全新直流总线转换器芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,IR)日前推出直流总线转换器芯片组 ,从而重新定义了用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准 ,它能在小于1.7平方英寸的电路上和20A/150Wout条件下提供96 %以上的效率。该芯片组能节省53 %的体积 ,并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR2085S控制集成电路以及IRF7493原边和IRF6603副边HEXFET功率MOSFET各一对 ,加上用于原边偏压的IRF7380…     

国半推出引脚兼容的8位、10位和12位DAC

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片组。新品可配合IR近期发布的IR2086S全桥总线转换器集成电路，使直流总线转换器达到最高效率。这款芯片组可以提供完善的总线转换器解决方案，在比四分之一砖转换器还要小29％的电路板面积上，实现效率高达97％的336W功率。     

IR全新30V DirectFET同步MOSFET-IRF6612 30V

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出了全新IRF6612 30V同步MOSFET,新器件采用IR专有的表面贴装DirectFET封装.IRF6612兼具低导通电阻(4.4mOhms@VGS=4.5V)和低封装电感,体现最佳性能组合,可用作非隔离直流-直流转换器中的同步整流器,大幅提升笔记本电脑和服务器的效率.IRF6612还可用于隔离式直流-直流转换器的付边同步整流,适用于网络及通信领域.     

IR推出用于DC-DC降压转换器的新型DirectFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)近日推出新型的DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用Intel和AMD处理器的高端台式电脑和服务器,以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的DC-DC转换器应用。例如,电流为130A的五相转换器如果采用最新的IRF6619和IRF6633芯片组,可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。IR中国及香港销售总监严国富指出:“IRF6619和IRF6633芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代4个标准的D-PakMOSFET,可以减少一半的元件数量,并为每个相位减少一半以上的占板空间…     

NS推出100V半桥式PWM控制器LM5035

国际整流器公司（IR）近日推出IR3084和IR3084U两款XPhase控制IC，延伸了XPhase可扩展多相转换器芯片组产品。新的IC能与IR3086A相位IC和IRF6617、IRF6691等DirectFET功率MOSFET配合使用，在130A的应用中实现7相位，可比5相垃的设计提高3％的工作效率。     

IR推出多用途80V MOSFET

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出 IRF1312型 HEXFET功率MOSFET,额定电压达 80 V,可用作隔离式直流 -直流转换器中的原边和副边 MOSFET,专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边 MOSFET时 ,IRF1312能用于高达 6 0 V最大输入电压 ,因此最适用于 36 V至 6 0 V及 4 8V稳压输入母线隔离式直流 -直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类 75 V MOSFET相比 ,其 80 V额定电压提供额外 6 %的防护带 ,使设计更加坚固耐用。作为副边 MOSFET时 ,IRF1312能在 12 V应用中提供比标准 75 V M…     

电源和电源管理

用于移动电脑的电源芯片国际整流器公司(IR)的IRF7811及IRF7809是低压HEXFET功率MOSFET芯片组符合英特尔移动电源2000年规范(Intel Mobile Power Guideline 200),用于中央处理器内及外围设备的DC/DC转换器。利用该芯片组可以把DC/DC转换器的整体效率提高到90％。将来移动电脑的中央处理器要求电源电压低至1.3V,电流超过     

IRF711W/IRF7822高效HEXFET功率MOSFET

由IR公司(国际整流公司,International Rectifier)研制出的IRF7811W/IRF7822两款新型HEXFET功率MOSFET将降压式及隔离式直流-直流拓扑结构的效率提高了3%。采用新型带状沟槽工艺,能去耦器件导通电阻及电容,成功解决了要求极低导通电阻及栅电荷的功率MOSFET的制造问题。 IRF7811W控制场效应管及IRF7822同步场效应管,能使高电流降压变换器拓扑结构的元件数量减少25%～50%。而且能在更低温度下运行直流-直流变换器,还大大提高了功率密度。 在输入电压为12V、输出电压为1.4V、每管脚工作频率为700kHz的多相降压变换器中,可改善效率达3%,还大大减少了元件数量。将两个并联的IRF7822作为同步场效应管,两个IRF7811W作为控制场效应管,可在SO-8封装MOSFET中获得每管脚35A的输出电流。 在集成电路驱动的拓扑结构中,同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流集成电路,隔离式变换器可在40A及1.5V输出电压环境下,并实现了85%的效率。     

