩散工艺易于控制并适于大规模生产。     

快速多层CVD工艺制取高性能Nb_3Sn超导带

快速多层 CVD 法制备 Nb_3Sn 带是对慢速单层 CVD 法的重要改进,不但带速(生产率)能提高几倍至十几倍,而且载流能力亦能成倍地提高。     

Effect of microstructure and Ag3Sn intermetallic compounds on corrosion behavior of Sn–3.0Ag–0.5Cu lead-free solder

In this paper, the effects of microstructure on the corrosion behavior of Sn–3.0Ag–0.5Cu (SAC305) lead-free solder were investigated by potentiodynamic polarization and atmospheric corrosion test. Scanning electron microscopy and X-ray diffraction were used to characterize the samples after the electrochemical and atmospheric corrosion tests. Results showed that commercial SAC305 solder exhibits better corrosion resistance than air-cooled and furnace-cooled SAC305 solders both in 3.5 wt% NaCl solution and at 60 °C/100 % relative humidity condition.     

Ba(Ti0.96Sn0.04)O3陶瓷的物性研究

采用传统固相反应法制备了Ba(Ti_0.96Sn_0.04)O₃无铅压电陶瓷, 对其压电性能、介电性能、铁电性能和微观结构等进行了研究。研究发现, 原料以及制备工艺对Ba(Ti_0.96Sn_0.04)O₃陶瓷的压电性质具有较大的影响。与BaTiO₃陶瓷相比, Ba(Ti_0.96Sn_0.04)O₃陶瓷的正交-四方相变温度T_O-T得到了一定的提高, 并且T_O-T附近的热滞只有1.8℃。陶瓷的微观形貌呈现出较为复杂的畴结构, 主要以90°平行带状畴为主, 偶尔有少量不同构型的180°畴。电滞回线呈现为理想的近似矩形饱和形状的曲线, 剩余极化强度P_r为18.9 μC/cm², 矫顽场E_c为 2.5 kV/cm。此外, 非180°畴的翻转是引起陶瓷逆压电常数d₃₃^*的主要因素, 其值可达550 pm/V。     

掺Sb,Sn和Cd的In2O3的电性研究

本文研究了掺杂Sb、S_n及Cd的In_2O_3的电性质,并与纯的In_2O_3进行比较,得到一些有意义的结果。IO的电导率及载流子浓度主要由氧缺位所致;ITO和ISO的电导率和载流子浓度,主要由掺杂元素所致;掺Sn的电导率、载流子浓度和迁移率高于掺Sb,其原因在于在同样掺杂浓度的条件下,ITO中的中性杂质浓度低于ISO及掺Sn后使电子离域程度增大。在掺Cd浓度高时,随着Cd浓度增加,电导率和载流子浓度均降低。