离子注入装备发展趋势

简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。     

集成电路离子注入机发展现状与趋势

离子注入机是集成电路制造的核心装备之一,本文重点介绍了当前集成电路领域离子注入机的分类和基本性能参数,描述了其系统组成以及相关的关键技术;同时,基于集成电路发展趋势,分析了集成电路离子注入机的发展趋势.     

等离子体浸没离子注入技术与设备研究

基于传统束线离子注入在制造器件源漏超浅结时面临的挑战,介绍了一种新的超浅结的制造方法--等离子体浸没离子注入技术,总结了该技术在制造超浅结时的优点,阐述了放电方式、线圈结构、偏压电源等系统核心部件的设计,自行设计并搭建了等离子体浸没离子注入系统.采用ESPion高级朗缪尔探针测试和计算流体力学模拟方法对比研究了等离子体的特性,结果显示,在一定功率范围内等离子体密度随放电功率增加类似线性地增加;采用二次离子质谱仪对B和P的注入样片进行深度剖析,给出了偏压为-500V时B和P的注入深度分布曲线,表明注入时间既影响注入剂量,又影响峰值的位置和注入深度.     

蚀刻设备的现状与发展趋势

概述了蚀刻技术与设备的现状,针对32nm技术节点器件制程对蚀刻设备在双重图形蚀刻、高k/金属栅材料、金属硬掩膜及进入后摩尔时代三维封装的通孔硅技术(TSV)方面挑战,介绍了蚀刻设备的发展趋势。     

化学机械抛光技术现状与发展趋势

概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

离子注入浅结制备技术

根据近年来的文献资料总结报道几种离子注入浅结制备技术，即：大角度偏转注入、分子离子注入、双离子注入，通过介质掩膜注入，注入固体源驱入扩散再分布、等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）和反冲离子注入等。     

离子束辅助低能碳离子注入工艺原理

离子束辅助低能碳离子注入是在低能含碳离子束轰击样品表面并沉积膜层的同时采用中能离子束辅助轰击注入，它可在低温下将碳离子注入到样品表层足够的深度，其注入深度比动态离子束混合(DIM)增加1～2倍。离子束流实行交替变化，有利于保持较低的样品基体温度，且比恒束流注入的深度有明显增加。它对材料表面改性效果明显优于DIM工艺，离子注入改性后，40Cr钢表面显微硬度HV可提高一倍左右。     

离子注入技术的发展及其应用

简述了离子注入技术的发展趋势及典型应用,并简要分析了该领域的技术发展方向。     

离子注入技术与设备常见故障分析

介绍了离子注入技术的特点及其原理,在分析介绍其设备种类的基础上,简要概述了离子注入设备的基本结构,详细分析了影响注入工艺的各种因素,根据多年的设备维护经验,总结归纳了离子注入机的常见故障,并提出了各种故障的处理措施.     

电力电子器件的发展现状和技术对策

叙述了电力电子器件的发展现状、主要技术和应用状况，并讨论了今后的发展方向。     

授权管理技术的现状和发展趋势

该文针对以特权管理基础设施PMI为代表的授权管理技术的概念、基本组成及系统框架等做了简要的介绍,并详细探讨了其技术特点,以及与PKI的关系;最后在总结国内外研究应用现状的基础上,对其未来发展趋势做了简要的分析。     

红外图像处理技术现状及发展趋势

红外热成像系统因其成像波长较长,导致了红外图像存在噪声大、对比度低、非均匀性大、空间分辨力差等缺陷,为克服这些缺陷,自红外热成像技术诞生之初,红外探测器材料、制造工艺和成像电子学组件的研究便成为三大热点研究方向。在当前电子学硬件平台趋于完善的条件下,先进的红外图像处理技术能够有效地提高红外成像系统的性能及其应用效果,受到了世界各国科技工作者的广泛关注,各种研究成果不断涌现。本文从提高红外图像的温度分辨能力出发,重点对非均匀性校正技术、图像细节增强技术的研究现状进行了总结,并对红外图像处理技术的发展趋势进行了展望。     

现代通信新技术发展现状及趋势

本文论述了现代通信的发展现状,所采用的最新技术及其发展趋势,重点介绍通信网中“三网”现状和趋势、宽带网核心技术（ATM与IP）、宽带接入技术、第三代移动通信、蓝牙、超宽带等。