’2000ISSCC国际固体电路会议拾零

’2000ISSCC国际固体电路会议于2000年2月7日～9日在美国旧金山市举行,共发表学术论文176篇。所涉及的方面主要为:微处理器、信号处理器、接口电路、A-D转换器、通信用集成电路、存储器等。现将会议中引人注目的信息作一介绍。1美国SUN微系统公司开发的第3代RISC(精简指令)型64bit微处理器。工作频率600MHz,可同时下达4个指令,集成2300万个晶体管。采用0.18μmCMOS技术和7层金属布线工艺。芯片尺寸为370mm2,电源电压+1.8V,功耗80W。2加拿大NortelNetworks公司开发的10Gbit/s光通信应用的单片接收机。采用SiGe技术,集成AGC(autog…     

一九八五年国际固体电路会议述评(续)

逻辑大规模集成电路 规模大和多样化的门阵电路 在逻辑门阵列领域,正在向着大规模集成和品种多样化的方向发展(表Ⅲ)。CMOS门阵芯片的集成规模已超过二万门。随着门阵电路的大规模集成化,芯片内设置存贮器和测试用电路的门阵电路也日益盛行起来。基本单元结构的构成方法也是多种多样。较为引人注目的方法是采     

1983年国际固体电路会议

<正>1983年际固体电路会议(以下简称ISSCC)于2月23至25日在美国纽约召开.一年一次的固体电路会议是IEEE组织内所有专业会议中规模最大的一个全球性学术会议.它是世界范围内半导体技术,尤其是固体电路技术最新研究成果和未来发展趋势的一个标志.第一次     

国际固体电路会议（ISSCC）将揭示SOI和高速缓冲存储器引发微处理器性能提高

为期五天的国际固体电路会议(ISSCC)将要在2月14～18日在美国旧金山Marriott召开。SOI(绝缘体上硅)技术将会成为技术方向会场的热门话题。在会上发表的文章,将介绍SOI器件在性能方面的优点;所介绍的内容将不会再仅仅限于过去作为主要性能优点的抗辐射特性。 前一段时间有不少人认为微处理器性能的提高将达不到Moors定律预期的指标;但是由于铜连接线工艺技     

93国际固体电路会议概览

第40届国际固体电路年会(ISSCC)于今年2月24日～26日在美国旧金山市举行。会议集中反映了当今固体集成电路领域所取得的前所未有的的进步。会议所涉及的技术领域非常广泛,从存储器、微处理器、通讯电路、视频与信号处理器、数据转换器到神经网络芯片都有论文。会议设16个专题,收到来自13个国家的IC专家的93篇论文,另外还组织了8个专家讨论会。     

2005国际固态电路会议(ISSCC 2005)2月举办

2004年12月3办了ISSCC北京介绍会。2005年2月6日~10日,ISSCC2005将在美国旧金山举行。我国上海的IDT-Newave(新涛)科技公司的总工常仲元所撰论文被大会接受,常先生的论文也是唯一一篇来自中国内地的录用论文。ISSCC成立于1953固态电路和系统芯片的最新研究进展。不同于一般的学术会议,ISSCC所录用的论文中,工业界的数量超过学术界,IBM、TI、台湾省的台湾大学是05年会议所接受论文最多的三家单位。究其原因,ISSCC2005远东执行委员会主席K.Iizuka“半导体工业发展非常快,因此最先进的技术往往来自工业界。”会议分成八大部分:…     

1972年度国际固体电路会议简况

今年2月16日至18日,在美国费城召开了1972年度国际固体电路会议,资本主义世界的一些主要厂家在会上介绍了一些器件的研制水平与情况。在微波放大器方面,日本富士通公司研制的碰撞雪崩渡越时间二极管放大器在11千兆赫连续波输出0.5瓦;     

2012国际固态电路会议(ISSCC 2012)北京推介会召开

2012年国际固态电路会议(ISSCC2012)北京推介会近日在北京清华大学成功召开。ISSCC(International Solid-State Circuits Conference国际固态电路会议)始于1953年,每年一届,是由IEEE固态     

