一种新的电子束曝光机中间图形及其数据格式

在一种新的电子束曝光机二次曲线单元图的基础上定义了一种中间图形数据格式。该数据格式是为了将版图制造业标准数据格式转换为电子束曝光机专用数据格式服务的。它采用Niklans Wirth的表示方法进行定义，消除了二义性。经过实验性的程序验证，它不仅能很好地解决版图制造业标准数据格式不支持二次曲线的问题，而且图形设计人员可以直接以该数据作为标准，进行曝光图形的设计与存储。该数据格式的出现，为二次曲线单元图形在电子束曝光技术中的广泛应用奠定了良好的基础。     

电子束曝光数据格式的改进设计与实现

根据中国科学院电工研究所研制的DY-2000型实用化电子束曝光系统对曝光图形数据格式的要求及用户的需要,对原曝光文件格式(EDF)进行了改进,利用VC++6.0开发环境实现了EDF格式文件的图形创建、结构体引用以及文件保存,同时增加了多层图形套刻和邻近效应修正数据处理的功能。实验结果表明,改进后的电子束曝光图形文件格式可满足用户的需求,便于用户新建版图文件,同时也提高了文件传输速度及曝光的效率。     

纳米级电子束曝光机用图形发生器

为满足纳米级电子束曝光系统的要求，设计了高速图形发生器。该图形发生器包括硬件和软件两部分。硬件方面主要是利用高性能数字信号处理器(DSP)将要曝光的单元图形拆分成线条和点，然后通过优化设计的数模转换电路，将数字量转化成高精度的模拟量，驱动扫描电镜的偏转器，实现电子束的扫描。通过图形发生器还可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台和激光干涉仪，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件可以新建或导入通用格式的曝光图形，进行曝光参数设置、图形修正、图形分割、临近效应修正等工作，完成曝光图形的准备。结果表明，该图形发生器能够与整个纳米级电子束曝光系统协调工作，刻画出纳米级的图形。     

基于电子束光刻的LIGA技术研究

提出了基于电子束的LIGA(Lithographie，Galvanoformung，Abformung)技术新概念。根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析，并在SDS—2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验，得出了能量／刻蚀深度关系曲线。用5keV、30keV两种能量的电子束，通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验，得出了曝光剂量—刻蚀深度关系曲线。实验结果表明，增大电子束能量或增强曝光剂量，就可以增大刻蚀深度，证明了基于电子束光刻的LIGA技术不但是可行的，而且更易于加工各种带曲率的微器件。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

电子束曝光中低能电子散射的模拟

介绍了Pendry弹性散射截面,描述了电子在固体中的散射过程,包括散射步长、散射角、方位角和散射点处能量的确定,并将Pendry截面和Monte Carlo计算方法应用到电子散射过程中。分别改变入射电子束能量、抗蚀剂厚度和衬底材料,模拟了能量不超过5keV的低能电子束在PMMA抗蚀剂中的散射轨迹。模拟结果表明,低能电子束曝光同样可应用于较高分辨率的表面成像技术工艺。通过对模拟结果和电子束曝光实验比较分析,可以进一步完善散射模型,为更深入开展电子束曝光技术的应用研究创造有利条件,同时也为开发低成本的低能电子束曝光系统提供了理论依据。     

集成电路与半导体器件制造中的电子束曝光技术

本文叙述了国际上电子束曝光技术的发展趋势,分析了我国电子束曝光技术的发展现状,回顾了电子部四十八所电子束曝光技术的进展及其在微电子器件制造中成功的应用。     

基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计

基于扫描电镜(SEM)的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求。在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光。从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计。     

基于SEM纳米级电子束曝光机的快速束闸设计

基于扫描电镜(SEM)的纳米级电子束曝光系统能够以较低成本满足科研单位对纳米加工设备的需求.在电子束曝光系统中,需要快速束闸控制电子束通断以实现纳米图像的多场曝光.从安装位置、机械结构和驱动器等方面讨论快速束闸的设计.     

DY2001A型电子束曝光机软件系统设计

DY2001A型电子束曝光机是作为实用化的小型曝光系统而研制的。从设计角度详细阐述了DY2001A型电子束曝光机软件系统的构成，包括数据转换、对准校正套刻、硬件系统控制、曝光控制及数据建立和管理。     

电磁复合场三级几何像差方程的修正与像差系数

本文基于作者提出的“函数逼近的数值迭代概念”，修正了电磁复合场中电子成像系统的三级几何像差方程式，给出了具有更高精度的像差计算公式和用集中参数形式描述的像差系数表达式，为像差的数值计算和电子光学系统的计算机优化设计提供了实用的理论依据。     

毫米波带状注电子枪的设计方法

利用理论分析和仿真模拟相结合的方法对带状电子注的产生进行了系统的研究,并提出了一种带状注电子枪的设计方法.首先通过理论分析,提出了一种计算带状注电子枪结构参数的迭代算法,即根据注电压、注电流、电子注注腰处半厚度、阴极半厚度和阴极宽度,计算出带状注电子枪的阴极柱面半径、阴阳极间距、阳极柱面半径和射程等主要参数;在此基础上,通过仿真模拟,为毫米波真空电子器件设计了一种带状注电子枪.     