新型60V DirectFET MOSFET

国际整流器公司日前推出一款新型60V DirectFET功率MOSFETIRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0mΩ(VGS=10V),传导损耗较同类解决方案低出三成。IRF6648适用于电讯及网络系统中的隔离式直流-直流转换器。若把IRF6648用于一个经调节的48V输入、12V输出和240W隔离式转换器的二次侧,功率密度可由每平方72W再增15%。IRF6648是一项多功能器件,可用于36V至75V输入的隔离式直流-直流转换器的二次侧同步整流插座;一次侧半桥及全桥隔离式直流-直流总线转换器;24V输入的一次侧正向主动钳制电路,和48V输出的交流-直流主动ORing系统。I…     

IR新型DirectFET MOSFET转换器芯片组

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款20V DirectFETMOSFET同步降压转换器芯片组———IRF6610和IRF6636。据称这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8MOSFET,但体积却减小了40%,特别适合对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-l     

IR 1176同步整流集成电路由IR公司推出

国际整流器公司(IRF)推出专用同步整流集成电路IR1176。该产品能简化和改善隔离式直流-直流变换器设计,将其输出电压降至1.5V,全面提高电信及宽频网络服务器的效率。 IR1176同步整流集成电路辅之以直流-直流变换器专用HEXFET功率MOSFET(如IRF7822),即可提高1.5V及1.8V直流-直流变换器的额定效率,在输入电压48V,输出1.5V和1.8V在40A电流下的电路内效率分别达85%和86%。IR1176能加强对栅驱动器电路的控制,减少隔离式直流-直流变换器同步整流MOSFET的副边损耗。     

IR推出新款控制及同步开关芯片组崭新芯片组结合DirectFETKY集成MOSFET/肖特基二极管及DirectFET MOSFET

功率半导体供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新款控制及同步开关芯片组,用于驱动新一代Intel及AMD处理器的高频直流-直流转换器,适用于高端先进服务器和台式计算机。该芯片组也可用于电信及数据通信系统的负载点直流-直流转换。     

IR推出超小型优化DirectFET MOSFET芯片组

功率半导体厂商国际整流器公司(IR)日前推出超小体积的控制和同步MOSFET芯片组,适用于必须达到小体积、高效率和最大导热性能要求的VRM10.x大电流同步降压转换器。 最新IRF6608控制MOSFET的典型通态电阻(R_(DS(on)))为8.5毫欧,IRF6618同步MOS-FET的典型通态电阻则为1.7毫欧,两者均采用IR的DirectFET封装。     

元器件快讯

新型高灵活可扩展性XPhase多相架构国际整流器公司(InternationalRectifrer,简称IR)推出高度灵活和可扩展的XPhase架构 ,适用于需要一个或更多相位的多相交错降压直流 -直流转换器。首款XPhase芯片组集成了IR3081控制集成电路及IR3081相位集成电路 ,可提供超出CPU电压调节组件(VRM)或VRD/EVRD10.0要求的高性能解决方案 ,适用于服务器和高端台式电脑内最先进的微处理器。IRXPhase架构有别于其它只能驱动有限相位的多相方案 ,它提供可扩展的多相设计 ,满足先进CPU瞬息万变、难以预测的功率要求。XPhase架构包含一组控制集成电…     

IR推出面向网络通信系统开关式转换器应用的中电压MOSFET

<正>国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出全新60V、80V和100V的N沟道HEXFET~(R) MOSFET。这些产品适用于目前网络和通信系统中的开关转换器应用,可以将阻容乘积这一参数改善36%。IRF7853PbF、IRF7854PbF及IRF7855PbF均适用于AC-DC次级同步整流、隔离式中等功率DC-DC应用。     

IR新型HEXFET MOSFET芯片组

国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30VHEXFET功率MOSFET,可将30V45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%,用于驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD新型处理器。这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF,通过优化传导、开关和体二极管     

电源技术

国际整流器公司(IR)推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494HEXFETN沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56％。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏电荷减低达50％。若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5％,这将使器件结温降低15℃～20℃。新MOSFET专为正激或推挽式功率     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

IR新型40V同步整流MOSFET 优化电信和数据通讯应用

电源管理供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布推出IRF7842 40V N沟道HEXFET功率MOSFET,优化了电信系统中的隔离式直流-直流转换器。 IRF7842的额定电压为40V,若用于电信及数据系统的副边同步整流电路,则有助于增强系统的可靠性。这些系统的输入电压范围较宽,一般在36V到75V     

IR针对高频率DC-DC开关应用新推25V DirectFET芯片组

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET芯片组．为12V输入同步降压应用（包括服务器、台式电脑和笔记本电脑）提供最佳效率。