14MeV中子穿透船238U板状样品评价中子核数据的基准检验

U作为一种重要的核材料,其评价中子核数据的基准检验极其重要。在中国原予能科学研究院的600kV高压倍加器上,通过T（d,n）反应提供的14MeV单能脉冲中子源,利用飞行时间法,测量了板状238U样品的40°和50°泄漏中子能谱,得到的实验结果与模拟结果进行了初步比较。     

基于CdZnTe探测器的低能γ射线16通道探测系统

结合小尺寸CdZnTe半导体探测器,针对低能γ射线,设计了结构紧凑的低噪声16路核电子学阵列探测系统,结合了系统的工作原理和测试结果。常温下,对241Am的59．5keVγ射线,每个探测通道总噪声大约为8．9keV（FWHM）,计数能力约为9×10^4／s。     

元件溶解液中93Nbm和94Nb的放化分析

94Nb是长寿命（T1/2：2．03×10^4a）β-γ核素,通过天然同位素93Nb的中子活化产生。93Nbm（T1/2=16．13a）有多种生成方式,最主要的两种方式是93Zr的衰变和93Nb的中子散射反应。在反应堆材料中,常添加少量的Nb,用于改善材料的性能。     

光中子源的优化设计

文章研究了基于9MeV电子加速器的光中子源的优化设计问题,提出了使X射线最有效地转换为中子的光中子转换靶的最优形状。利用蒙卡程序MCNP5设计了体积为20L的重水光中子转换靶,当加速器的平均电流为100μA时,中子产额可达2.3×10^11n／s。通过增加特定形状的石墨反射层使更多的中子向前发射,正前方10m处中子注量率可达8.55×10^4n／（cm^2·s）。文中还计算了出射中子的能谱、空间分布和时间特性。     

151Sm半衰期及其γ射线强度测定

151Sm为裂变产物核素,有较高的裂变产额。本工作开展对151Sm半衰期的精确测定。151Sm利用反应堆照射通过150Sm（n,γ）反应得到。照射后经过冷却后利用热电离质谱对151Sm／150Sm原子比进行了测定,测定结果为151Sm／150Sm原子比=（3．750±0．002）×10^-3.     

裂变产物核136Sn原子数的γ能谱法测定

裂变产物136Sn是一种长寿命纯β放射性核素,半衰期为（2．35±0．07）×10^5a。该核素是核工程对环境长期污染的重要指示核素,对于它的超高灵敏测量将为监测环境中的核污染提供重要的信息。     

冷中子导管模拟和参数优化计算

根据冷中子源及后续中子导管的布局参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了冷中子导管C3出口处中子柬均匀性、准直性及注量率等数据。优化表明：a）冷源与后续导管入口间距离应尽可能短;b）中子注量率及发散度均随导管超镜因子m值增大,m值由1．5增至3．0,其Y方向发散度增大24％,注量率提高61％;c）垂直于导管弯曲面方向的发散可以用高斯分布来描述,而导管偏转方向则呈条纹状发散;d）在m=1．5、冷源与堆内导管入口距离为2．29m情况下,束流垂直发散宽度为O．86°,中子注量率为2．44×10^2cm^-2．S^-1。     

双羟基脲与Np（Ⅳ）络合常数的测定

应用分光光度法和溶剂萃取法研究了硝酸溶液中双羟基脲（DHU）与Np（Ⅳ）的配位行为。图1为加入不同浓度DHU后Np（Ⅳ）的HN03溶液在650～1000nm范围内吸收光谱的变化，根据Np（IV）在960n／n处吸光度随DHU加入量的线性变化关系，求得配合物一级累积稳定常数为r1．20±0．30）×10^8。     

磁轭上剥离靶安装孔对磁场影响的模拟计算

根据CYCIAE一100束流剥离靶系统要求：在主磁铁的磁轭上开两个φ30mm的孔用于安装束流剥离靶，孔的角度位置分别为59．4°和239．4°，偏离加速器中心9．6°的位置处。根据磁路定理，磁轭上开孔将影响磁极中心平面的磁场分布。考虑到主磁铁中心平面磁场的对称性，现有下列3种方案可供考虑：1）按照剥离靶系统的要求，分别在59．4°和239．4°的位置处各开1个孔.     

表面线圈垫补二极铁磁场均匀性

高分辨率的离子质谱计要求分析磁铁具有很高的磁场均匀性。串列加速器升级工程ISOL要求质量分辨率20000,分析磁铁均匀性好于1×10^-5。现有的机加工和装配水平磁铁均匀性只能做到±1．5×10^-4,磁铁加工完成后还需对磁铁进行垫补。本文采用表面线圈（图1）的方法对现有的1块C型二极铁进行垫补。     

中子辐照下钼的低温热激活变形和辐照软化

本文对退火和应力释放两种热处理中,钼在低温变形条件下的中子辐照效应进行了研究。样品在高通量同位素反应堆的冷却剂温度下进行辐照,剂量在7．2×10^-5-0．28dpa（单个原子的辐照损伤位移）之间。拉伸测试在-50～100℃下进行,应变速度为1×10^-5～1×10^-2s^-1。基于拉伸测试数据的热激活分析被用来研究低温变形机理。退火后的钼在低剂量辐照后,出现辐照软化效应以及屈服应力对测试温度和应变速率的依赖性降低的现象。高剂量的中子辐照只会引起冷硬化。应力释放的钼与测试温度和屈服应力的应变速度的依赖性要弱于退火后的钼,而且其在辐照前后的屈服应力基本不变。激活参数实验值与位错模型的理论预测比较表明：四方应变位错反应的弗舍尔模型预测了清除作用,与双纽模型相比较,其对激活过程进行了更好的描述。辐射与测试温度及应变速率之间不断减弱的依赖关系可以用因中子辐照造成的间隙溶质的俘获作用而引起有效应力的降低来解释。     

