CMP设备市场及技术现状

综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状，给出了向Φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。     

CMP设备市场及技术现状

综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状,给出了向φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标.     

65 nm技术节点的CMP技术

概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战,给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。     

全球半导体制造设备市场啥风景

市场发生波动１９９８年世界半导体制造设备市场,因受半导体厂家投资热降温的影响而下降。１９９９年以后投资重点将转向３００ｍｍ晶片,情况好转,当然,究竟如何还得看世界整个经济的发展。回顾１９９７年,世界半导体制造设备市场约为２４４亿美元,比上年增长５．２％。当年北美市场为７５亿美元,增长１５％;欧洲市场２９亿美元,增长３,５％;韩国市场２４亿美元,减少１１％;中国台湾市场３３亿美元;增长３３％,日本市场６９亿美元．减少５％。１９９８年由于ＤＲＡＭ生产厂家业绩下降和受金融危机影响,日朝厂家投资缩减,各…     

化学机械抛光设备与市场

介绍了目前国外对应于90～65nmCMP设备开发现状及各公司的设备特点,给出了各公司代表性产品的技术性能和全球CMP设备市场概况。     

富士通在65nm及90nnl工艺300mm晶圆上应用自主开发的CMP模拟器

富士通研究所和富士通（以下称富士通）自主开发出了模拟LSI布线平坦化工序的CMP（chemi—cal mechanical planarization）模拟器。该模拟器2007年4月开始在富士通LSI制造现场用于检查和改进300mm晶圆的90nm和65nm工艺数据。[第一段]     

铜互连CMP碟形缺陷及铜残留的研究

随着器件的特征尺寸越来越小,集成良越来越高,超大规模集成电路（ULSI）中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而产生了严重的电迁移现象,同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟（RC Delay）也不断恶化,这些都大大影响了器件的性能。传统的铝互连工艺因不能满足器件要求也逐渐被铜互连工艺取代。     

化学机械抛光技术现状与发展趋势

概述了ITRS对铜互连工艺提出的要求及90～65nmCMP技术所面临的挑战,介绍了W熏STI熏Cu/低k材料CMP及其清洗和终点检测技术的发展现状,最后讨论了CMP技术的一些发展趋势。     

CMP/Post CMP工艺及其设备

对CMP市场、Cu-CMP、低k-CMP、STI-CMP、W-CMP和PostCMP工艺及其设备进行了论述;并介绍了CMP所要求的研磨膏和研磨垫。     

CMP系统技术与市场

概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。     

CMP设备控制软件的模块规划及可视化技术

CMP(Chemical Mechanical Polishing)设备是半导体集成电路(IC)制造中的关键设备,CMP设备控制软件的开发是CMP设备研发的关键技术之一。针对三工位CMP机床,自行设计开发了具有抛光压力在线监控、真空吸盘的真空度实时监测、抛光头及抛光盘变频电机转速和转向控制以及机床动作控制等功能的设备监控系统。采用面向对象的方法,给出了监控系统软件模块的划分方法,并对控制功能模块进行了类的封装,重点介绍了多视图通讯的实现以及利用OpenGL实现软件可视化的CMP软件开发关键技术。     

2003年世界半导体设备市场分析

讨论了2003年世界半导体市场和世界半导体设备市场。2003年两大市场都将真正复苏。     

半导体设备与工艺技术的现状及新技术

简要介绍了半导体的有关工艺技术和生产设备的发展动向。首先对光刻技术、干蚀刻技术、清洗技术、氧化?扩散技术、快速高温处理(RTP)技术、离子注入技术、化学气相沉积(CVD)技术、物理气相沉积(PVD)技术以及化学机械研磨(CMP)技术等分别加以介绍,然后对未来的发展动向提出一些建议。     

化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析.由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效.必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求.     

当前IC的工艺与技术新动向

介绍了当前IC几项新工艺、新技术的发展动向 ,包括设计尺寸微细化工艺、30 0mm圆片工艺、铜互连技术、无铅工艺和嵌入式技术。