共查询到18条相似文献,搜索用时 234 毫秒
1.
大功率半导体激光器阵列的稳态和瞬态热行为 总被引:3,自引:0,他引:3
大功率半导体激光器的应用日益广泛.随着激光器光功率的不断增加,其结温也在急速上升.激光器结温的升高不仪会导致寿命、斜率效率和功率下降,阈值电流增大,而且会引起波长漂移,光谱展宽等,因此开展半导体激光器热没计和热优化的研究显得越来越重要.用数值模拟和实验相结合的方法对单巴(bar)条CS封装的60 W,808 nm半导体激光器连续工作时的稳态和瞬态热行为进行分析研究,定量确定了半导体激光器的温升及其构成,以及器件的时间常数.此外,还对半导体激光器件做了热优化,并在分析结果的指导下做出了各项性能指标均优良的半导体激光器阵列器件. 相似文献
2.
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时,会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展,梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质子、中子、电子、伽马射线)诱发LD辐射敏感参数退化的实验规律,分析总结了当前LD辐照效应实验方法研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展LD的辐照效应实验方法、退化规律、损伤机理及抗辐射加固技术研究提供理论指导和实验技术支持。 相似文献
3.
4.
为了探究850 nm高速垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,VCSEL)在空间辐射环境中的退化规律与机制,开展了10 MeV质子和γ-射线辐照实验,获得了光功率和阈值电流退化规律,分析了辐射导致VCSEL参数退化的物理机理,此外,还开展了236 h的电注入退火研究。研究结果表明:VCSEL对γ射线导致的总剂量效应不敏感,且在一定剂量范围内光电特性由于沉积能量促进了量子阱界面附近的晶体有序而产生了一定程度的恢复:但是在质子辐照下,VCSEL的阈值电流和外量子效率发生了不同程度的退化,计算获得阈值电流损伤因子为1.468×10?15 cm2/p。经过20 mA注入增强退火后,阈值电流恢复了20%,25 mA注入电流下,光输出功率恢复了10%。阈值电流和外量子效率的退化归因于质子辐照引入的非辐射复合中心。这些实验结果为VCSEL及包含VCSEL的数据通信与仪器的系统在恶劣空间辐射环境下的应用提供支持。 相似文献
5.
针对应用于某种全固化激光器的4种关键光学材料Nd:YAG晶体、Cr:YAG晶体、无膜窗口玻璃(UBK7)以及部分反射镀膜玻璃在γ总剂量辐照前后光学特性的变化情况,分析获得了几种光学材料的γ总剂量辐照效应,并对该全固化激光器抗γ总剂量辐射能力进行了预估。实验结果表明:Nd:YAG晶体对γ总剂量辐照敏感,抗辐射性能较差,不宜用于在较强辐射环境下工作的固态激光器设计,而Cr:YAG、无膜窗口玻璃以及部分反射镀膜玻璃γ总剂量辐照后性能参数变化小,抗辐射性能良好,可考虑在较强γ辐射环境下工作的全固化激光器设计选用。 相似文献
6.
研究电子辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)性能的影响。利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1106 rad(Si)。辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究。结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同。此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定。同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论。 相似文献
7.
8.
9.
10.
半导体激光器是许多日常装置的关键部件。光纤通信和小型光盘驱动器可能是两个最为人熟知的例子,目前仍在世界范围努力研究与开发,以改善这些器件的性能,如使其更小,亮度更高,更有效,或可在新波长下激射。新的一类半导体激光器,即自组成量子点激光器,则在上述诸多方面显现很大希望。当一个导带中的电子与一个价带中的电子空位或空穴复合时,半导体激光器便辐射激光,发光波长一般取决于半导体的带隙宽度,即价带顶端与导带底部之间的能量差。例如,GainS半导体,带隙约1.9eV,发射红光。对半导体的大多数有用性能起重要作用的带… 相似文献
11.
