铍/聚乙烯/铁组合球中的反应率测量

用HPGe探测器和活化箔法测量了DT中子照射下^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au、^197Au(n，γ)^198Au反应在铍／聚乙烯／铁组合球中的活化率。运用MCNP／4B程序和ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行模拟计算。对于^27Al(n，α)。^24Na、^197Au(n，2n)^196Au反应，计算值与实验结果基本一致；^197Au(n，γ)^198Au反应计算结果与实验结果有相当大的差异。一个可能的原因是金箔对低能中子的自屏蔽效应。     

14MeV中子在φ600mm贫化铀球中造钚率测量

使用中子活化技术对２３８Ｕ（ｎ，γ）２３９Ｕ反应产物２３９Ｕ衰变后的２３９Ｎｐ子体的２７８ｋｅＶγ射线的绝对测量，获得了１４ＭｅＶ中子在６００ｍｍ贫化铀球中的造钚率。其实验测量值为２．４６±０．０９。２７８ｋｅＶγ射线用高纯锗探测器测量，探测器的有效计数效率用２４３Ａｍ源刻度。６００ｍｍ贫化铀球由７层贫化铀球壳组成，球心有一８０ｍｍ源腔，总重约２．１ｔ。     

用贫化铀裂变室测量绝对裂变率的影响因素研究

用贫化铀裂变室进行绝对裂变率测量。分析了裂变室记录裂变碎片的效率．对影响绝对裂变率测量的因素进行实验研究，包括探测器之间扰动影响，裂变室结构材料的影响等。     

贫化铀球装置内的~(238)U(n,2n)反应率实验研究

采用两套不同尺寸的贫化铀球装置开展了装置内部的238 U(n,2n)反应率实验研究,利用PD-300加速器D-T中子源辐照实验装置,源强变化采用伴随粒子法监测,238 U圆片放置在实验装置的45°孔道内,分布在距中子源不同距离处,辐照结束后,采用HPGe探测器测量238 U圆片活化γ射线。实验结果与蒙特卡罗程序模拟计算结果进行了比较和分析。结果表明,238 U(n,2n)反应率实验结果与模拟计算值较吻合,238 U(n,2n)反应率随球体半径r的增加,近似服从e-ar/r2分布规律。     

14MeV中子在贫化铀球中造钚率的实验数据模拟分析

根据已开展的14MeV中子在 600mm贫化铀球中的造钚率实验,使用MCNP5程序对实验结果及其影响因素进行数值模拟分析。结果表明：B-Ⅵ版的uresa库和endf66c库对造钚率的模拟结果与实验结果相符;管道的空腔效应、靶室结构材料和水层的屏蔽散射效应及大厅本底中子等因素对造钚率影响较小。     

钒球的中子倍增率与活化反应率

以一直径138cm的聚乙烯球作为中子慢化剂与全吸收探测器，采用全吸收法测量了钒球的14MeV中子的泄漏倍增率。用1支与H对热中子具有相同1／V吸收规律的^6Li玻璃探测器的测量子全吸收体的径向中子计数率分布。实验得到了钒球中心D－T中子时的Al、Fe、In和V一组阈探测器的绝对活化反应率的分布。用MCNP／4A程序、ENDF／B－Ⅵ和FENDL－2核数据进行了模拟计算。与实验结果相比较可知：用ENDF／B－Ⅵ库数据的计算结果与实验结果符合良好，而用FENDL－2库数据的计算结果比实验结果约高4％。     

D-T中子照射下贫化铀球、钒球介质内中子能谱和伴生γ能谱测量

为获得介质内中子能谱及伴生γ能谱的实验数据，在中心D-T中子照射下，用18mm×20mm的茋闪烁体探测器，测量了与D+束成45°角的水平方向距球心7、10、13、16、19、22cm位置处贫化铀球介质内的中子能谱和伴生γ能谱，以及钒球内与D+束成0°角、距离球心1.8、4.8和8.3cm处的中子能谱和伴生γ能谱。用MCNP/4B程序和ENDF/B-VI库数据对实验模型进行模拟计算，并与实验结果进行了比较。     

铍中的反应率测量和分析

用４种不同阈能的活化箔测量和比较了两种铍系统中的绝对活化反应率。铍厚分别为５．３和８．４ｃｍ,,活化箔为Ｉｎ,Ｚｎ,Ａｌ和Ｃｕ,实验总２为５％－７％,分析和比较了实验结果与用１－ＤＡＮＩＳＮ程序和ＥＮＤＦ－Ｂ／Ⅵ库数据的计算结果,两者间的偏差均小于７％。     

