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全面测试了峰值波长为1. 30μm 的InGaAsP/ InP 多量子阱型超辐射激光二极管
(MQW2SLD) 模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到:MQW2SLD 显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW2SLD模块的峰值波长随注入电流的增大而减小;注入电流不变时,其输出光功率随管芯温度的升高而减小;峰值波长随温度升高而增大。SLD 模块的3dB 带宽随注入电流的增大及管芯温度的升高而变化。注入电流大于阈值电流时,MQW2SLD 模块的消光比随注入电流和管芯温度的升高而增大。 相似文献
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1.30μm-MQW-SLD的性能与注入电流和温度的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
全面测试了峰值波长为1.30μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW—SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。得到:MQW—SLD显示了软阈值特性。温度不变时,其输出光功率随注入电流的增大而增加;MQW—SLD模块的峰值波长随注入电流的增大而减小;注入电流不变时,其输出光功率随管芯温度的升高而减小;峰值波长随温度升高而增大。SLD模块的3dB带宽随注入电流的增大及管芯温度的升高而变化。注入电流大于阈值电流时,MQW—SLD模块的消光比随注入电流和管芯温度的升高而增大。 相似文献
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全面地测试并分析了掩埋双异质结型超辐射激光二极管模块的输出光功率、光谱和消光比与注入电流及温度的变化关系。得到:DH—SLD显示了软阈值特性,其输出光功率随注入电流的增大而增加,随管芯温度的升高而降低。温度不变时,当注入电流小于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大而减小,当注入电流大于110mA(约)时,峰值波长随注入电流的增大有所增大;峰值波长随温度升高而增大。3dB带宽随注入电流的增大而减小,随温度的升高而略有增大。消光比随注入电流和温度的升高而变化。 相似文献
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增益调制型波长转换中信号光波长的选择 总被引:2,自引:2,他引:0
增益调制型波长转换中 ,为得到转换后信号最大的消光比 (ER) ,信号光波长应该比半导体光放大器 (SOA)的小信号增益峰值波长长。采用分段模型 ,考虑了SOA中增益谱的不对称性以及增益峰值波长随载流子密度的漂移 ,深入研究了信号光功率 ,ER ,参考光功率 ,波长以及SOA注入电流对选择信号光波长λpk ,s 以及消光比改善量的影响。模拟计算表明 ,信号光功率每增加 3dB ,λpk ,s 就需向长波长移动约 7nm。信号光ER增加、参考光功率增加以及SOA注入电流的增加 ,λpk ,s 需向短波长移动。消光比改善量随信号光功率和电流的增加而显著增加 ,随信号ER的增加而降低 ,但是参考光功率和波长变化时影响不大 相似文献
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全面地测试并分析了峰值波长约为1.55μm的InGaAsP/InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW—SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明:在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。 相似文献
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采用半导体光放大器的多波长光纤环形激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了一种插入马赫-曾德尔(M-Z)光纤干涉仪的半导体光放大器(SOA)多波长光纤环形激光器,实现了信道间隔为100 GHz的稳定的多波长连续光激射,其输出光谱3 dB带宽为19.5 nm,消光比大于30 dB.其中在17.9 nm范围内获得了22个波长的连续光,功率不平坦度为1.2 dB,总输出功率为5.1 dBm.对该结构的多波长激光器输出光谱宽,不同波长间功率波动小的特性进行了分析,提出在较低环腔损耗下,半导体光放大器的增益饱和及四波混频(FWM)效应的共同作用使环腔内多波长光功率获得自动均衡;并对实验观测到的激光器输出光谱带宽及中心波长随半导体光放大器驱动电流降低或环腔损耗增大而减小的现象进行了讨论. 相似文献
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基于半导体光放大器-交叉增益调制波长转换器消光比特性的研究 总被引:6,自引:1,他引:6
建立了基于半导体光放大器一交叉增益调制(SOA-XGM)的波长转换理论模型,利用分段方法对交叉增益调制波长转换器同向和相向两种工作方式下消光比(ER)特性作了详细的研究。结果表明,波长转换器的输出消光比随转换速率增加而减小,而且转换速率越高,减小得越快;随着抽运波长的变化,消光比有一个对应于峰值增益波长的最佳抽运波长;波长向下转换(Δλ<0)时的消光比要明显优于向上转换(Δλ>0);输出消光比也随着输入消光比的增大而增大。相同情况下相向工作方式时的输出消光比特性要优于同向工作方式。最后,从物理上对两种工作方式消光比和噪声特性的差异作了解释。 相似文献
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Jae‐Sik Sim Sung‐Bock Kim Yong‐Hwan Kwon Yong‐Soon Baek Sang‐Wan Ryu 《ETRI Journal》2006,28(4):533-536
A distributed Bragg reflector (DBR) laser and a high speed electroabsorption modulator (EAM) are integrated on the basis of the selective area growth technique. The typical threshold current is 4 to 6 mA, and the side mode suppression ratio is over 40 dB with single mode operation at 1550 nm. The DBR laser exhibits 2.5 to 3.3 mW fiber output power at a laser gain current of 100 mA, and a modulator bias voltage of 0 V. The 3 dB bandwidth is 13 GHz. A 10 Gbps non‐return to zero operation with 12 dB extinction ratio is obtained. A four‐channel laser array with 100 GHz wavelength spacing was fabricated and its operation at the designed wavelength was confirmed. 相似文献
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Long wavelength vertical-cavity semiconductor optical amplifiers 总被引:3,自引:0,他引:3
Bjorlin E.S. Riou B. Abraham P. Piprek J. Chiu Y.-Y. Black K.A. Keating A. Bowers J.E. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2001,37(2):274-281
This paper overviews the properties and possible applications of long wavelength vertical-cavity semiconductor optical amplifiers (VCSOAs). A VCSOA operating in the 1.3-μm wavelength region is presented. The device was fabricated using wafer bonding; it was optically pumped and operated in reflection mode. The reflectivity of the VCSOA top mirror was varied in the characterization of the device. Results are presented for 13 and 12 top mirror periods. By reducing the top mirror reflectivity, the amplifier gain, optical bandwidth, and saturation output power were simultaneously improved. For the case of 12 top mirror periods, rye demonstrate 13-dB fiber-to-fiber gain, 0.6 nm (100 GHz) optical bandwidth, a saturation output power of -3.5 dBm and a noise figure of 8.3 dB. The switching properties of the VCSOA are also briefly investigated. By modulating the pump laser, we have obtained a 46-dB extinction ratio in the output power, with the maximum output power corresponding to 7-dB fiber-to-fiber gain. All results are for continuous wave operation at room temperature 相似文献
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研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为72nm,覆盖范围从1602到1674nm.发射谱光滑、平坦,光谱波纹在1550到1700nm的范围内小于0.3dB.室温连续工作,注入电流200mA下,器件获得了4.3mW的出光功率.器件适用于气体探测器和L-band光纤通信的光源. 相似文献
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Su Hwan Oh Dong-Hoon Lee Ki Soo Kim Yong-Soon Baek Kwang-Ryong Oh 《Photonics Technology Letters, IEEE》2008,20(11):894-896
We report the design and fabrication of a novel 1.55-m spot-size converter superluminescent diode (SLD) for optical access networks. The active section of SLD was fabricated by using a planar buried heterostructure to adopt the double-waveguide-core structure for low-threshold and high-output power operation at a low injection current. A ridge-based passive waveguide was employed for an efficient coupling to a planar lightwave circuit. The threshold current was as low as 14 mA, and the maximum output power was as high as 28 mW with ripple less than 3 dB at an injection current of 200 mA. 相似文献