2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性进行了改进,并采用标准１４脚碟型管壳对集成器件进行了封装。封装后的发射模块阈值电流约为２０￣３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＶ,在３Ｖ的反向调制民压下消光比约为１７ｄＢ。我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输     

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

在793.2km G.652光纤上的10 Gbit/s传输实验

介绍了国内首次在７９３．２ｋｍＧ．６５２光纤上进行的１０Ｇｂｉｔ／ｓ系统传输实验,本次实验使用武汉邮电科学研究院研制的１０Ｇｂｉｔ／ｓＳＤＨ设备,以及１０只ＥＤＦＡ与补偿量为７２０ｋｍ的色散补偿光纤,实验结果表明：在误码率ＢＥＲ＝１０＾－１２接收灵敏度可达到－１８．８ｄＢｍ,传输实验的通道代价为０．４ｄＢ。     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

2.5Gbit／s用DFB—LD／EA单片集成器件

本文报道了采用全ＭＯＣＶＤ生长的１．５５μｍ单片集成ＤＦＢ－ＬＤ／ＥＡ组件的制作和在ＤＷＤＭ系统上的传输测试结果,该发射模块在２．５Ｇｂｉｔ／ｓ ＤＷＤＭ系统上进行传输试验,传输２４０ｋｍ后无误码,其通道代价≤１ｄＢ,ＢＥＲ＝１０＾－１２。     

2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

X波段1.5W GaAs MMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计,制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立,电路ＣＡＤ优化,ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下,输出功率大于３２ｄＢｍ,增益大于１０ｄＢ。     

X波段1.5WGaAsMMIC研究

介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓＭＭＩＣ的设计、制作和性能测试,包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立、电路ＣＡＤ优化、ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为： 在频率９．４～１０．２ＧＨｚ下, 输出功率大于３２ｄＢｍ , 增益大于１０ｄＢ。     

Ka波段功率PHEMT的设计与研制

报道了Ｋａ 波段功率ＰＨＥＭＴ的设计和研制结果。利用双平面掺杂的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ材料,采用０．２ μｍ 的Ｔ型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率ＰＨＥＭＴ的初步测试结果为：Ｉｄｓｓ：３６５ ｍ Ａ／ｍ ｍ ;ｇｍ ０：３２０ ｍ Ｓ／ｍ ｍ ;Ｖｐ：－ １．０～－ ２．０ Ｖ。总栅宽为７５０ μｍ 的功率器件在频率为３３ ＧＨｚ时,输出功率大于２８０ ｍ Ｗ,功率密度达到３８０ ｍ Ｗ／ｍ ｍ ,增益大于６ ｄＢ。     

高速光通信用的光电子器件的进展

人类社会的信息化建设正在加速进行,即使是在全球经济发展不景气的情况下,通信和信息行业也十分红火。光通信呈现着蓬勃发展的新局面,正朝着高速、超高速光纤传输、超大容量的ＷＤＭ、ＯＴＤＭ以及全光网等方向发展。但这些系统的实现还依赖于相应的光电子技术的进步。一系列的光电子器件将在未来的通信网中起着重要的作用,因而各国从事光电子器件的研究者都在奋力开发各种高性能器件,研究其材料及工艺,并取得了丰硕成果。１．ＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成光源ＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成光源具有低啁啾、低驱动电压（Ｖｐｐ：２～３ｖ,ＬｉＮｂＯ３调制器的Ｖｐｐ：４～５ｖ）、低功耗、容易与激光器或其它波导器件集成、耦合损耗低、调制效率高、且体积小（一般长０．２ｃｍ左右,而ＬｉＮｂＯ３调制器长８ｃｍ）等优点,特别是含有增益耦合的ＤＦＢ激光器因为具有动态单模和调制啁啾小等特性,有助于减小集成器件线宽,而且它还具有较强的抗端面反射能力,从而减小因端面反射引起的啁啾,改善集成器件的啁啾特性等。该光源现已广泛用于２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓ等高速传输系统,其中２.５Ｇｂｉｔ／ｓＤＦＢ激光器／ＥＡ调制器集成器件已成为干线光纤通信系统的主要光源。１０...     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

元器件快讯

陶瓷双工器 (天线分离滤波器 )ＩｎｔｅｒｇｒａｔｅｄＭｉｃｒｏｗａｖｅ公司推出的９３００７３型陶瓷天线分离滤波器的工作频率为２．４ＧＨｚ ,通道带宽为１０ＧＨｚ ,插入损耗为２．５ｄＢ ,其１０ｄＢ时的带宽为７５ＭＨｚ ,ＴＸ／ＲＸ隔离度为２２ｄＢ。该分离滤波器的每个通道均有２个极 ,可用来处理５Ｗ的载波 (ＣＷ)。该器件采用ＳＭＴ标准封装。选项包括普通频率和抑制点。尺寸为１．１０"×０．４７"×０．３１"。咨询编号 :０２０１４０紧缩式温度补偿晶体振荡器由ＦＯＸＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ推出的ＦＯＸ３０７系列温度补偿…     

单片共面94GHz调频连续波雷达传感器

本文介绍了一种采用０．１５μｍＡ１ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＭ－ＨＥＭＴ技术的低功耗９４ＧＨｚ单片集成共面调频连续波雷达的芯片。此芯片包括ＶＣＯ、数个ＧＨｚ的电调范围,发射和接收放大器,混频器和定向耦合器。单片微波集成电路仅８ｍｍ＾２,在０．７Ｗ的直流电能消耗中传输射频功率达１０ｍｗ。接收机噪音系数为６－７ｄｐ,变频增１０ｄＢ。     

8mm GaAs Gunn稳态功率放大器

报导了以商用ＧａＡｓＧｕｎｎ氏振荡管（超临界掺杂Ｇｕｎｎ二极管）研制稳态型功率放大器的设计方法和研制结果。提出了放大器宽温不稳定的解决方法。单管单级放大器，增益大于１０ｄＢ，带宽大于２ＧＨｚ（３３～３５ＧＨｚ），最大输出功率２００ｍｗ，能在－４０～＋５５℃内稳定工作，全温增益变化小于０．５ｄＢ，带内波纹小于０．５ｄＢ。可靠性高。     

完全 MBE 生长的内含吸收型光栅 GaAlAs／GaAs 多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器

我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ．     

2.30GHz—2.70GHz锁相环式频率综合技术研究

本文阐述了一个基本的Ｓ波段锁相式频率综合器，频率范围是２．３０ＧＨｚ－２．７０ＧＨｚ，频率步进为５ＭＨｚ，相位噪声指标为￡（１０ｋＨｚ）〈－９５ｄＢｃ／Ｈｚ，杂散抑制优于５０ｄ，输出功率大于１０ｄＢｍ。     

10～11GHz 1W GaAs功率单片集成电路

介绍了以栅宽１．２ｍｍ ＧａＡｓＦＥＴ器件为基础的两级ＧａＡｓ功率单片集成电路的设计、制作及其性能，该两级单片集成电路在１０￣１１ＧＨｚ频带内，输出功率１Ｗ，增益１０ｄＢ。