共查询到20条相似文献,搜索用时 156 毫秒
1.
本文介绍利用连续运行的 CO 激光器观察了 InSb 的带间磁光吸收,不同朗道能级间的跃迁形成了一系列的吸收峰值,最低的四个带间跃迁是与导带朗道能级的自旋向上(0↑)和自旋向下(0↓)以及施主杂质能级的跃迁有关。 相似文献
2.
讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。 相似文献
3.
<正> 本文在4.2K下测定了p-HgCdTe MIS结构样品的量子电容谱,表面磁阻振荡,表面回旋共振以及表面电子自旋共振,确定了HgCdTe反型层电子子能带结构,包括能级位置、费米能级、有效质量、反型层耗尽层厚度等,并推导了由于自旋轨道相互作用而引起的电致自旋分裂子能带的色散关系和朗道能级扇形图,还研究了朗道能级以及自旋能级间的光跃迁问题。 相似文献
4.
报道P-Hg_(1-x)Cd_xTe(x=0.234、N_A=4×10~(17)cm~(-3))MIS结构样品在电量子限条件下电子子能带朗道能级间磁光共振光跃迁实验结果。测量了不同光子能量和样品在不同表面电子浓度时子能带朗道能级间和自旋能级间的回旋共振和自旋共振。定量地证明了窄禁带半导体量子阱子能带朗道能级的移动和交叉效应,这一效应起源于表面势的反演不对称所导致的较强的表面电子自旋轨道相互作用。 相似文献
5.
考虑外加磁场导致的量子化朗道能级以及邻近效应诱导产生的交换作用,采用无规相近似(Random-phase approximation,RPA)下的介电函数对单层二硫化钼(Monolayer molybdenum disulfide,ML-MoS2)的纵向磁光电导率进行理论研究。探究了磁场、邻近效应诱导产生的交换作用等因素对纵向磁光电导率的影响。在太赫兹(Terahertz,THz)频段,可以看到由导带内电子跃迁所贡献的两个磁光吸收峰。在可见光频段,可以观察到从价带到导带电子跃迁所贡献的多个磁光吸收峰。研究结果表明,邻近效应诱导产生的交换作用和磁场强度对纵向磁光电导率有重要的影响,单层二硫化钼可应用于可见光到太赫兹频段的自旋电子学和谷电子学磁光器件。 相似文献
6.
用测量样品光电导变化的方法,以二氧化碳激光器作为入射光源,InSb研究了在0~40KG磁场下,对选支9.6μm和10.6μm的吸收。观察到一系列的吸收峰。和相应的理论计算进行了比较,发现大部分的吸收峰都可以用价带和导带的朗道能级间的二级跃迁来解释。但也有一些不能归结为朗道能级间的二级跃迁的吸收峰,它们也许是来自禁带中束缚能级对导带朗道能级的跃迁。 相似文献
7.
利用可调节自旋过滤器模型,首次计算并讨论了磁场和电子跃迁能量间隔变化对量子点接触结构中自旋电子过滤特性的影响。研究发现,磁场和电子跃迁能量间隔的变化引起了自旋电子隧穿概率和隧穿电导都呈现出量子台阶效应,磁场的增加使电子的回旋频率和电子的Zeeman能级分裂同时加强,从而导致量子点接触结构中的横向约束加强,而自旋过滤效应明显减弱;当磁场一定时,电子跃迁能量间隔越小,电子的自旋过滤效应越明显。电子跃迁能量间隔改变的同时,也改变了鞍形势的势垒形状和自旋过滤的灵敏度。对于不同的材料,同时考虑磁场和电子跃迁能量间隔的作用可以找到自旋过滤器的最佳过滤效果。尤为重要的是过滤器的结构可以用标准的电子束技术很容易得到,所以研究结论为设计新型自旋过滤器提供了理论依据,具有广阔的应用前景和潜在的商业价值。此外,使用朗道因子值较高的材料作自旋过滤器的衬底,可以进一步提高过滤器的性能。 相似文献
8.
采用栅压比谱的方法,研究了GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气(2DEG)的回旋共振。观察到由于子能带-朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为.由回旋共振频率ωc确定了子能带电子的回旋共振有效质量m*,通过对共振峰线形的拟合,获得二维电子气浓度Ns、电子散射时间τ和迁移率μ.由子能带-朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距.讨论了导带非线抛物性对电子回旋共振有效质量的影响 相似文献
9.
《红外与毫米波学报》2014,(4)
从理论上研究了一个上臂与下臂各嵌有一个量子点的三终端三臂量子环中的自旋极化的电子输运性质.考虑了两个量子点中的库仑互作用并假设在某一个环臂中存在Rashba自旋轨道耦合作用.利用非平衡态格林函数方法,发现不需要借助任何磁场与磁性物质Rashba自旋轨道耦合作用导致的量子干涉效应就可以从器件中驱动出一个自旋流.适当调节外加偏压、Rashba自旋轨道耦合作用强度以及量子点能级等系统参数时器件中甚至还可以产生完全自旋极化电流或纯自旋流.另外,还讨论了系统参数对自旋流大小、符号、自旋极化度以及峰值的影响. 相似文献
10.
外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了外磁场存在时,含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关的透射概率和散粒噪声,讨论了量子尺寸效应和Rashba自旋轨道耦合效应.研究结果表明:不同自旋取向的电子隧穿异质结时,透射概率和散粒噪声随半导体长度的变化特性是作等幅振荡;外加磁场和Rashba自旋轨道耦合强度的增强都会加大透射概率和散粒噪声的振荡频率;外加磁场角度的改变会改变散粒噪声的振荡频率;双δ势垒的存在增大了自旋电子透射概率的振幅. 相似文献
11.
