65nm是用来解决问题的

半导体工业的最主要特征是工艺不断进步,平均每隔几年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降,性能不断提升.从180nm到130nm,再到90nm、65nm和45nm,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入充斥各种电子器件的数字时代.     

65nm工艺FPGA已趋成熟

更先进的工艺一直是半导体行业提高性能和降低功耗的一个基本手段，前提是巨大的工程和研发投入，因此只有业界巨头才有实力率先使用。     

在65nm Cyclone Ⅲ FPGA中实现低功耗

传统上,人们总是期望新一代FPGA具有更好的特性和性能.然而,设计工程师必须将这些新特性和高性能集成在与上一代产品相同、甚至更小尺寸的芯片上,并要保持芯片功耗不变.此外,某些应用还必须要满足一些特殊的功耗要求.结果,功耗在设计工程师的FPGA选择标准中扮演了越来越重要的角色.     

赛灵思Virtex-5平台FPGA拉开65nm竞争帷幕

2005年末,赛灵思就宣布成功生产出了65nm FPGA晶圆原型,其采用 65nm工艺的新一代Virtex-5系列平台 FPGA终于在近日撩开了神秘面纱。     

Xilinx 65nm Virtex-5 FPGA量产

2007年5月21日，Xilinx宣布其65nm Virtex-5 FPGA系列两款器件LXSO和LX50T首先实现量产。     

40nm FPGA的功耗管理和优势

随着工艺尺寸的减小,数字逻辑电路的漏电流成为当前FPGA面临的主要挑战.静态功耗增大的主要原因是各种漏电流源的增加.图1所示为随着更小逻辑门长度的技术实现,这些漏电流源是怎样随之增加的.此外,如果不采取专门的功耗措施,较大的逻辑电容和较高的开关频率也会导致动态功耗增大.     

Altera推出65nm低成本FPGA——Cyclone Ⅲ

Altera公司近日推出业界首款65nm低成本FPGA——Cyclone(R)川系列。利用TSMC的65nm低功耗(LP)工艺,CyclorleⅢFPGA可以提供丰富的逻辑、存储器和DSP功能,功耗更     

赛灵思推出65nm工艺新一代Virtex FPGA

在GIobalpress电子峰会上，赛灵思公司展示了其65nm工艺新一代Virtex FPGA系列中的首款器件。     

65nm FPGA开始新一轮竞争 功耗问题仍是最大挑战

Xilinx公司刚刚推出基于先进的65nm三极栅氧化层技术的Virtex-5系列高性能平台FPGA后,其主要竞争对手Altera也公布了采用了65nm工艺技术的高端Stratix Ⅲ系列产品计划.至此,65nm时代的FPGA的市场争夺正式拉开了帷幕.     

两大FPGA公司推新品65nm FPGA市场剑拔弩张

继2006年5月推出首款65nm FPGA Virtex-5 LX后,Xilinx又于10月推出其Virtex-5系列中针对应用领域进行优化的第二款平台-具有高速串行连接性的Virtex-5 LXT。同时,Altera的65nm FPGA产品StratixⅢ系列也在公司一年一度的SoPC World活动上发布。65nm FPGA的竞争大幕正在开启。     

65nm/45nm工艺及其相关技术

介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。     

半导体制程微细化技术再突破从65nm到45nm的微观神话

半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘?     

高能效微控制器

在移动视频、语音和数据访问以及高质量3D图像对低成本带宽需求的推动下，Cyclone IV系列FPGA提供了对主流串行协议的支持，不但实现了低成本和低功耗，而且还提供丰富的逻辑、存储器和DSP功能。CYclone IV FPGA系列有两种型号。Cyclone IV GX器件具有150K逻辑单元（LE）、6.5MbRAM、360个乘法器，     

65 nm工艺及其设备

介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。     

65 nm技术节点的CMP技术

概述了全球CMP设备市场和65nm技术节点CMP技术面临的挑战,给出了65nm技术节点铜工艺的解决方案及CMP后清洗技术。     

进入65纳米时代,不要欢呼

当业界很多半导体芯片厂商从130纳米大举进入90纳米技术阶段时,我们时常会感到喧闹之声不绝于耳,这其实就是不久以前的事情.     

FPGA迎来65 nm时代

11月13日,Altera公司正式发布了业界期盼以久的65nm FPGA-StratixⅢ.与此同时Xilinx又更进一步,在同一时间推出了65 nm的Virtex-5 LXT系列,这也是时隔半年之后Xilinx推出的第二款65 nm产品.由此,FPGA进入了65 nm时代,Altera与Xilinx也将展开新的技术对垒.     

A Differential-Ramp Based 65 dB-Linear VGA Technique in 65 nm CMOS

In this paper, a differential-ramp based variable gain amplifier (VGA) technique is introduced. Using the proposed technique, digitally programmable gain amplifiers (PGAs) can be converted to analog controlled, dB-linear VGAs with minimum impact on noise and linearity. This provides an efficient way of realizing an analog controlled VGA for OFDM based applications. The technique is illustrated by converting an opamp based high-linearity, low-noise PGA to a dB-linear VGA for CMOS mobile TV applications. The design including the cascade of a two-stage continuous 65-dB-linear VGA and a third-order Sallen–Key buffer stage is fabricated in a 65 nm CMOS process. The measured in-band OIP3 of the whole chain at maximum gain of 47 dB is 22 dBm, whereas the blockers in the adjacent channel result in 34 dBm OIP3 for the same gain setting. The design achieves 11 nV/$sqrt{hbox{Hz}}$ input referred noise density and occupies a die area of 0.17 ${hbox{mm}}^{2}$. The VGA circuit consumes 1.5 mA of current from a 1.2 V supply with an additional 200 $muhbox{A}$ switch control ramp current from a 2.5 V supply.      

65nm及以下IC制造挑战

全球IC制造业在2004年取得辉煌业绩,销售总额达到2180亿美元,提前完成了国际半导体技术发展路线图(ITRS)的90nm节点进程,十多座300mm晶圆厂正在投产或共建,全球以Intel为首的十大IC供应商都在加紧研发65nm工艺,Intel、TI、三星、东芝、台积电开始小批量生产65nm工艺的IC,谋求技术领先,抢占市场.根据2004的修正的ITRS最新技术进程可知,90nm节点正好在2004年完成了DRAM指标,65nm节点预定在2007年和45nm节点预定在2010年达到DRAM的生产水平,因为存储器IC的制造工艺最成熟,而且单元电路相同,比较容易设计和测试.对于电路单元更复杂的逻辑IC和混合IC来说,65nm节点和45nm节点的完成时间要推后两年,分别至2009年和2012年完成.     

亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术

CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。