Sega——专业音箱中的新宠

Ｓｅｇａ专业Ｓ系列音箱从原材料的开发,喇叭单元的设计和箱体的设计都采用高科技技术,不断创新与突破,使其从外观到音质乃至工作稳定性都有突出的表现。Ｓｅｇａ专业Ｓ系列音箱共有六个不同型号:Ｓ122、Ｓ152、Ｓ215、Ｓ122Ｍ、ＳＵＢ215、ＳＵＢ18,全频箱、返听箱、超低音箱一应俱全。Ｓ系列音箱箱体采用加拿大木材制造,经过干湿高温加压处理,防潮,防蛀防腐。科学便捷的固定安装孔使您安装更轻松快捷,吊装更自如。重心设计提手搬运容易。箱体采用梯型设计,更方便组合音箱阵列。其优良的恒定指向性号角可在现场把声波能量集中到观众区,避开…     

PS／粉末SBR—g—S共混体研究：Ⅱ.粉末SBR—g—S的相结构 …

测定了ＳＢＲ－ｇ－Ｓ的接枝率,用ＴＥＭ检测了粉末ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ）的相结构。用ＤＳＣ测定了ＰＳ／ＰＲ共混体的Ｔｇ,研究了ＰＳ／ＰＲ共混体的相容性。结果发现,在接枝率为３２．６％的粉末非交联ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ１）的相结构中ＳＢＲ为连续相,在连续相中均匀分布着直径约０．０１μ的ＰＳ微区;ＰＳ为细胞状分散相,粒径１～５μｍ,分散相含有ＳＢＲ包藏物。在接枝率为８．５％的粉末交联ＳＢＲ－ｇ－Ｓ（ＰＲ２     

超负磁致伸缩晶体Sm—Fe,Sm—Dy—Fe和Sm—Dy—Fe—Al的研究

本文研究了轻稀土负磁致伸缩ＳｍＦｅｘ（１．４０≤ｘ≤１．９４），ＳｍｘＤｙ１－ｘＦｅｙ（０．８４≤ｘ≤０．９２，１．８０≤ｙ≤１．９０），Ｓｍ０．９０Ｄｙ０．１０（Ｆｅ０．９５Ａｌ０．０５）１．８０晶体的制备，热处理及磁学性能，发现ＳｍＦｅｘ合金的λ－ｘ曲线存在两个峰值，峰值的ｘ点热处理发生的变化有一定的规律性，还比较了热处理前后，Ｓｍ－Ｆｅ、Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ和Ｓｍ－Ｄｙ－Ｆｅ－Ａｌ的相组成对性能     

Na—α‘—Sialon的形成

合成了Ｎａ－α＇－Ｓｉａｌｏｎ，并研究了它的生成随温度变化的关系，发现Ｎａ－α＇－Ｓｉａｌｏｎ不稳定，易发生分解，分解产物为β＇－Ｓｉａｌｏｎ、ＡＩＮ和１５Ｒ等；在Ｎａ－α＇－Ｓｉａｌｏｎ的生成过程中，发现一个不稳定的过渡新相：Ｎａ－Ｏ＇－Ｓｉａｌｏｎ，并给出了它的点阵常数。     

在热处理过程中α—β—Sialon的相奕

Ｓｉａｌｏｎ陶瓷在热处理过程中经常发生α－Ｓｉａｌｏｎ→β－Ｓｉａｌｏｎ的相变。晶界中液相的结晶化是导致热处理地α－Ｓｉａｌｏｎ→α－Ｓｉａｌｏｎ相变的原因。这种相变的程度随组份中液相量增加而变大而且与稀土的原子序数有关。     