The electron transport through a Rashba ring with a magnetic flux and driven by a temperature difference is investigated. It is found that the spin interference effect induced by the Rashba spin-orbit interaction and by the magnetic flux can break the balance between the spin-up and spin-down component currents in the thermally driven charge current and thus result in a spin current. The analytical derivation and numerical calculations reveal that the magnitude, sign, peaks and spin-polarization of the generated spin current can be readily modulated by the system parameters. In particular, with some choices of the parameters, the spin polarization of the generated spin current can reach 100%, that is, a fully spin-polarized thermospin current can be produced. These results may help the use of the spin-dependent Seebeck effect to generate and manipulate a spin current. 相似文献
12.
A systematic theoretical approach is developed to study the electronic and transport properties of a twodimensional electron gas (2DEG) in the presence of spin-orbit interactions induced by the Rashba effect. The standard random-phase approximation is employed to calculate the screening length caused by electron-electron interaction in different transition channels. The quantum and transport mobilities in different spin branches are evaluated using the momentum-balance equation derived from the Boltzmann equation,in which the electron interactions with both the remote and background impurities are taken into account in an InAlAs/InGaAs heterojunction at low-temperatures. 相似文献
13.
A systematic theoretical approach is developed to study the electronic and transport properties of a twodimensional electron gas (2DEG) in the presence of spin-orbit interactions induced by the Rashba effect. The standard random-phase approximation is employed to calculate the screening length caused by electron-electron interaction in different transition channels. The quantum and transport mobilities in different spin branches are evaluated using the momentum-balance equation derived from the Boltzmann equation,in which the electron interactions with both the remote and background impurities are taken into account in an InAlAs/InGaAs heterojunction at low-temperatures. 相似文献
14.
Tang Ning Shen Bo Wang Maojun Yang Zhijian Xu Ke Zhang Guoyi Gui Yongsheng Zhu Bo Guo Shaoling Chu Junhao 《半导体学报》2006,27(2):235-238
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率. 相似文献
15.
16.
利用递归格林函数法研究了含Rashba自旋轨道耦合效应的具有Stubs结构的量子波导中电子的自旋极化传输特性.结果表明在含一个stub的量子波导系统中, 由于stub和Rashba自旋轨道耦合引起的势阱导致系统电导出现Fano共振形式的“山谷”和“针尖”结构, 通过改变自旋轨道耦合的强度可以调节它们的大小. 同时,在同样的位置自旋极化率也出现Fano共振或反共振结构. 当系统中出现多个周期性的stubs时, 在Fano共振点附近电导中出现一些小的带隙结构.但是,当系统加上磁场后, stubs和自旋轨道耦合带来的效应都被抑制, 系统的电导重新出现量子化台阶结构. 同时由于子带间干涉效应变小, 自旋电导也出现台阶结构. 相似文献
17.
利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的C1s精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的苝环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C=O键和C-O-C键的结合能分别为531.5和533.4eV.在界面处,C1s谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;O1s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的苝环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100~300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC-DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的苝环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因. 相似文献
18.
G.A. Umana-Membreno T.B. FehlbergS. Kolluri D.F. BrownG. Parish B.D. NenerS. Keller U.K. MishraL. Faraone 《Microelectronic Engineering》2011,88(7):1079-1082
In this work, we present results of a study of anisotropic two-dimensional electron gas (2DEG) transport in N-polar GaN/AlGaN heterostructures grown on slightly mis-oriented sapphire substrates. High-resolution mobility spectrum analysis of magnetic-field dependent Hall-effect and resistivity indicate an isotropic 2DEG sheet carrier density, yet significant anisotropy was observed in carrier mobility. A single electron species with a narrow mobility distribution was found to be responsible for conduction parallel to the multi-atomic steps resulting from growth on the vicinal substrates; whilst in the perpendicular direction two distinct electrons peaks are evident at T ? 150 K, which merge near room temperature. The linewidth of the mobility distributions for transport in the perpendicular direction was found to be significantly broader than that of the single electron in the parallel direction. The broader mobility distribution and the lower average mobility for the 2DEG in the perpendicular direction are attributable to interface roughness scattering associated with the GaN/AlGaN interfacial steps. 相似文献
19.
The absorption of two-dimensional electrons in InSb-based quantum wells in the quantized magnetic fields in the terahertz
spectral region are studied. A p-Ge-based cyclotron laser was used as the radiation source. The effective mass of carriers at the Fermi level equal to 0.0219m
0 (m
0 is the mass of a free electron) is determined from the cyclotron resonance spectra. It is shown that the electron spectrum
is described by the Kane model in a wide range of magnetic fields. An anomalously pronounced splitting of the cyclotron resonance
line not associated with the nonparabolicity of the conduction band of InAs is observed in low magnetic fields, which can
be attributed to the effect of the spin-orbit interaction. 相似文献
20.
Low-field quantum magnetoresistance of two-dimensional electron gas at the In0.53Ga0.47As/InP interface was studied in the persistent photoconductivity state. The sign-alternating property of the dependences of the magnetoresistance on the magnetic field indicates that the spin-orbit interaction affects the quantum well conductivity. The mechanism caused by the electric field built in at the interface was shown to contribute dominantly to the spin-orbit scattering frequency 1/τso. This is the Rashba mechanism, which is linear in the electron wave vector. These data allowed us to estimate the parameters of spin-orbit splitting of the energy spectrum as α=(84±10) Å2 (by the Rashba mechanism) and γ=(73±5) eV Å3 (by the Dyakonov-Perel and Dresselhaus mechanisms). 相似文献