现代半导体研制的内建可靠性方法

为满足半导体技术的高速发展与进步的要求以及客户对产品的性能、服务、运送、质量及可靠性等方面的期望，我们有必要尽早地把有缺陷的产品从生产线上鉴别出来，并采用更为有效的方法来开发、验证及监控工艺过程。传统的测试式可靠性方法，主要在生产线末端通过老化、品质管理、可靠性测试和失效分析等手段来鉴别或评估可靠性失效率，由于其测试周期长，已不再适用于现代半导体工业。内建可靠性方法正好相反，它具有迅速反馈、早期预警和循环控制等优点。对半导体制造业来说，内建可靠性方法由两大部分组成：圆片级可靠性系统和内建可靠性数据库。我们已经成功地运用此方法完成了从0.35-0.13μm技术的产品可靠性认证和工艺监控。     

一种基于最小路径的通信网络可靠性分析

介绍了通信网络可靠性研究的现状，然后，从网络最小路径的角度出发，在考虑网络延时的基础上，建立了可靠性评估模型，并分析了通信网络的可靠性性能。最后，通过模拟计算，得到了针对给定网络的网络延时条件的范围，以及分析了计算结果与网络可靠性评价的相关关系。     

电力系统安全性与可靠性分析

电力资源是非常重要的能源,对经济发展起着重大的促进作用。电力系统的安全性与可靠性依赖于电力企业或电力设施的性能可靠性。文章从专业可靠性工程角度,介绍电力系统可靠性与安全性之间的独特联系,保障供电系统和设施的安全运行。     

环氧模塑料可靠性试验失败原因的分析

造成集成电路可靠性失败的原因很多，本文仅从环氧模塑料的角度分析了造成集成电路，特别是表面安装电路可靠性失败的原因，并从环氧模塑料的组成及性能对如何提高表面安装型集成电路的可靠性方面进行了研讨。     

微机测控系统中元器件的可靠性与选择

元器件可靠性是使用电子元器件进行电路设计及软件编程的基础，而在系统设计时，元器件性能的好坏与稳定性将直接影响到整个系统的性能和可靠性。文中主要对微机测控系统中的元器件可靠性进行了分析，并详细阐述了影响元器件可靠性的原因和机理，最后讨论了提高元器件可靠性的一些原则措施。     

电子设备的可靠性及其预计

从可靠性问题的起源着手，论述了国内外可靠性现状，以及可靠性设计，预计的概念和方法，并举例说明可靠性预计在不同工作阶段采用不同预计方法所预计的可靠性指标的差异，旨在引起工程设计师们提高可靠性意识，正确进行了可靠性设计和预计，从而实现对电子设备可靠性的定量控制，提高产品质量，为我国的政治、军事，经济及人民生命财产安全做更大贡献。     

环氧模塑料可靠性试验失败原因的分析

造成集成电路可靠性失败的原因很多，本文仅从环氧模塑料的角度分析了造成集成电路，特别是表面安装型电路可靠性失败的原因，并从环氧模塑料的组成及性能对如何提高表面安装型集成电路的可靠性方面进行了研讨。     

自动交换光网络SCN性能和可靠性规划

自动交换光网络连接的恢复性能、可靠性依赖于信令通信网络(SCN)的性能和可靠性，本文分析了SCN的网络性能、端对端时延特性和可靠性，得出影响自动交换光网络路由信令性能和可靠性的一些关键因素，提出了基于连接恢复性能的SCN规划方案和基于单链路失效无故障恢复的SCN和网络规划方案，性能规划方案可估计端对端连接恢复的时间范围，可靠性规划方案可解决单链路失效连接无故障恢复问题，并能提高路由广播效率．     

真空开关在配电自动化系统中的开断性能及可靠性要求

架空配电系统和柱上真空开关在世界范围内广泛应用。这主要是因为配电系统和开关都具有经济，可靠和可维修等特点。从配电自动化方面来看，开关的开断性能及可靠性是至关重要的。然而配电线路中的性能和可靠性却没有认真的研究过。为了搞清楚在现代化配电系统中使用的开关之功用，本文作者对上述的开断性能和瞬态恢复电压，做了调查研究。如上所述，真空开关已证明是配电系统中的最佳电器装置。     