二甲基羟胺存在下四价钚的反萃动力学

用恒界面池法实验考察了DMHAN／H_N03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系中Pu（Ⅳ）的反萃动力学。实验结果表明：在选定实验条件（转速295r／min,温度18．8℃,钚浓度1．30×10^-6～1．30×10^-4mol／L）下,DMHAN／HN03／TBP-煤油-Pu（Ⅳ）体系q~Pu（IV）的反萃属于扩散控制。     

解读普京“宏大的”战略力量现代化计划

美国核军工管理局（NNSA）与美国高性能计算机供应商Appro公司签署了一份订购合同。根据该合同，Appro将向美国三大核武器实验室（劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、洛斯·阿拉莫斯国家实验室和桑迪亚国家实验室）交付并整合下一代高性能计算机系统。     

k0-NAA中子活化分析方法在HANARO研究堆NAA3号辐照孔道的应用

韩国原子能研究院（KAERI）30MW的HANARO研究堆,其堆内中子活化分析辐照孔道NAA3号的热中子注量率为1．26×10^14cm^-2·s^-1,可用作基于临界增殖系数％的中子活化分析（k0-NAA）。本工作的目的是：①通过确定该中子活化分析方法所需要的中子谱参数来描述NAA3号辐照孔道;②通过建立探测效率曲线来标定Y射线能谱仪系统;③通过分析6种认证参考物来评定k0-NAA中子活化分析方法的性能,其中3种为天然生物物料,另3种为环境物料。从获得的结果可以看出,对生物样品和环境样品采用k0-NAA方法,可以分别定量确定多达25或35种元素。已确定元素的实验值与认证值之间的偏差通常在12％以内,大部分考虑不确定度后实验值与认证参考值的估计偏差（u-score）值低于2。结果证明：HANARO研究堆上实施的k0-NAA中子活化分析方法适用于生物样品和环境样品的多元素分析,具有较高的分析精度,而且k0-NAA中子活化分析方法还可进一步获得实际应用。     

222Rn-220Rn分辨探测器的刻度与比对

为了保证测量质量,采用实验室新改进的^222Rn-^220Rn分辨探测器在南华大学氡实验室进行了刻度,并参加了日本NIRS组织的国际比对。结果显示,^222Rn-^220Rn暴露量与径迹密度之间有很好的线性关系,相关系数分别是0．9894、0．9885;^222Rn、^220Rn刻度因子分别为4．27±0．40Tacks cm^-2（kBq.m^-3．h）^-1、2．33±0．39 Tracks cm^-2（kBq·m^-3．h）^-1。纯^222Rn条件,测量值与NIRS提供的参考值的相对百分偏差（RPD）和变异系数（COV）分别为12％、7．7％,达到了英国NRPB规定的B级水平,在美国EPA规定的可接受的控制限之内;高^220Rn条件,^220Rn测量值的RPD和COV分别为22％、4．8％。有关^220Rn测量偏差偏高的原因有待进一步探讨。     

中子束流第一狭缝调整装置设计

中子衍射测量残余应力通过控制样品前后两个精密狭缝装置来限定入射、出射中子束流的大小（入射和出射束流交叉部分限定了样品内部标样体积的大小）,达到精确测定样品所取标样体积内部的平均应变、应力大小,标样体积最小可至1mm×1mm×mm。     

0.70～2.48 MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。     

79Se-AMS示踪研究亚毒性剂量亚硒酸钠摄入的硒代谢

长寿命放射性核素79Se的半衰期长达2．8×10^5a，其放射性比活度（单个原子的活度）约1×10^-14Bq。79Se衰变时仅放射出能量为150．7keY纯β射线，对生物组织甚至细胞的辐射损伤远小于75Se，而79Se的加速器质谱测量方法（795e—AMS）具有灵敏度高、相对测量准确性高以及测量精度高等特点，因而适合于长周期、无损伤的生物示踪研究。     

2001年5SDH—2串列加速器运行状况

5SDH-2串列加速器自1996年引进以来已运行5年,加速器的运行和维护正常,在器上完成了相关的实验科研任务。 2001年,5SDH-2串列加速器运行情况如下。 1）为参加国际电离咨询委员会组织的国际比对,在本加速器上用以下核反应产生相关能量的中子:T（p,n）3He反应产生1.2MeV中子:7Li（p,n）反应产生565keV中子;D（d,n）3He反应产生5MeV中子:T（d,n）4He反应产生14MeV中子。对每个中子能点提供出流时间200h。     

中子三轴谱仪输入谱模拟与优化计算

根据冷中子源及其后续中子导管的布局与参数,采用蒙特卡罗方法模拟计算了中子三轴谱仪的输入谱,获得了中子束均匀性、发散度及注量率等参数。模拟结果表明：冷源与导管人口间距离L不宜小于0.1m,在距离为0.5m时导管出口处注量率达到最大3.96×10^8cm^-2s^-1。;中子注量率及发散度均随导管超镜因子m增大而增大,m值由1.5增大到3后,其水平方向的发散度几乎不变,垂直方向最大发散度增大约87.7％,注量率增大25％;垂直方向和水平方向的发散均可以用高斯分布来描述,但水平方向的发散伴有离散峰;在m为1.5,L为2m情况下,束流水平和垂直方向的最大发散度分别为0.85°和0.81°,中子注量率为2.86×10^8cm^-2s^-1;得到了针对三轴谱仪的导管优化参数。