半导体照明大功率LED进展

半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。20世纪90年代年以来，随着氮化镓基第三代半导体的兴起，蓝色和白色发光二极管的研究成功，半导体照明已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其经济和社会意义巨大。     

突破壁垒,闯出自已的路--中国科学院院士王占国剖析我国半导体照明产业的问题与对策

基于半导体照明的节能、环保和巨大的潜在市场，许多国家政府都给予了高度重视，相继制定了国家级研究计划。在各国政府的大力支持下，1999年世界三大照明公司——通用、飞利浦和欧司朗同时与半导体界的佼佼者联合，组建了半导体照明公司，还有日本的日亚、美国的Cree公司等，都正在集中全     

实现半导体白光LED的新途径

光子再生LED技术、隧道再生LED技术、多量子阱和量子点白光LED技术，是避开国际专利冲突，从而获得白光LED的新方法。     

白光LED用MSrAl3O7:Eu2+(M=Y,La,Gd)绿色发光材料合成及其光学性能

采用传统的高温固相合成技术制备出一系列组成为MSrAl3O7:Eu2+(M=Y,La,Gd)的新型绿色发射荧光体.通过X射线衍射(XRD)研究其晶体结构发现:MSrAl3O7:Eu2+系列荧光体属于M2O3-SrO-Al2O3赝三元体系的稳定结晶相.荧光光谱测试表明:MSrAl3O7:Eu3+(M=Y、La、Gd)材料均是优良的白光LED用绿色荧光体,可被近紫外(300～450nm)有效激发,产生较强的绿色发射光,发射主峰位于517nm左右,样品的紫外-可见(UV-vis)光谱进一步证实了其有效吸收近紫外光的特征.研究还发现,在MSrAl3O7:Eu2+(M=Y、La、Gd)系列荧光体中,LaSrAl3O7:Eu2+具有最强的绿色发射光,进一步地比较不同温度下LaSrAl3O7:Eu2+材料的结构与光谱特性表明,1400℃合成的样品具有稳定的结构和最佳的发光性能.     

白光LED用宽谱激发智能型硅酸盐发光材料

白光LED被誉为21世纪的新一代光源--第四代电光源,已经越来越受到人们的关注.     

白光LED用光转换材料的研究

白光LED是新型的固体照明光源,具有耗电量小、寿命长、环保、响应速度快等优点.主要介绍了与白光LED相匹配的光转换材料的种类及每种光转换材料的研究进展,并比较了其优缺点.单一基质白光荧光粉因颜色稳定、色彩还原性好,成为白光LED用光转换材料的研究热点,此外由于近紫外LED芯片的研究也比较活跃,所以目前对于单一基质白光荧光粉的研究多是基于近紫外芯片激发.随着研究的深入,近紫外LED与单一基质白光荧光粉相匹配实现白光发射有望成为白光LED产业化的主体.     

太阳能半导体照明的机遇及前景

太阳能是永不枯竭和清洁可再生的能源，将成为21世纪最理想的新能源，预计到21世纪中叶，太阳能光伏发电将达到世界总发电量15％～20％。半导体照明利用发光二极管(LED)提供固态光源，成为继白炽灯、日光灯之后新的照明光源，将在2010年或2015年大规模应用。太阳能半导体照明是新一代能源和新一代光源的结合，本论述了其特点、应用情况及发展前景。     

电子材料

广东建全国最大液晶平板基地，日本计划开发下一代半导体基片，日亚白光LED芯片光效有新突破，三井金属开发出事先混合好的白色荧光体，Avago公司推出超亮发光二极管     

白光LED用光转换材料的研究与发展

白光LED是新一代半导体照明光源,高效光转换材料的合成制备是其关键技术之一.简要介绍了白光LD的基本原理,分析了光转换材料的光转换性及其影响因素,综述了白光LED用光转换材料体系和性能特点,最后探讨了光转换材料的发展趋势.     

