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1.
Xilinx Geomatrix 《电子与电脑》2007,(12):83-85
半导体工业的最主要特征是工艺不断进步,平均每隔几年就要升级一次,带动功耗和成本不断下降,性能不断提升.从180nm到130nm,再到90nm、65nm和45nm,这些略显枯燥的数字使我们的生活正在加速进入充斥各种电子器件的数字时代. 相似文献
3.
Robert Kruger 《电子设计应用》2007,(4):24-24,25,26,28
传统上,人们总是期望新一代FPGA具有更好的特性和性能.然而,设计工程师必须将这些新特性和高性能集成在与上一代产品相同、甚至更小尺寸的芯片上,并要保持芯片功耗不变.此外,某些应用还必须要满足一些特殊的功耗要求.结果,功耗在设计工程师的FPGA选择标准中扮演了越来越重要的角色. 相似文献
4.
2005年末,赛灵思就宣布成功生产出了65nm FPGA晶圆原型,其采用 65nm工艺的新一代Virtex-5系列平台 FPGA终于在近日撩开了神秘面纱。 相似文献
5.
2007年5月21日,Xilinx宣布其65nm Virtex-5 FPGA系列两款器件LXSO和LX50T首先实现量产。 相似文献
6.
Sevi Verma 《今日电子》2009,(2)
随着工艺尺寸的减小,数字逻辑电路的漏电流成为当前FPGA面临的主要挑战.静态功耗增大的主要原因是各种漏电流源的增加.图1所示为随着更小逻辑门长度的技术实现,这些漏电流源是怎样随之增加的.此外,如果不采取专门的功耗措施,较大的逻辑电容和较高的开关频率也会导致动态功耗增大. 相似文献
7.
Altera公司近日推出业界首款65nm低成本FPGA——Cyclone(R)川系列。利用TSMC的65nm低功耗(LP)工艺,CyclorleⅢFPGA可以提供丰富的逻辑、存储器和DSP功能,功耗更 相似文献
9.
Xilinx公司刚刚推出基于先进的65nm三极栅氧化层技术的Virtex-5系列高性能平台FPGA后,其主要竞争对手Altera也公布了采用了65nm工艺技术的高端Stratix Ⅲ系列产品计划.至此,65nm时代的FPGA的市场争夺正式拉开了帷幕. 相似文献
10.
继2006年5月推出首款65nm FPGA Virtex-5 LX后,Xilinx又于10月推出其Virtex-5系列中针对应用领域进行优化的第二款平台-具有高速串行连接性的Virtex-5 LXT。同时,Altera的65nm FPGA产品StratixⅢ系列也在公司一年一度的SoPC World活动上发布。65nm FPGA的竞争大幕正在开启。 相似文献
11.
65nm/45nm工艺及其相关技术 总被引:2,自引:1,他引:2
介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。 相似文献
12.
半导体微细化制程从65纳米迈向45纳米、甚至芯片结构尺寸将朝向32或22纳米之际,我们将会面临什么未知的物理性质变化?为了追寻更微小体积、切割更多芯片的商业成本效益,我们的制程技术如何再进一步地去突破,会有什么样的材料正等待着我们去发掘? 相似文献
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15.
翁寿松 《电子工业专用设备》2006,36(2):18-20,48
介绍了65nm工艺及其设备。它包括光刻工艺与193nmArf/浸入式光刻机、超浅结工艺与中电流/高电流离子注入机、铜互连工艺与PVD/ALD设备、CMP工艺与低应力CMP设备和清洗工艺与无损伤清洗设备等。 相似文献
16.
当业界很多半导体芯片厂商从130纳米大举进入90纳米技术阶段时,我们时常会感到喧闹之声不绝于耳,这其实就是不久以前的事情. 相似文献
17.
11月13日,Altera公司正式发布了业界期盼以久的65nm FPGA-StratixⅢ.与此同时Xilinx又更进一步,在同一时间推出了65 nm的Virtex-5 LXT系列,这也是时隔半年之后Xilinx推出的第二款65 nm产品.由此,FPGA进入了65 nm时代,Altera与Xilinx也将展开新的技术对垒. 相似文献
18.
《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2009,44(9):2503-2514
19.
《电子产品世界》2005,(9):117-119
全球IC制造业在2004年取得辉煌业绩,销售总额达到2180亿美元,提前完成了国际半导体技术发展路线图(ITRS)的90nm节点进程,十多座300mm晶圆厂正在投产或共建,全球以Intel为首的十大IC供应商都在加紧研发65nm工艺,Intel、TI、三星、东芝、台积电开始小批量生产65nm工艺的IC,谋求技术领先,抢占市场.根据2004的修正的ITRS最新技术进程可知,90nm节点正好在2004年完成了DRAM指标,65nm节点预定在2007年和45nm节点预定在2010年达到DRAM的生产水平,因为存储器IC的制造工艺最成熟,而且单元电路相同,比较容易设计和测试.对于电路单元更复杂的逻辑IC和混合IC来说,65nm节点和45nm节点的完成时间要推后两年,分别至2009年和2012年完成. 相似文献
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