基于MEDICI的CMOS反相器SEL特性分析

文章利用计算机模拟的方法分析了不同衬底CMOS反相器的单粒子闩锁（SEL）特性,分别对不同衬底CMOS反相器在电极分布和输出不同的情况下进行了研究,首先在不同电极分布时．通过电闩锁对器件进行模拟．得出不同电极分布时器件的维持电压,然后进行SEL模拟．根据模拟结果,我们发现在维持电压最小的电极分布情况下,粒子入射到阱-衬底结时,输出低电平时,器件产生闩锁后N衬底器件比P衬底器件闩锁电流大．输出高电平时．器件产生闩锁后P村底器件比N衬底器件的闩锁电流大。通过对不同衬底器件SEL阈值的测试,我们得到N村底器件比P衬底器件对SEL敏感．器件输出高电平时比输出低电平对SEL略敏感。     

RTD与PHEMT集成的几个关键工艺

在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件，并在室温下分别测试了RTD器件和PHEMT器件的电学特性．测试表明：在室温下，RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比提高到1.78;PHEMT器件的最大跨导约为120mS/mm,在Vgs＝0.5V时的饱和电流约为270mA/mm．这将为RTD集成电路的研制奠定工艺基础．     

红光、绿光、蓝光、白光用高性能有机电子注入层和传输层

研制成功了一种新型提高有机电致发光器件效率、降低其功耗的新型电子注入层。本文讨论了这种新型电子注入层的性能及其与之相关的电子传输层的性能。与通常使用的LiF注入材料或Li掺杂的Alq3：BPhen电子传输层器件相比,使用新型电子注入层和电子传输层的性能更加优良。在20mA／cm2的电流密度下,红光器件的性能为：亮度为10．8cd／A,工作电压为3．9伏,色座标为（O．66,0．34）：绿光器件的性能为：亮度为18．4cd／A,工作电压为4．2伏,色座标为（0．29,0．62）;深蓝色器件的性能为：亮度为7．7cd／A,工作电压为3．70t,色座标为（0．14,0．13;蓝绿色器件的性能为：亮度为21．1cd／A,工作电压为3．8伏,色座标为（0．16,0．37）;白光器件的性能为：亮度为13．2cd／A,工作电压为3．80t,色座标为（0．34,0．34）。在同样的工作条件下,红光、深蓝色光和蓝绿光的外部量子效率分别为8．7％,6．6％和9．7％。迄今为止所报告单色发光器件中,这些器件是效率最高的器件。     

多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布．通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响．确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制．     

一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型．采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流,同时在器件垂直于沟道方向的横截面上求解二维的薛定谔方程来得到载流子的态密度分布,最终实现与三维泊松方程的自恰求解．模拟结果显示纳米尺度的FinFET器件具有良好的开关特性和亚阈值特性．这个模型还能适用于量子线等其他三维结构的纳米器件．     

新型SON器件的自加热效应

分析了自加热效应对SON器件性能的影响,并与SOI器件进行了比较．提出构造散热通路的方法来抑制SON器件的自加热效应,分析了不同通路情况对自加热效应的抑制程度．还对散热性能较好的具有不连续空洞埋层的SON器件进行了研究,并分析了空洞大小和横向位置偏差对器件性能的影响,为器件结构设计提供了指导．     

负阻发光二极管的结构原理及应用

负阻发光二极管是一种p-n-p-n四层结构的半导体发光器件．它具有负阻特性,故其有开关特性．硅四层结构器件如接成三端形式,便是可控硅器件．如果发光二极管所用的晶体做成两端p-n-p-n器件,就可获得负阻特性并在通态发光．以下,介绍其结构原理及应用．     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．     

平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容

功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能．本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性．在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件．将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%．     

关于碲镉汞长波红外探测器中测筛选方法的意见

多年来,我们研究室在碲镉汞长波红外探测器中测筛选中都采用滤波比筛选法,以滤波比等于０．１１划线,视滤波比小于０．１１的器件为不合格,但我们在十个月的千套碲镉汞长波器件中测过程中,发现滤波比小于０．１１的器件中,有不少性能较佳的合格器件。     

生长系统对高阻区熔硅单晶径向电阻率变化的影响

分别采用L4375-ZE区熔炉和CFG/1400P区熔炉,生长了N型、(1.5～4.5)×103Ω.cm和P型、(1.0～5.0)×104Ω.cm两种规格的高阻区熔硅单晶,单晶的直径为52～54 mm,晶向为<111>。经对单晶的电阻率及其径向分布进行检测对比后发现,在加热线圈几何结构(包括上下表面角度、内径尺寸及台阶设计)基本相同、单晶生长速率相同且上、下晶轴旋转具有相同配置的情况下,不同的单晶生长系统所生长的单晶,其电阻率径向均匀性有明显差异,用L4575-ZE区熔炉生长的单晶的电阻率径向分布更均匀。     

Efficient visual object detection with spatially global Gaussian mixture models and uncertainties

In this paper, we deal with the problem of visual detection of moving objects using innovative Gaussian mixture models (GMM). The proposed method, the Spatially Global Gaussian Mixture Model (SGGMM) uses RGB and pixel uncertainty for background modelling. The SGGMM with colours only is used for scenes with moderate illumination changes. When combined with pixel uncertainty statistics, the method can deal efficiently with dynamic backgrounds and scene backgrounds with fast change in luminosity. Experimental evaluation in indoor and outdoor environments shows the performance of the foreground segmentation with the proposed SGGMM model using solely RGB colour or in combination with pixel uncertainties. These experimental scenarios take into account changes in the background within the scene. They are also used to compare the proposed technique with other state-of-the-art segmentation approaches in terms of accuracy and execution time performance. Further, our solution is implemented and tested in embedded camera sensor network nodes.     

