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电涡流间隙传感器的温度补偿 总被引:5,自引:0,他引:5
电涡流间隙传感器具有无接触测量、动态响应快和适应性好等特点,应用领域十分广泛,缺点是温度漂移较大。介绍了电涡流传感器工作原理,并分析了温度漂移的主要因素。建立了检测线圈的数学模型,通过温控试验证明了数学模型的正确性;利用差分方式抵消了检波电路参数的温度漂移,提高间隙信号输出的稳定性。通过试验对检测线圈和检波环节补偿电路进行验证,得出温度-检测线圈输出电压曲线,将补偿前和补偿后试验结果进行对比,满足JJG 644-90标准要求,温度漂移小于12.1%,证明了补偿方法的有效性。 相似文献
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电涡流传感器的温度漂移制约了其测试精度,因此需要给以温度补偿;理论分析出导致传感器温度漂移的主要原因在于线圈电阻的温度系数过大,因此提出采用无感线圈进行补偿的方法,并给出了设计实例;实验表明该方法在20~90℃温度范围内补偿效果良好,温度稳定性达到0.7%;该方法简单、有效且成本低,可扩展应用于其他类型电涡流传感器. 相似文献
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不同空间环境温度影响图像传感信号,导致图像传感信号出现温度漂移的问题,为了提升图像传感信号温度漂移补偿效果,提出基于透射图融合的图像传感信号温度漂移智能补偿方法。该方法详细分析了温度对图像传感信号的影响,确定图像传感信号的温度漂移问题,根据分析结果,引入透射图融合方法,增强处理图像传感信号质量,结合最小二乘拟合方法,构建图像传感信号智能补偿模型,修正图像传感信号,实现图像传感信号温度漂移补偿。实验结果表明,通过分析采用该方法补偿的图像传感器信号,补偿误差仅为0.65×104,补偿消耗时间不超过0.4 s,验证了该方法的有效性和可行性。 相似文献
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针对微测系统中压电陶瓷传感器的灵敏度温漂会使其在变化的温度环境中工作时性能不稳定,进而影响检测精度问题,提出了一种基于改进Elman神经网络的压电陶瓷传感器灵敏度温漂误差补偿控制方法。分析了压电陶瓷传感器产生灵敏度温漂现象的原因。以压电陶瓷切削力测量传感器为对象,在不同温度下对传感器的灵敏度进行了标定试验研究。研究结果表明,压电陶瓷传感器在同一温度下工作时具有良好的线性度,在温度变化的环境中工作会伴有灵敏度温漂现象。为了有效补偿灵敏度温漂附加误差,提高检测精度,建立了基于改进Elman神经网络的灵敏度温漂补偿模型,并对模型涉及的学习算法、激励函数、输入输出层节点以及承接层和隐含层节点数等相关内容进行了研究。对比试验验证结果表明,所建立的灵敏度温漂补偿模型对压电陶瓷传感器的灵敏度温漂误差补偿控制效果明显,未经灵敏度温漂补偿,直接按照常温下灵敏度标定结果预测的压电陶瓷传感器加载力和实际加载力之间误差较大,最大误差达到29.16 N,利用本文建立的基于改进Elman神经网路灵敏度温漂补偿模型补偿后,补偿模型的预测力和压电陶瓷传感器的实际加载力最大误差仅0.72 N,有效保证了检测精度。 相似文献
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传感器的零点温度漂移、灵敏度温度漂移和非线性误差是影响传感器性能的主要因素,如何能使该类误差得到有效补偿对于提高其性能有重要意义。提出了基于三次样条曲线插值的温度补偿方法,改进了传统三次样条曲线插值的补偿方法,分别对传感器的零点、灵敏度以及非线性进行补偿,用这种方法对测压范围为1.0140×105 Pa~3.0140×105 Pa,温度范围为-20℃~+60℃的硅压阻式压力传感器的实验标定结果进行了温度补偿。通过比较传统三次样条插值补偿后的传感器输出信号,验证了使用改进后的三次样条曲线插值法的补偿效果更好。这种方法为高精度压力传感器的温度补偿提供了一种有价值的理论依据。 相似文献
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针对压阻式压力传感器存在温度漂移,其测量精度受温度影响很大的问题,使用最小二乘拟合方法与RBF神经网络共同建立压力传感器温度补偿模型.针对低温和高温区域使用RBF神经网络进行补偿,对中间线性区域使用最小二乘拟合方法进行补偿.同时为了提高RBF神经网络拟合效果,使用进化算法和下降梯度算法优化RBF神经网络参数.实验结果表明,本文使用方法与单纯使用RBF神经网络或最小二乘拟合方法进行温度补偿,具有更高的训练效率和温度补偿效果,能够提高压力传感器在各种环境下的测量精度和工作可靠性. 相似文献
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针对硅压阻式传感器灵敏度和零点温度漂移大、硬件补偿电路效果不佳的问题,提出最小二乘支持向量机方法对其温度漂移进行补偿。首先分析了经硬件补偿后的硅压阻式传感器的温度漂移特性,在整个检测范围内选取均匀分布的温度、压力数据作为模型输入,经预处理后对输出数值进行训练,并运用网格搜索法和交叉确认法优化模型的惩罚因子和正则化参数,建立了传感器温度补偿模型。实验结果表明,基于最小二乘支持向量机的温度补偿算法在0~100℃温度范围内把传感器输出综合精度从3.2%FS提高到0.25%FS,进一步提高了传感器的精度和温度使用范围,具有较高的实用价值。 相似文献
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Qifeng Yu Zhichao Chao Guangwen Jiang Yang Shang Sihua Fu Xiaolin Liu Xianwei Zhu Haibo Liu 《Image and vision computing》2014
When a videometric system operates over a long period, temperature variations in the camera and its environment will affect the measurement results, which cannot be ignored. How to eliminate or compensate for the effects of such variations in temperature is an emergent problem. Starting with the image drift phenomenon, this paper presents an image-drift model that analyzes the relationship between variations in the camera parameters and drift in the coordinates of the image. A simplified model is then introduced by analyzing the coupling relationships among the variations in the camera parameters. Furthermore, a model of the relationship between the camera parameters and temperature variations is established with the system identification method. Finally, several compensation experiments on image drift are carried out, using the parameter–temperature relationship model calibrated with one arbitrary data set to compensate the others. The analyses and experiments demonstrate the feasibility and efficiency of the proposed method. 相似文献
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Hubert Blanchard Christina de Raad Iseli Rade S. Popovic 《Sensors and actuators. A, Physical》1997,60(1-3):10-13
We present a method to cancel the offset of a Hall sensor and compensate its temperature-dependent drift. We adapt and improve a compensation technique based on a correction using the input voltage. A more accurate compensation for the temperature drift is obtained by an offset calibration at two different temperatures. To decrease the calibration time, we propose a procedure for fast heating of the sensor. It consists of forcing a current pulse through a p-n junction of the sensor. Since the resistance of a forward-biased diode is small, this principle is compatible with low-voltage applications. After correction, the resulting offset is less than two percent of the initial offset over the temperature range −10 to +60°C. The corresponding residual equivalent offset is lower than 250 μT. 相似文献