Ca—α—Sialon／SiC纳米相复合材料

本文通过反应热压压制备了Ｃａ－α－Ｓｉａｌｏｎ／ＳｉＣ纳米相复合材料。显微结构研究表明，α－Ｓｉａｌｏｎ（α＇）晶粒细小，成等轴状；ＳｉＣ颗粒直径在５０￣１５０ｎｍ左右，颗粒较大的分布于α＇三晶粒的交叉处，颗粒较小的可以被包裹在α－Ｓｉａｌｏｎ的晶粒内部。纳米相ＳｉＣ的加入对裂纹扩懈具有较大的阻碍作用，从而强化晶界，使材料的强度和硬度都有明显提高。     

SOI——二十一世纪的微电子技术

与体硅材料和器件比较,ＳＯＩ具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无闩销效应等,因而被称为二十一世纪的微电子技术而引起你们越来越多的关注。ＳＯＩ技术正走向商业应用阶段,特别是应用于高性能、低功耗ＣＭＯＳ电路,抗辐照器件和高温电子器件等。本文综述了ＳＯＩ材料和器件的最新进展。     

含硼Si—N—C纤维的高温结构组成研究

研究了含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维的组成、结构及其在高温环境下的变化。ＩＲ、ＸＰＳ、ＥＡ、ＳＲＤ、ＳＥＭ等分析结果表明，１２５０℃烧成的含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维由Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ几种元素组成，呈无定形结构；经１８００℃高温处理后纤维的主要结构变为α－ＳｉＣ。在高温环境下，Ｂ始终以Ｂ－Ｎ键形式稳定存在，与Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维比较，含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维表面光滑，晶粒尺寸小，表明硼的引入可以有效改善纤维高温下的微观     

Ti—Si—Nd纳米复合材料的微观结构

加入６ｍｇ．ｇ＾－１Ｎｄ的非晶Ｔｉ８０Ｓｉ２０合金，在５５０－７００退火１ｈ后，可形成Ｔｉ３Ｓｉ基体相与弥散分布的α－Ｔｉ颗粒组成的纳米 合材料，Ｘ射线及电子衍射分析表明，在晶化过程中，初始析出相为小颗粒的α－Ｔｉ，随后析出主相Ｔ３Ｓｉ和少量Ｔｉ３Ｓｉ３，但未见稀土相形成，用电镜研究了Ｔｉ３Ｓｉ的亚晶结构。     

PPO作为[PPO—PDMS—PHS]n／PS增容剂的研究

报导了一种新的共混增容体系，以均聚物ＰＰＯ作为相容共混体系「ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ」ｍ／ＰＳ的增容剂，ＤＳＣ和ＤＭＡ的研究结果表明，ＰＰＯ对「ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ」ｎ／ＰＳ共混体系确有增容作用，ＰＰＯ的含量在１３．５％以下时，ＰＳ，ＰＰＰＯ「ＰＰＯ－ＰＤＭＳ－ＰＨＳ」ｎ中的硬段相容为一相；     

p^＋—GaInAsSb／p—GaInAsSb／n—GaSb异质结红外探测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱，红外吸收谱，Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。     

含US—SSY分子筛的Ni—W—γ—Al2O3体系的EXAFS研究

运用ＥＸＡＦＳ技术分别对含有自冷和急冷ＵＳ－ＳＳＹ分子筛的Ｎｉ－Ｗ－γ－Ａｌ２Ｏ３样品中的Ｗ和ＬⅢ吸收边的Ｎｉ的Ｋ吸收边进行了结构分析。结果表明分子筛超稳化后的冷却速率对样品中原子的局域结构有影响，进而影响了样品的催化活性。急冷样品中Ｗ的分散度比自冷样品差，其八面体结构含量较高，并有钨钼氧原子簇产生。     

β‘—Sialon—AlN多型体陶瓷研究

在Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ－Ｎ系统中，研究了β－Ｓｉａｌｏｎ－１２Ｈ ＡｌＮ多型体自补强复相陶瓷、利用气压吉工艺制备了致密的β－Ｓｉａｌｏｎ－１２Ｈ ＡｌＮ多型体材料，研究结果表明，材料的主晶相是β－Ｓｉａｌｏｎ－１２Ｈ ＡｌＮ多型体，晶界由含Ｌａ－Ｓｉ－Ａｌ－Ｏ－Ｎ的玻璃相和微量的结晶相组成。     