14 MeV中子在组合材料上高阈能活化反应率的测量和计算

用六种阈能探测器Fe、Al、C2F4、Nb、Zr和Cu测量了D-T聚变中子在柱状组合材料上的高阈能活化反应率,讨论了实验结果。用MCNP/4B程序计算了实验装置上的活化反应率,并与实验结果进行比较。结果表明,除F活化反应率符合较好外,其余相差10％-30％。     

活化法测量中子能谱实验中反应率及初始谱的检验

利用活化法对西安脉冲反应堆辐照腔进行了中子能谱测量。对活化片的测量数据进行了分析,发现其中一个反应道的反应率测量值不准确,并以此为切入点展开深入研究,总结出评定实验数据的定性分析方法:在有限次迭代后,通过对各反应道反应率计算值与实验值之比与1的偏离程度判断实验数据的置信度,进行实验数据取舍后再进行解谱。此外,分析了不同初始能谱对解谱结果的影响。结果表明:初始能谱与实际能谱偏差越大,共振区的截面数据对结果的影响越明显。为此,提出了一种判断初始能谱是否合适的方法。     

符合中子法测量贫化铀部件质量技术研究

分别采用有源（主动）及无源（被动）符合中子法研究了贫化铀半球壳部件质量的测量方法与技术。采用井型中子符合计数器对不同质量的贫化铀部件进行了符合中子计数的测量,主动法测量选取Am-Be源作为诱发中子源,通过屏蔽体减小源中子偶然符合计数的影响,根据测量结果求出的贫化铀部件线性拟合质量与标称质量最大相对偏差达11.71%,而被动法测量的拟合质量最大相对偏差仅为4.05%。证明了由于与主动法相比减弱了形状的影响,采用被动法测量贫化铀部件质量精度更高且更为可靠。     

关于贫化铀容器露天存放的安全分析

贫化铀是铀浓缩的副产品,随着核能行业的发展,贫化铀的存储量逐年增加。通过对贫化铀的现有存量、年新增量的模拟推算,对从目前贫化铀存放面临的问题,如容器露天存放仅有一道放射性包容的屏障、贮存需要很多容器、自然环境对容器的腐蚀等对贫化铀容器的露天存储现状进行归纳总结,从流出物排放限值、核事故等级、最大假象事故等方面对贫化铀容器露天存放存在的安全隐患进行分析,进而从核安全监管角度对贫化铀的存放提出意见和建议。     

离子注入碳对铀抗腐蚀性能影响的研究

利用离子注入技术分别用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层，并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）及表面相结构衍射谱（XRD）分析，利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。结果表明：离子注入碳能够提高铀表面抗腐蚀的能力。     

贫铀表面脉冲电镀镍层的腐蚀机理研究

利用扫描电镜、X射线能谱仪及电化学测试技术对贫铀表面脉冲电镀镍层的腐蚀机理进行了研究。结果表明：在含50μg／g Cl^-的KCl溶液中，首先，在铀表面镍镀层的孔隙处发生腐蚀并逐渐扩展到铀／镍界面；腐蚀产物在界面的积累导致镍镀层开裂；镍对铀是一种阴极性镀层，铀镍接触发生电偶腐蚀，镍对铀的保护作用基于镍镀层对腐蚀介质的物理屏障，提高镀层的致密性可改善镍镀层对铀基体的抗腐蚀能力。     

铀表面磁控溅射镍镀层的电化学腐蚀行为研究

采用磁控溅射离子镀膜技术在贫铀表面制备金属镍镀层,利用电化学测试技术研究了镍镀层在Cl^-溶液中的电化学腐蚀行为。结果表明：在含50 μg/g Cl^-的KCl溶液中,镍镀层的腐蚀电位-100.8 mV高于贫铀的腐蚀电位-641.2 mV,相对于贫铀是阴极性镀层,对贫铀的保护基于对腐蚀介质的物理屏障;镀镍贫铀样品的极化电阻和电化学阻抗幅值远大于贫铀,其腐蚀电流远小于贫铀;约70 h的连续腐蚀实验中镍镀层未出现镀层破裂、剥落现象,且腐蚀电位、电流保持稳定。说明镍镀层对贫铀基体具有良好的防腐蚀性能。     

活化法区分浓缩铀与贫化铀数值模拟研究

铀材料的辐射探测方法是核查技术研究的重要内容,主动法是铀材料探测的有效方法之一.论文利用MCNP程序计算分析了活化法区分浓缩铀和贫化铀的可行性,研究表明通过铀材料的裂变率-慢化体厚度的关系曲线能够判断是贫化铀还是浓缩铀.计算分析了~(252)Cf和14MeV中子源在铀材料探测中的优缺点,结果表明~(252)Cf中子源优于14Mev中子源.最后从测量的角度,重点分析了探测对象--缓发γ射线和缓发中子,分析表明探测缓发中子优于缓发γ射线.