A. V. Lyutetskiĭ K. S. Borshchev N. A. Pikhtin S. O. Slipchenko Z. N. Sokolova I. S. Tarasov 《Semiconductors》2008,42(1):104-111
Spectral and light-current characteristics of lasers based on the asymmetric separate-confinement heterostructures InGaAs/InGaAsAl/InP and InGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs were studied in the pulsed mode of lasing. It is shown that, at high levels of current pumping, the charge-carrier concentration in the active region of semiconductor lasers for the near-infrared optical region increases beyond the oscillation threshold; drastic saturation of the light-current characteristics is observed. Processes occurring in lasers as the charge-carrier concentration increases beyond the lasing threshold are studied theoretically. It is established that, at high pump levels, the rate of stimulated recombination decreases, the lifetime of charge carriers increases, and both the concentration of emitted photons and the quantum yield of stimulated radiation decrease. It is shown that variations in stimulated recombination, the decrease in the quantum efficiency, and saturation of the light-current characteristic in semiconductor lasers at high levels of current pumping are caused by the contribution of the nonradiative Auger recombination. 相似文献
12.
GaSb基半导体激光器功率效率研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-GaSb在150 ℃~450 ℃退火温度下欧姆接触的实验研究,结果表明,新结构能够在250 ℃~450 ℃退火温度和10 min退火时间下形成良好的欧姆接触并具有较低的接触电阻率,有效地提高了GaSb基半导体激光器的功率效率。俄歇射线能谱分析表明,新型金属化结构中各原子之间的互扩散减少,结构表面形貌光滑、平整,有助于半导体激光器后续封装的进行,有效地提高了GaSb基半导体激光器的可靠性。 相似文献
13.
14.
15.
The spontaneous emission spectrum of mesa lasers was analyzed to determine the absorption and gain spectra at threshold. The radiative current density at threshold was found to be 4.4 kA cm-2μm-1, which is 60 percent of the total current density for the lowest threshold mesa laser. The increase in radiative lifetime due to reabsorption of emitted radiation was calculated to be 1.5, using file measured absorption and emission spectra. Contrary to other studies, our investigation of an LED and 3 lasers of different types yielded no evidence of carrier heating. 相似文献
16.
半导体激光器的电噪声 总被引:1,自引:0,他引:1
通过测量激光器的电噪声,可以用来在线监测器件的诸多特性,如阈值电流的大小,是否有模式跳变发生,以及谱线宽窄等.另外,根据电噪声的大小,还可以对器件的质量和可靠性作出评价,具有快速、方便、无损等优点.文章概述了半导体激光器的电噪声,对其主要应用进行了综合和讨论,概括性评述了该领域目前的研究进展. 相似文献
17.
高效率大功率连续半导体激光器 总被引:3,自引:1,他引:2
从大功率半导体激光器的工作机理出发,对影响激光器电光转换效率的主要因素,如激光器的斜率效率ηd、阈值电流Ith、开启电压V0、串联电阻Rs以及工作电流I等进行了分析,进而讨论了提高电光转换效率的主要技术途径。通过对应变量子阱大光腔激光器外延材料开启特性的优化、大功率激光器芯片横向限制工艺的改进以及对大功率微通道热沉制作等技术的研究,制作了808nm连续半导体激光器阵列。在工作电流140A时,阵列工作电压为1.83V,输出功率145W,电光转换效率达到56.6%。 相似文献
18.
Pikhtin N. A. Slipchenko S. O. Shashkin I. S. Ladugin M. A. Marmalyuk A. A. Podoskin A. A. Tarasov I. S. 《Semiconductors》2010,44(10):1365-1369
The temperature dependences of radiative characteristics of semiconductor lasers based on asymmetric heterostructures of the
separate confinement with an extended waveguide fabricated by MOCVD epitaxy (the emission wavelength λ = 900–920 nm) are studied.
It is established that the threshold concentration in the active region and waveguide layers of the laser heterostructure
of the separate confinement increases in the CW lasing mode as the pumping current and temperature of the active region are
increased. It is established experimentally that, in the temperature range of 20–140°C, the stimulated quantum yield remains
unchanged. It is shown that the temperature delocalization of charge carriers leads to an increase in the carrier concentration
in the waveguide layers of the laser heterostructure. The total increase in internal optical losses due to scattering by free
charge carriers in the layers of the active region and waveguide layers of the laser heterostructure leads to a decrease in
the differential quantum efficiency and to saturation of the watt-ampere characteristic of semiconductor lasers in the continuous
lasing mode. 相似文献