PS—SbCl3／AlCl3引发α—蒎烯阳离子聚合反应

用聚苯乙烯负载ＳｂＣｌ３得到大分子催化剂ＰＳ－ＳｂＣｌ３，研究了ＰＳ－ＳｂＣｌ３／ＡｌＣｌ３复合体系对α－蒎烯阳离子聚合的催化性能。结果表明，与直接用ＳｂＣｌ３与ＡｌＣｌ３复合相比，ＰＳ－ＳｂＣｌ３／ＡｌＣｌ３体系催化α－蒎烯配合，在保持较高单体转化率的同时，使聚合反应变缓，避免了由于反应过快而引起的聚合产物中二聚体含量上升，Ｍｎ下降的现象。     

RADISS——面向CIMS／MIS的快速开发平台

介绍了一个ＣＩＭＳ环境下的管理信息系统的快速开发平台。该平台采用ＣＬＩＥＮＴ／ＳＥＲＶＥＲ体系结构，在ＵＮＩＸ及ＷＩＮＤＯＷＳ操作系统和支持ＴＣＰ／ＩＰ网络协议的环境下，提供了一组快速开发ＣＩＭＳ／ＭＩＳ的主包括ＭＲＰ、ＢＯＭ处理在内的集成支持环境，可以极大地提高应用系统的开发效率，缩短应用系统的开发周期，并使应用系统具有较好的集成性和开放性。     

SED—08路由器

介绍了我国自主开发的首台国产路由器ＳＥＤ－０８。它能把以太网和ＤＤＮ远程网互连，并能通过ＴＣＰ／ＩＰ、ＳＰＸ／ＩＰＸ等协议实现用户间的互操作。它采用Ｉｎｔｅｌ芯片作为主ＣＰＵ以及ＰＣＩ总线传输数据，且具有防火墙、带宽优化和高速队列管理等算法，支持ＳＮＭＰ管理功能。该路由器目前已通过生产定型，并获得ＩＳＯ９００１和ＩＳＯ９００２认证。     

DS—3与DS—4邻频保护率的试验

本文介绍ＤＳ－３与ＤＳ－４邻频干扰与邻频保护率的试验情况。试验获得的－１５ｄＢ邻频保护率数据可供规划米波电视覆盖网安排ＤＳ－３及ＤＳ－４时参考，以便充分挖掘、利用ＶＨＦ波段的频道资源。     

SACD用芯片DSD—1700

新一代音源格式ＳＡＣＤ和ＤＶＤ－Ａｕｄｉｏ已为大家所熟知,虽然目前市场上这种机型尚不多见,但是从发展趋势上看,的确有可能成为新一代的音源,可能成为目前ＣＤ机的换代产品。 ＳＡＣＤ是以ＳＯＮＹ和菲利浦为首的一些商家采用的格式,马兰士、金嗓子等已推出自己的ＳＡＣＤ产品。 目前适应ＳＡＣＤ和ＤＶＤ－Ａｕｄｉｏ的需要已经推出多种芯片,下面介绍一款适用于ＳＡＣＤ的芯片ＤＳＤ－１７００。 ＤＳＤ－１７００是ＳＯＮＹ公司和ＢＢ（Ｂｕｒｒ Ｂｒｏｗｎ）公司携手共同开发的。 下图是ＳＡＣＤ中的信号流程（图１） 原始的模…     

Fe—Mn—Si—Cr—Ni形状记忆合金超弹性的研究

用拉伸实验研究了Ｆｅ－１５．２Ｍｎ－６Ｓｉ－８．３Ｃｒ－７Ｎｉ、Ｆｅ－１６Ｍｎ－５Ｓｉ－９Ｃｒ－４Ｎｉ和３１７Ｌ不锈钢的应力应谜面工线。结果表明,铁基形状记忆合金存在显著的超弹必     

微量Si在W—7Ni—3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为。结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中。Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２。