高亮度LED衬底材料研究

衬底材料作为半导体照明产业技术发展的基石,是半导体照明产业的核心,具有举足轻重的地位,直接决定了LED芯片的制造路线.高亮度LED的半导体材料体系对衬底材料提出的要求比传统的LED更为严格.村底材料表面的粗糙度、热膨胀系数、热传导系数、极性的影响、表面的加工要求以及与外延材料间晶格间不匹配数,这些因素与高亮度LED的发光效率与稳定性密切相关.重点介绍几种典型材料与外延材料的晶格匹配及其加工要求,从材料制备难易程度和衬底与外延薄膜的化学稳定性对各种衬底材料进行比较分析,并对衬底材料的应用前景进行了预测.     

半导体照明最新应用成果

寰宇辛巴达科技股份有限公司自行研发的高功率超高限亮度白光LED的称为有机聚合物发光二极管最新技术及其产品在国内推广。该技术最大特点在于避开了现有的蓝光外加无机荧光粉之白光专利技术，其产品比目前市场上同等级产品亮度增加20％，价格低25％，使用寿命8万h以上。该技术已在中国台湾地区获得“白光发光二极体”专利证书，同时在中国内地、美国、日本、韩国等申报专利。     

LED照明用红色荧光粉的制备工艺研究进展

红色荧光粉是白光LED照明应用中的一种关键发光材料,一直是人们研究的重点.合成红色荧光粉最主要方法是高温固相法.为了降低合成温度、优化性能和降低成本,其合成方法先后出现了溶胶-凝胶法、沉淀法、水热法、微波法和燃烧法等.目前在"紫外或紫外光LED+RGB荧光粉"的方法中,红、绿、蓝三种荧光粉的效率都有较大的提高,但红色荧...     

半导体材料发展动态

本文对80年代国内外半导体Si单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物GaAs单晶材料的市场,生产及科技进展进行了综述,对90年代半导体材料的发展提出了一些看法。     

日本2005年上半年度化合物半导体材料发货情况

日本2005年上半年度（4-9月）GaAs、GaP系化合物半导体需求锐减。在DVD用半导体激光器方面，由于库存调整延迟导致需求减少，且GaP系可视LED等市场也持续低迷。     

电子信息材料

Cree公司授权白光LED专利给台湾；欧司朗光电半导体推出改良薄膜LED；NESS Display在新加坡的首家OLED工厂开业；先锋退出OLED业务关闭合资工厂裁员600人；出光和索尼联手开发OLED；深天马（000050）：建4．5代TFT—LCD生产线将于2008年建成投产；可乐丽新型液显偏光薄膜材料 改进加工性和光学特性；智索在台湾设立液晶材料调配基地；低噪音超声波洗净设备瞄准液晶玻璃底板洗净用途。     

冉冉升起的半导体材料产业新星——中科镓英半导体有限公司

企业发展历程,创业人物心声,创新发展新举措,成功者的故事为您带来成功的启迪。     

电子信息材料

日本LED技术获突破发光效率增倍 据日本《Nikkei Business Daily》报道，日本科学家近日在白色LED照明技术上获得技术突破，成功将LED     

白光LED用(CaO-CaCl_2-SiO_2):Eu~(2+)的合成及光谱特性研究

采用高温固相法合成(CaO-CaCl2-SiO2):Eu2+荧光材料。利用X射线衍射、荧光激发和发射光谱对材料的结构和光谱特性进行了研究。在近紫外光(350～420nm)激发下,900℃下合成的(CaO-CaCl2-SiO2):Eu2+可有效发射出峰值波长位于510nm的绿色荧光;1100℃下合成的(CaO-CaCl2-SiO2):Eu2+则发射出峰值位于582nm的黄色荧光。利用VanUit-ert公式讨论了1100℃下合成的(CaO-CaCl2-SiO2):Eu2+中Eu2+的晶格环境和发光特性,推断该体系中存在绿色和黄色两种发光中心。探讨了Eu2+在(CaO-CaCl2-SiO2)基质中的浓度猝灭效应,其机理为激活剂邻近离子间的相互作用。     

半导体照明将触发照明光源的革命

虽然半导体白光照明相对与传统照明光源相比，具有体积小、寿命长、节能、环保和安全等优势．但是由于生产成本较高．尚未进入到实际应用。随着能源的紧缺和对环保的日益关注．世界各国都制定了相关的研究规划开展此方面的研究。如果能够解决突破半导体照明的核心技术．提高发光效率，降低生产成本，未来的半导体白光照明应用市场前景广阔。