红外探测器和焦平面列阵

一、系统1.可用于多种应用的高级焦平面列阵(特邀论文)(L. P.Chen,美国雷锡恩红外经营公司)2.基于焦平面列阵技术的先进激光敏感接收器概念(特邀论文)(P.L.Hacobson等,美国洛斯阿拉莫 期国家实验室)     

热红外探测器及红外焦平面列阵

本发明提供一种热红外探测器,它由衬底、温度传感器、隔热支撑腿以及红外吸收层等构成。其温度传感器的电学特性是随由红外吸收引起的温度变化而变化的;其隔热支撑腿用于支撑温度传感器并充当用于凄出温度传感器电信号的信号线;红外吸收层则是与温度传感器热接触的。温度传感器、隔热支撑腿及红外吸收膜各自都处在一个不同的平面中,而这些平面在空间上都是互相分开的。     

红外探测器和焦平面列阵IV

国际光学工程学会于１９９６年４月１０－１１日在美国佛罗里达州奥兰多市召开了“红外探测器和焦平面列阵”专题讨论会,会后出版了该专题的会议论文集,以下介绍论文集题录。     

第三讲 红外焦平面列阵探测器

红外探测器是一种敏感辐射的传感器,它利用自然界某些材料在受到辐射照射之后电学性质发生变化的特性,把辐射信号转换成电信号.通过红外探测器这种功能器件,以电信号形式感知辐射信号,结果形成了敏感或探测红外辐射的一系列仪器.30年来,在军     

红外焦平面列阵

红外焦平面列阵（ＩＲＦＰＡ）是新发展起来的一种红外探测技术。本文对ＩＲＦＰＡ的技术、在世界各国的发展现状以及其面临的困难作了个概略性的介绍。     

多光谱单片红外焦平面列阵探测器

美国专利US2003/0160172 (2003年8月28日公布) 多光谱红外探测器是高级成像系统区分实际目标和假目标所需的。用多个波长范围同时探测目标发射的红外辐射在这方面具有很大的好处。 本发明提供一种能以单片列阵形式生产许多个多色红外敏感元件的技术。每个元件有一个HgCdTe多层     

多光谱单片红外焦平面列阵探测器

本发明提供一种多色红外传感器件,即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下：在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接外延生长的读出集成电路;在该表面上用MBE连续生长具有不同带     

中波红外焦平面列阵探测器γ辐照效应

报道了γ射线辐照对薄膜材料碲镉汞(Hg1-xCdxTe)制备的中波红外焦平面列阵探测器性能的影响.γ射线辐照的剂量依次为3×106 rad、9×106rad、2×107 rad.测量了器件在辐照前及各个剂量辐照后的I-V特性、黑体响应、噪声等性能参数.通过分析实验数据,发现器件的暗电流,噪声随辐照剂量的增加而增大,黑体响应随辐照剂量的增大而减小.其中I-V特性受辐照影响最大,黑体响应和噪声对辐照不是很敏感.这些表明随着辐照剂量的增加,器件的性能逐步衰退.     

室温型热释电红外探测器焦平面列阵新进展

文中介绍了目前室温工作的热释电红外探测器焦平面列阵的国外进展，混合型铁电陶瓷焦平面列阵已进入批量生产阶段，这类焦平面列阵制作的热像仪已于１９９５年进入商品市场，而单片式铁电薄膜红外探测器焦平面列阵还处在实验室研究阶段。     

短波红外焦平面列阵

在第二代红外成象系统中,采用焦平面列阵可使系统获得高分辨率和高灵敏度。在混合结构中,探测器和信号处理芯片是采用不同的材料单独制作,然后耦合成焦平面列阵。采用HgCdTe探测器的第二代红外成象系统的研究和发展工作主要在中红外波段(3～5μm)和长波波段(8～12μm)范围内进行。然而在高温和反射阳光下的物体     

多色红外焦平面列阵

高灵敏度红外焦平面列阵已经成为为现有各种军用平台提供全天候观察能力的核心技术。基于这种焦平面列阵的热成像仪能够精确地探测到距离远至10km的威胁物。然而,这种成像仪系统只能响应中波红外（3μm-5μm）或长波红外（8μm-12μm）一色波段,而且在工作时会产生大量虚警现象。这是由于潜在的地面目标与其背景之间的温差非常低所造成的。除此之外,太阳光闪烁、假目标、诱饵以及人造热源也会产生一些容易引起虚警的错误热特征。     

用于光学跟踪的红外位置传感探测器焦平面列阵

为了将位置传感探测器焦平面列阵用于光学跟踪,必须使列阵具备以下几种特点:元件与元件之间具有均匀的特性,元件之间的间距小,具有用于放大和初始信号处理的紧密集成电路,如果需要的话,还必须能将成     

InSb红外焦平面列阵探测器局部分层失效机理研究

批量生产中,锑化铟红外焦平面列阵探测器(InSb IRFPAs)局部分层失效现象已成为制约其成品率提升的瓶颈。为探究InSb IRFPAs局部分层诱因,借助内聚力模型,在InSb芯片与底充胶的界面处铺满内聚力单元,优选内聚力模型参数,建立InSb IRFPAs局部失效分析二维模型。模拟结果得到了实测局部分层分布特征的证实,即:(1) 局部分层大多出现在芯片周边区域,涵盖一定宽度;(2) InSb芯片与底充胶之间的界面局部脱开后,逐渐向两侧扩展。为剖析局部分层诱因,系统分析了张开型与滑开型裂纹扩展共同作用下混合模态比取不同值时局部分层分布特征的演化规律,认为当张开型和滑开型裂纹扩展的混合比取4: 6时,模拟结果与实测结果高度吻合。至此笔者认为InSb IRFPAs局部分层源于界面法向应力与面内剪切应力的共同作用,属于典型的混合型局部分层模式,其中滑开型局部分层模式占主导。     

长波HgCdTe红外焦平面列阵

概述了以 Hg_(1-x)Cd_xTe 体材料和双异质结构外延材料为衬底,采用平面工艺研制成两种不同结构的光伏二极管列阵与用 MOS 工艺制作的信号处理器互联而成的8×8长波红外焦平面列阵。它的响应波长已达到10μm,D~*大于2×10~9cmHz~(1/2)W~(-1),非均匀性小于50%,R_0一般大于200kΩ,个别达到1MΩ以上。     

不致冷红外焦平面列阵

分析比较了四种红外焦平面列阵（ＩＲＦＰＡ）的特征，阐述了不致冷ＩＲＦＰＡ具有价格低廉和使用方便的明显优势，对三种不致冷ＩＲＦＰＡ作了介绍，特别是辐射热微测量主地ＩＲＦＰＡ是当前研制重点，将给夜视热像系统带来革命性变化，最后列举了红外焦平面列阵在非军事领域的应用。