使用维修与电子设备的可靠性

电子设备的可靠性，一般分为固有可靠性和使用可靠性，固有可靠性是由设计、生产和工艺决定的，而使用可靠性是由固有可靠性和使用条件共同决定的．使用维修对固有可靠性的影响主要与两方面有关．一是要有一批具有现代化理论并掌握一定维修技能的高级使用维修人员，使经验维修能上升到理论维修．二是要有一套性能先进、使用方便的检测设备．本文通过大量使用维修中发现的问题．就元件质量对机载电子设备可靠性的影响谈了我们自己的看法，并提出了元件质量的好坏是设备可靠性的关键．最后，本文还从使用维修的角度对电子设备的可靠性设计提出了一些切实可行的方法．     

PFWM120的设计与可靠性研究

本文介绍为朗讯ＯＴＵＬ－１４０系统设计的一种高性能，高可靠性的１４０Ｍｂｉｔ／ｓ ＰＩＮ－ＦＥＴ组件的设计以及对组件进行严格的可靠性试验。试验表明，该组件具有无需调试，灵敏度好，性能稳定，适于量产等优点。     

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。     

星载合成孔径雷达的可靠性设计

阐述了星载合成孔径雷达的可靠性建模、可靠性指标分配和可靠性预计的方法，明确了星载合成孔径雷达的降额设计、热设计、冗余设计、结构设计、软件设计、接口设计、抗干扰设计、环境适应性设计等可靠性设计要求，从而保证了产品可靠性指标的实现。     

Reliability theory for multistate systems with multistate components

An important problem in reliability theory is to determine the reliability of a complex system given the reliabilities of its components. In real life the system and its components are capable of being in a whole range of states, varying from a perfect functioning state to states related to various levels of performance degradation to complete failure. Thus, the binary models are an oversimplification of the actual reality. This paper presents models and their applications in terms of reliability analysis to situations where the system can have whole range of states and all its components can also have whole range of multiple states. The system generally has various levels of operational performance and hence the total system effectiveness measures should reflect all of these performance levels and their reliabilities. The methodology presented is illustrated by a simple example.     

X-ray lithography induced radiation damage in CMOS and bipolar devices

Radiation effects from a synchroton x-ray lithography source on the performance degradation and long term reliability of high performance self-aligned bipolar devices and deep sub-micron CMOS devices are studied. The hot-carrier properties of the x-ray induced damage in CMOS devices, such as interface states, positive oxide charges and neutral traps have been examined. The effect of these radiation induced defects and their impact on the DRAM circuits in terms of the performance and reliability are discussed. In the self-aligned, double polysilicon bipolar transistor structure interface states and trapped charges can be generated by the radiation source in the sidewall oxide near the emitter-base junction such damage can increase the emitter-base leakage current. This increase of base current can substantially degrade the device current gain at low bias.     

CMOS数字电路抗热载流子研究

介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些搞热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。     

Real‐time reliability test for a CPV module based on a power degradation model

Models based on degradation are powerful and useful tools to evaluate the reliability of those devices in which failure happens because of degradation in the performance parameters. This paper presents a procedure for assessing the reliability of concentrator photovoltaic (CPV) modules operating outdoors in real‐time conditions. With this model, the main reliability functions are predicted. This model has been applied to a real case with a module composed of GaAs single‐junction solar cells and total internal reflection (TIR) optics. Copyright © 2010 John Wiley & Sons, Ltd.     

残留物与PCBA的可靠性

介绍了印制电路板组件(PCBA)表面残留物的主要来源及其分析方法，并分析了残留物对PCBA可靠性的影响，提出了如何控制残留物和保证PCBA可靠性的措施与方法。     

VXI总线多弹头测速模块的可靠性研究

针对VXI总线多弹头测速模块工程化的需求,在对该模块的硬件原理及功能进行分析的基础上,建立了该模块的可靠性框图及数学模型。采用应力分析法对数学模型做出定量的预测并设计了可靠性摸底试验方案,验证结果表明,所研制模块的性能指标达到了工程化要求。     

便携式防空导弹武器系统可靠性分析与设计

可靠性是衡量武器系统性能的一项重要指标,也是影响系统效能的重要因素.在阐述可靠性及可靠性模型等基本概念的基础上,建立便携式防空导弹武器系统的可靠性模型,从可靠性设计的具体要求出发,结合便携式防空导弹武器系统组成及使用特点,提出了系统可靠性的量化评估模型和提高系统可靠性的设计方法,对提高便携式防空导弹武器系统可靠性和系统...