阿霉素或吡柔比星联合化疗方案对老年患者心电图影响对比研究

目的：比较安全剂量（〈400mg／m^2）内阿霉素与吡柔比星对于心脏毒性大小。方法：90名以阿霉素为主联合化疗和59名以吡柔比星为主联合化疗的老年肿瘤患者每次采用阿霉素或吡柔比星40mg／m^2静点,每疗程3次,每疗程之间间隔3周,分别于用药后1天,1周,2周复查心电图。结果：应用吡柔比星化疗方案进行化疗,其引起心电图改变的可能性远远低于应用阿霉素联合化疗方案的老年患者。结论;吡柔比星心脏毒性低于阿霉素。     

激光混沌耦合同步及其在保密通信中的应用

建立了外部光注入半导体激光器激光混沌耦合同步系统，导出了耦合条件下的激光扰动方程和激光同步扰动方程。成功模拟了外部光注入波长1．3lμm分布反馈半导体激光器的激光混沌耦合同步，其同步误差小且抗噪声干扰能力强。该同步系统在混沌模拟和数字保密通信中的数值模拟表明，无论是在时域还是在频域，信息都难以被分离，该系统确有较高的保密性能和反破译能力。     

1．3μmDH-SLD的性能与工作电流和温度的关系

全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到：DH—SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大而减小,当注入电流大于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大有所增大;峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小,随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。     

液体介质三维光子晶体禁带可调性能研究

研究了宽频折射率可调液体介质在三维光子晶体上的应用。设计了完美结构的液体光子晶体,采用 平面波展开法和有限时域差分法研究了液体介质的介电常数对光子晶体带隙的影响规律;采用光固化快速成型技 术制造了完美结构光子晶体模型,通过灌注不同介电常数的液体介质,发现液体光子晶体的电磁带隙频率随液体媒 介介电常数的升高而向低频移动,其禁带相比于传统液晶可调光子晶体有所拓宽。     

C波段低噪声放大器设计的要点

介绍了用微波工作室软件对C波段低噪声放大器的设计及调试.设计制作的C波段低噪声场效应管放大器,采用全微带匹配网络,利用NEC公司生产的场效应管N32584C,两级级联,用微波工作室软件进行设计、仿真和优化,实现在4.4～5.1GHz范围内增益30dB左右,噪声系数小于0.8dB.用Prote199SE画印制板,该放大器制作在聚四氟乙烯基板上.     

不同地形激光雷达数据点云的信息提取方法

针对不同地形点云数据采用不同的滤波和格网插值方法提取地面信息,得到了良好的滤波插值效果,为后续地表下沉盆地获取等工作提供了优质的基础数据。对于不同的点云数据,文中分别进行了针对性的处理。对地表平坦且植被稀少的点云数据,采取高程最低点采样并替代格网高程值的方法;对地物和植被杂乱的点云数据,采用基于先验高程信息滤波与Kriging格网插值相结合的方法;而对于地形起伏较大的点云数据则采用渐点加密TIN滤波与Kriging格网插值相结合的方法,最终得到高质量的基础数据并应用于工程实际。     

恶性心律失常行植入型心律转复除颤器治疗的围手术期护理

目的探索恶性心律失常行植入型心律转复除颤器(ICD)治疗的围手术期护理特点。方法选择20例恶性心律失常行ICD治疗的患者,术前进行有效的心理护理,做好术前准备,术中严密监测并配合心室颤动(VF)除颤阈值测试,术后护理及出院指导。结果本组20例患者手术均成功,无护理不当并发症。随访1-13个月,无电极脱位和死亡。结论个体化地针对恶性心律失常行ICD治疗患者的围手术期护理、定期随访,可以增强患者及家属接受ICD治疗、预防猝死的信心,改善患者生存质量。     

运用数字暗场和结构重构方法测定FePt纳米粒子的正二十面体结构(英文)

小粒子结构一直是人们关注的研究热点,上世纪70年代运用暗场像技术发现了具有多重孪晶结构的正二十面体和正十面体结构.近年来,人们已经能够合成直径只有几纳米、结构复杂的纳米粒子,传统的高分辨像和衍射等方法难以获得这些纳米粒子的结构.本文以直径约6nm的FePt粒子为研究对象,通过系列欠焦像波函数重构获得了该粒子亚埃分辨率高分辨相位像,并对该相位像进行了数字暗场像分析研究,通过结构重构并结合高分辨像模拟测定该粒子具有二十面体结构,为确定具有复杂结构的纳米粒子结构提供了一种新途径.