有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在19V下器件亮度可达40000cd/m2,外量子效率达3。4％。     

高亮度发光二极管市场前景看好

本文叙述了高亮度发光二极管技术与应用的现状与前景。     

高亮度发光二极管及制造设备

发光二极管（LED）是符合节能、环保的绿色照明光源。它具有亮度高、寿命长和能耗低等特点。高亮度发光二极管（HB—LED）是LED的发展方向。目前它已进入功能性照明领域,正在逐步进入普通照明领域,以替代白炽灯和荧光灯。Osram、Cree公司已研制出1000lm的单芯片HB—LED。目前,HB-LED量产水平的亮度为100lm,发光效率为100lm／W。     

高亮度GaN系蓝色发光二极管

本文就高亮度ＧａＮ系蓝色发光二极管研制中的主要问题加以概述，最后对ＧａＮ系蓝色半导体激光器的发展做了展望。     

高亮度发光二极管的市场回顾

自1995年以来,高亮度发光二极管（LED）的市场每年以 58.4％的平均增长速率增长,2000年其销售额已达12亿美元。如此快的增长速度是由于高亮度LED的性能在不断提高,发光范围扩展到覆盖整个可见光谱区,使得新的应用不断扩大的结果,这正是以前传统低亮度LED不能达到的效果。高亮度LED产业目前所面临的主要挑战是如何在世界发光市场获得重大突破,估计这个市场今后的年销售额将突破120亿美元。     

基于石墨烯的柔性黄光有机发光二极管制备与性能

采用喷涂技术制备了石墨烯/PEDOT:PSS复合透明导电薄膜,并在此基础上制备了柔性黄光OLED器件。通过设计DPVBi/Rubrene/DPVBi势阱结构,可以实现电荷的有效陷获,获得稳定明亮的黄光发射。实验结果表明,适当增加发光区的厚度,可以提升器件的发光效率和稳定性,在12 V时器件的效率为0.9 cd/A。该柔性黄光OLED器件在反复弯曲测试中表现出了良好的发光稳定性,发光效率没有产生明显变化。     

发光二极管：高亮度,全色化,表面安装

发光二极管技术的现状和趋势 长期以来,全色化和高亮度化一直是发光二极管(LED)技术研究的主要课题。90年代以来,随着新材料新技术的开发成功,LED在多色化、高亮度显示方面取得了显著进展。目前,超高亮度(>1cd)的红色、橙色、黄色、绿色以及蓝色LED已用于户外大屏幕全色显示。镓铝砷红色LED最高亮度已达10cd,大量用于室外显示屏,日本东芝等公司已建立了生产10cd级LED的工艺和设备。利用InGaA1P四元固熔体作为发光材料,采用GaAs衬底和金属有机化学汽相淀积工艺,已制得了超高亮度的橙红色LED;采用同样结构和工艺技术的黄色超高亮     

高亮度发光二极管市场增速趋缓

自20世纪90年代中期以来,高亮度发光二极管(HB LED)市场经历了一段相当惊人的增长历史.第1批进入市场的高性能发光二极管是由铟镓铝磷(InGaAlP)和铟镓氮(InGaN)材料制成.1995～2000年,该市场以55%的年平均增长率在增长,2000年的销售额达到了12亿美元.2001年,该市场的增长趋缓,这是由于当时全球经济疲软,导致几乎所有的高技术市场全面衰退.2001～2004年,HB LED市场重新恢复了惊人的增长速度,年平均增长达46%,2004年销售额达到了37亿美元.     

高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用

根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充分的扩展.两者是提高器件的外量子效率非常有效的方法.实验证明了理论分析是正确的.     

有机多层白光发光二极管

以四苯基二胺衍生物(TPD)为空穴传输材料,以蓝光染料酚基吡啶铍(BePP2)、黄光染料红荧烯(Rubrene)、绿光染料8-羟基喹啉铝(Alq3)分别为蓝、绿、红三基色染料,采用多层结构制备了有机多层白光发光二极管.该白光器件的色坐标为( 0.33, 0.36)(在7V下),接近等能点白光( 0.33, 0.33);该器件在17V下的亮度可以达到3000cd/m2,流明效率为 0.3 lm/w,是目前报道的比较好的结果.     

新颖红外发光二极管

主要介绍近几年国外研制的红外正面、侧面发光二极管和超辐射发光二极管的最新进展，并对新开发的超晶格、量子阱发光二极管的基本结构、性能、制造技术和应用前景作了简要叙述。     

OLED行业专利分析

有机发光二极管（Organic Light Emitting Diode,OLED）不需背光源、省电、亮度更高、成本更低的特点,使其得到了国内外众多企业的广泛关注。本报告主要针对OLED市场现状与专利状况进行探讨,并通过专利引证分析找出该领域内的重要专利。     

光互连与面发射激光二极管

为克服光通信、电子计算技术等的速度限制,采用光互连是一种有效途径。光互连也是光计算机的基本技术。文中对光互连技术进行了分析,并介绍了一种有利于光互连的最理想光源——面发射激光二极管。     

复合管是二极管的发展方向

本文介绍了几种新型复合二极管,包括变容二极管、开关二极管、二极管阵列、阻尼二极管、调制二极管和肖特基二极管等。     

发光二极管的作用距离分析

发光二极管具有体积小、质量轻、功耗低、寿命长、可靠性高和响应速度快等优点,可以用作各种标志的发光器件,广泛地应用于指示灯、显示屏、交通管理和生产自动化中.推导出了发光二极管的作用距离公式,并针对常用的观测设备进行了分析.使用最低照度0.02 lux和中等分辨率摄像机作为观测设备,辐射功率为6 mW、辐射半顶角为25°的发光二极管作用距离可达1.5 km.给出了相应的实验结果,验证了理论分析的正确性.     

发光二极管开路失效分析

本文简述了发光二极管结构原理,对发光二极管开路失效模式进行全面分析,确定不同的失效机理及所对应的失效原因,并提出针对性的改善措施和筛选方法,达到提高发光二极管质量和可靠性的目的。     

发光二极管引线键合可靠性探讨

本文简要地描述发光二极管金丝引线键合过程,讨论分析了影响其键合可靠性的主要因素,说明了键合质量的评价方法,提出了增强键合可靠性的措施,以达到提高发光二极管寿命的目的.     

有机发光二极管显示驱动技术

基于有机发光二极管(OLED)的器件结构和发光机理的分析，讨论了OLED的无源和有源驱动技术，并对各自的特点进行分析比较。比较分析了OLED的直流驱动和交流驱动技术，得出了交流驱动优于直流驱动的结论。最后，通过一个例子，分析了有源矩阵OLED驱动电路的整体结构。     

一种新型的电压型AMOLED像素补偿电路

针对常用3T1C结构的AMOLED像素补偿电路容易受到阈值电压漂移影响的问题,介绍了一种新型电压型4T2C结构的AMOLED像素补偿电路,阐明了该电路的工作原理,并对OLED的驱动电流作了定性分析。结果显示该驱动电流值只与驱动电压及电源电压有关,从而有效地解决了因阈值电压变化而造成的显示器亮度不均匀的问题。该电路已通过Spectre仿真软件验证了其有效性。