激光诱导Ni等离子体电子温度与电子密度的时空演化特性研究

在实验上通过测定原子谱线的相对强度和Stark加宽、线移,计算了激光诱导Ni等离子体的电子温度和电子密度,通过改变光谱信号与激光脉冲之间的延迟时间及移动成像透镜的位置,研究电子密度和温度这两个重要参数与延时、空间位置之间的关系。实验结果表明：电子温度及电子密度与延时、空间位置密切相关,在时间分辨中,等离子体的电子温度和电子密度与延迟时间都成指数衰减;在空间分辨中,电子温度和电子密度与距靶面空间距离都呈Lorentz线型。     

电子管石墨阳极

石墨具有优良的高温热性能和极好的真空性能,因此在电真空器件制造中获得了广泛应用;用作内辐射阳极更有突出的优点。本文将多年来在电子管制造中应用石墨的经验及有关知识作一总结和介绍,供同专业技术人员交流及讨论。     

低能电子束照射电介质样品的二次电子特性简

 为阐明低能电子束照射下电介质样品的二次电子电流及产额的动态特性,将蒙特卡洛法和有限差分法相结合,建立了较为准确的电子散射、俘获、输运和自洽场等过程的数值计算模型;采用一个改进二次电子检测实验平台,准确测量了二次电子电流.模拟和实验结果表明,相对于电子束脉冲照射模式,电子束连续照射会导致二次电子产额明显降低.在连续照射模式下,随着电子束照射,二次电子电流和产额逐渐减小至一个稳定值.二次电子产额受入射电子束电流的影响较小,但随样品厚度的增大而增大.本文结果为提高扫描电镜成像质量、降低带电效应提供了理论指导,而且提供了依据二次电子特性研究样品参数的新思路.     

利用增强等离子体谱线反演高精度电子密度

提出了一种基于非相干散射雷达(incoherent scatter radar,ISR)等离子体谱线提取高精度电子密度的方法.以欧洲非相干散射雷达科学联合会(European Incoherent Scatter Scientific Association,EISCAT)在2015年10月31日14:00—14:09...     

电子显微镜中的康普顿散射

在电子显微镜中,通过记录大角非弹性散射电子能量损失谱来研究固体材料基态电子动量密度分布的方法,称为固体的电子康普顿散射技术(electron Compton scattering from solids,ECOSS)。利用该技术得到的康普顿轮廓的动量分辨率可以达到从同步辐射光源上得到的康普顿轮廓的动量分辨率水平;而其非常短的收集时间,使利用康普顿散射对固体材料电子动量密度的系统研究成为可能。本文简要介绍了该技术的背景、实验方法、理论基础,研究进展和应用。     

双壁碳纳米管的电子显微学研究

本文分析研究了甲酸镍二水合物作为催化剂前驱体,多壁管为原料,采用氢电弧放电法制得的双壁碳纳米管样品中不同管壁数目碳纳米管的分布及双壁碳管直径分布,发现样品中单壁和双壁碳管占主要地位,双壁管的内径主要分布在1.67 nm～3.67 nm之间,外径主要分布在2.33 nm～4.33 nm之间.此外,精确测定了三个双壁碳纳米管的螺旋指数,分别为[(28,3)(29,17)],[(19,8)(29,6)]及[(23,15)(28,22)],其电学性能分别为[半导体性,金属性],[半导体性,半导体性]及[半导体性,金属性].同时,观察了在不同条件下的电子辐照效应.结果表明,经辐照碳管的最内层管壁先发生断裂,其形变速度逐渐变慢,单根碳管易依附于大块物质.在相同的辐照条件下,管壁数目越多碳管越稳定.当管壁数目相同时,直径小的管比直径大的管稳定.高加速电压能够加速碳管的变形.     

光电对抗新技术的应用与展望

综述光电对抗基本特征 ,论述其在现代战争中的地位 ,从电子战的角度论述光电对抗新技术在现代防空作战中的应用。最后指出发展光电对抗技术的趋势以及我军应注意的几个发展方向。     

高精度测量电子全息中的位相变化

本文好一种能够高精度测量电子全处民位相变化的新方法。