串联谐振电容分压输出30 kHz逆变器研究

分析了串联谐振电容分压输出的逆变电路的工作原理,根据给定的指标进行主电路参数的设计,实验结果证明串联谐振电容分压输出逆变电路是良好的软开关逆变器。     

电容串联分压和电感并联分流的公式应用前提条件

讨论了电容串联分压公式和电感并联分流公式应用的前提条件 ,给出了公式的一般形式     

电容串联分压和电感并联分流的公式应用的前提条件

讨论了电容串联分压公式和电感并联分流公式应用的前提条件,给出了公式的一般形式。     

时域分析中电容串联电路稳态值求解错误的剖析

本文分析了电容串联电路稳态值计算错误的原因，并提出分析这类电路的一般方法。     

一种低功耗可编程开关电容的分压电路

介绍了一种低功耗可编程分压电路,其静态功耗为零,输出电压不受工艺、温度影响,因此,在工程上具有广泛的应用前景。     

LDO调节器输出电容的选择

由于特定的等效串联电阻要求,为带有PNP或PMOS通路元件的LDO调节器选择输出电容器有一定困难。本文介绍了ESR电容器的选择,以及如何确定调节器是否稳定。     

桥式整流电容滤波电路输出电压的波形分析

为了正确理解桥式整流电容滤波电路输出电压波形的形成,对几种不同的描述进行对比,找出在输出电压波形分析中存在的问题,利用定量与定性分析相结合的方法 ,对疑点进行深入分析,得出脉动直流电对电容器充、放电的规律,并用二极管两端电位的变化率大小判断不同时段其工作状态,确定电容器放电起始时刻,消除分析中存在的模糊认知。     

连续输出全集成开关电容带隙基准电路

本文提出了一种新型的开关电容带隙基准电路。电路采用双通道开关电容求和电路,能够连续输出基准电压,同时采用输出缓冲电路降低电压过冲,无需片外滤波电容。本设计采用NEC 0.35μm CMOS工艺,使用Hspice仿真软件对电路进行仿真。仿真结果表明:在典型参数情况下,该电路能够连续输出过冲为50μV的基准电压,在-20℃～80℃范围内,其输出电压的温度系数为15.4ppm/℃。     

RLC串联电路暂态的研究实验中电容误差的估测

在RLC串联电路暂态研究实验中由于电路中电容存在有系统误差,使得电路阻尼振荡周期的实验值和理论值产生较大的误差。本文用最小二乘法对实验的系统误差估算,并对周期的理论值进行修正,有效地解决了实验误差大的问题。     

基于高压陶瓷电容器放电回路的优化设计

针对使用高压电容器的几种放电回路,开展了回路参数仿真分析研究。参数辨识结果表明采用高压陶瓷电容和固态开关组成的放电回路参数明显优于采用高压固体电容器和触发管的放电回路,改进装配方式后回路参数也比改进之前明显减小。该改进技术的提出,在不改变既定电性能指标的基础上大大改善了整个回路电路的体积与质量。该改进技术已成功应用于多个爆破项目中。     

三相电压型逆变电路输出电压的傅里叶级数分析

三相逆变电路广泛的应用,特别是对于提高电力电子电路的分析与设计具有重要的意义,随着近年来数字电路的发展,其运算分析意义重大,本文结合电工学与物理学的有关知识,借助高等数学的傅里叶级数进行运算,方法简单,易于掌握。     

基于Buck—Boost电路的宽输出电压AC—DC电源设计

设计了一种宽输出电压的AC—DC开关电源,其主要特征是输出电压可以在较大范围内任意调节,解决了传统的开关电源只能输出几个特定电压值的问题。该设计的核心是反激变换电路和Buck—Boost电路。分析了这两种电路的工作原理及其应用,并且给出了具体的设计。实验表明,设计的电源能较好地实现了输出电压的宽范围调节。     

偏轴对圆柱形电容器耐压能力的影响

利用分式线性变换研究偏轴圆柱形电容器内的电场分布,分析偏轴对电容器耐压能力的影响,得到偏轴电容器的耐压能力随偏轴距增大而降低的结论,并给出理论数据用以指导偏轴距的控制,供电容器生产工艺中使用和参考。     

整流滤波电容的设计与选用方法研究

整流滤波电路是直流稳压电源设备中常用电路,其中滤波电容的设计选取,直接影响到纹波电压的大小,关系到输出直流电压的质量。本文通过在设定条件下,依据整流滤波电路原理,阐述了纹波电压产生的过程,给出了一种滤波电容设计与选取计算方法,建立了电容选取的计算模型,描绘出了纹波电压、负载电阻与滤波电容之间关系曲线,并通过实验验证其科学性,有利于滤波电容的设计与选用。     

激光泵浦受电容残压影响及容限分析

分析了激光泵浦系统中储能电容残压的产生原因,并通过长期试验研究,给出了电容残压的产生和增长规律。综合考虑电容残压增长规律和激光装备实际应用情况,明确提出了激光装备的实际残压容限值和维修决策原则;并依据电容残压增长规律和激光器泵浦氙灯工作特性,指出调高储能电容工作电压是一种不仅无益而且有损于激光装备工作寿命的维修方法。     

低压铝箔交流腐蚀工艺研究

考察了电解电容器用高纯铝箔在HCl-H2SO4-H3PO4混合酸体系中的交流腐蚀过程,综合配方和工艺两方面主要因素研究铝箔的交流扩面行为。结合SEM形貌分析,重点考察了前级电流密度、后级电流密度及腐蚀电量等对铝箔比容的影响,确定了最佳的低压铝箔交流腐蚀工艺,在2V化成,Cs达76×10–6F/cm2。     

特高压电容器用电极箔腐蚀工艺的研究

通过对特高压(Vfe=950V)电容器用电极箔微观形貌的理论计算,采用一次腐蚀控制孔密度和孔长度参数,二次腐蚀控制相应的孔径。研究了700～1100V特高压电极箔的两次电化学腐蚀工艺。使Vfe为950V的特高压电容器用电极箔的参数指标得到了优化:孔密度为0.116个/μm2,孔径为2.02μm,比容达到0.210×10–6F/cm2。     

基于FPGA的光弹调制器用高压驱动电路设计

为满足光弹调制器对高电压、高稳定和精确易控制的驱动电压需求,设计了一种基于FPGA控制、全桥结构LC谐振升压的高压驱动电路。该电路与传统的光弹调制器驱动控制电路相比,大幅降低了直流电源的电压输入要求,通过DDS调节方波频率来控制光弹调制器工作频率,调节方波占空比来控制输出电压。该电路应用于光弹调制器实验,结果表明在光弹调制器的谐振频率下,外部直流电压为5 V时,方波占空比范围为0~50%,对应电压峰-峰值可调节范围为0~840 V。电路具有稳定可靠、操控方便、带负载能力较强等优点,能够实现光弹调制器驱动电压实时精确的控制。