一九八五年国际固体电路会议述评

一年一度的报导最先进大规模集成电路的国际固体电路会议今年(ISSC′85),业已闭幕。1兆位动态随机存贮器、256k位静态随机存贮器,二万门级的CMOS门阵等高集成度的大规模集成电路的研制报告引人注目。面向各种信号处理大规模集成电路,通信用大规模成电路,图象存贮等用途的大规模集成电路发展动向,也引起了人们的注意。在模拟-数字并兼容大大规模集成电路及固体摄象元件,工业及民用模拟集成电路方面,取得了卓有成效的成果。     

参加81年国际固体电路会议拾零

本届会议在美国纽约市召开,为期三天,共提交91篇报告,它们反映了近一年来在固体电路方面取得的新成绩。现分几个部分概述于下: 一、超大规模集成技术 会议特邀斯坦福大学梅特尔教授作了“超大规模集成技术极限”的报告。他指出了五个限制因素。 (1)基本因素:从热力学原理导出数字系统中每一次开关瞬变所需要的能量至少为E_s,E_s=4KT=1.65×10~(-20)焦耳。 (2)材料因素:在硅材料中,一个电子通过电信号ΔV=1V)所需要的渡越时     

一九七九年国际固体电路会议及美国集成电路发展概况

1979年国际固体电路会议于2月14日至16日在美国召开,中国电子学会派出固体电路小组赴美参加此次会议,会后应邀进行了参观。本文就会议和参观的主要情况作一介绍,供有关同志参阅。     

MOSVLSI的新进展——参加1980年国际固体电路会议笔记

近年来,由于超精细加工技术和计算机辅助设计技术的发展,MOSLSI取得了长足的进展,出现了超大规模MOS集成电路MOSVLSI,使集电路高性能和低成本的特点更为突出。这些超精细加工技术主要包括:电子束制版,电子束直接光刻,投影光刻,全离子注入,全干法腐蚀,薄层介质和薄层外延,它使三维的(平面的及纵向的)超微细加工成为可能。最近5年中,NMOS已经从6u,1100(?)的栅减小到2μ,     

1983年国际固体电路会议上发表的动态RAM特性一览表

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超大规模集成电路的新发展——参加1980年国际固体电路会议随记

每年一度的国际固体电路会议,在三十余名代表的热烈讨论和交流之后,于二月十五日在美国旧金山结束,人们互相告别并期待着明年二月在纽约再次相聚。 这次会议是标志着超大规模集成电路已经到来的会议,是对80年代作出展(?)的会议。它宣布,集成电路已经发展到了这样的阶段,即把电子系统集成到一个芯片上;把数字电路和模拟电路结合起来集成在同一个芯片上。     

从ISSCC05会议看模拟技术趋势

本文作者与该公司严刚共同撰写的模拟论文是第一次被ISSCC大会收录的中国大陆论文。作者亲临大会现场,描写了当今模拟技术学术上的最新进展。     

2014国际固态电路会议（ISSCC2014）新闻发布会在北京召开

2014年国际固态电路会议（ISSCC2014）北京新闻发布会日前在北京清华大学召开。ISSCC（International Solid-StateCircuitsConference）始于1953年,每年一届,是由IEEE固态电路协会（SSCS）丰办的著名半导体集成电路国际学术会议。     

国际液晶聚合物会议(北京)

国际液晶聚合物会议(ICLCP)将于1994年9月6—9日在中国北京举行。该学术会议是受IUPAC(国际纯粹与应用化学联合会)委托、由中国化学会组织的,会议主席和秘书长分别由北京大学周其凤和清华大学王新久担任。会议内容为液晶聚合物(包括热致、溶致、主链和侧链、低聚物、网络、复合材料等)的合成、结构、相交、缺陷、流变、不稳定性、电光效应,以及应用等。会议邀请报告名单已经初步确定,包括     

1985年国际固体电路会议上发表的1M位动态存储器概况

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第35届国际电子元件会议评述

<正> 由美国电气电子工程师学会(IEEE)所属电子元件、混合集成电路和制造工艺学会(CHMTS)和美国电子工业协会(E1A)共同主办的第35届电子元件会议,五月二十二日至二十二在美国华盛顿市召开。今年我国第二次派人参加,一行七人由电子元器件工业管理局和中国电子学会电子元件学会共同派出。成员有郑浩、章士瀛、吴玉行、李兴教、印忠义、王宝善、汪福章。五月二十三日至三十日在纽约、新泽西州、洛山矾、圣地亚哥、旧金山参观了五家工厂。 本届会议宣读了86篇论文,按15个学组