高频电磁屏蔽用ITO膜结构与性能分析

采用阴极磁控溅射法制备用于电磁屏蔽的ITO透明导电膜，方块电阻在5～40Ω／□范围内。测试不同方块电阻膜层的电阻率、膜厚、可见光透光度、雾度、对8～18GHZ频率范围内电磁波的反射率等性能，通过X射线衍射图谱和X线射回摆曲线研究膜层的结晶程度和晶大小对膜层性能的影响，引入特性优化因子来综合评价膜层的性能。     

多晶硅纳米膜欧姆接触特性的研究

采用LPCVD和PECVD方法制作单层金属铝的多晶硅纳米膜欧姆接触,并用X射线对其表征,说明铝膜具有多晶结构.在温度为450℃的条件下,分别对5 min、20 min和40 min的不同退火时间进行测试,得到在20 min时Ⅰ-Ⅴ特性曲线表现出好的欧姆接触,构成线性关系,方块电阻达1 kΩ,与接触电阻率相吻合,传输长度变到15 μm,接触电阻为30 Ω,说明电流的传导能力变强.     

X射线分析温度对ITO膜结构与电性能的影响

在不同温度基片上采用阴极磁控溅射法在玻璃上镀ITO透明导电膜,采用X射线衍射技术分析样品的结构随温度的变化情况,测量了样品的方块电阻、电阻率、霍尔迁移率、截流子浓度等电学性能和膜层的可见透过率。基片温度为180℃时,ITO膜（222）衍射峰很强,具有[111]方向择优取向,随基片温度升高,（400）、（440）衍射峰增强,晶面随机取向增加,同时晶粒变大、电阻率降低。     

不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能

采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。     

X射线超反射镜鲁棒性膜系设计

为降低X射线超反射镜镀膜误差导致的光谱性能退化、提高其可制备性,提出了基于多目标遗传算法的X射线超反射镜鲁棒性设计方法,将X射线超反射镜的反射带性能和膜厚随机误差引起的反射带偏差作为两个优化目标进行优化.考虑到X射线光学系统掠入射反射的特殊性,在优化求解的计算过程中加入了入射光发散角对多层膜反射率的影响,进而分别设计了具有掠入射角度带宽和能量带宽的两种X射线多层膜反射镜鲁棒性膜系.结果表明,相比只优化光学性能的传统优化设计方法,鲁棒性设计方法能够得到反射性能良好且对膜厚随机误差不敏感的超反射镜膜系设计.     

MOCVD掺A_s的S_nO_2透明导电膜

本文采用有机金属化合物气相沉积(MOCVD)技术制备了可见光透过率>90％(厚度为10~2-10~4)、薄层方块电阻值为38-56Ω/□的SO_2·A,多晶透明导电薄膜,并简要报道了利用X射线衍射、电子衍射、扫描电子显微镜以及紫外可见吸收光谱等方法对膜层结构及性能的研究结果。     

银膜厚度对ITO-Ag-ITO-Glass玻璃性能的影响

采用射频磁控溅射和直流溅射方法在玻璃基片上低温制备ITO-Ag-ITO薄膜,测试了玻璃的透光度、方块电阻、电阻率,观察了因镀制Ag的膜层的时间的不同而引起的各项参数的变化规律,结果表明:随着Ag膜厚度的增加,试样的透过率急剧的下降;方块电阻开始降低的很快,但随着薄膜厚度的增加,电阻数值下降逐渐趋于缓慢;Ag膜的电阻率也随着厚度的增加而逐渐的降低。     

CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的结构与性能研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备了Sb掺杂SnO2薄膜（ATO），研究了Sb掺杂量对ATO薄膜结构和性能的影响。利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对所制得薄膜的结构、形貌、成分等进行了表征，XRD结果表明在基板温度为665 ℃时能够制得结晶性能较好的多晶薄膜，XPS分析确定掺杂后的Sb以Sb5+离子形式存在。讨论了Sb掺杂量对方块电阻、透射率和反射率等薄膜性质的影响，结果表明,当Sb掺杂量为2%时取得最小方块电阻为7.8 Ω/□,在可见光区薄膜的透射率和反射率随着Sb掺杂量的增加呈下降趋势。最后探讨了Sb掺杂SnO2薄膜的显色特性，认为Sb5+离子的本征吸收是薄膜显色的主要原因。     

退火温度对Fe／Pr／Cu多层膜巨磁阻的影响

通过采用直流磁控溅射法制备Fe/Pr/Cu多层膜,并在不同温度下进行高真空退火,同时用X射线衍射仪和四探针测试仪测量不同温度下样品的结构和磁电阻,最终可获得具有一定的周期性和层状结构的多层膜Fe/Pr/Cu.退火后其仍保持多层膜结构,但晶粒变大,磁电阻随磁场强度的增大而增大,GMR性能随退火温度的增大先增大后减小.Fe/Pr/Cu多层膜经不同温度相同时间热处理后,层间分离随温度的升高越来越明显,且磁电阻随温度的升高而增强.     

表面预制微槽对铸铝合金微弧氧化陶瓷膜结构和性能的影响

为了探索表面预制微槽对铸铝合金微弧氧化陶瓷膜微观结构及性能的影响,在ZL108铝合金表面制备微弧氧化膜层,采用扫描电镜、X射线衍射仪、数字显微硬度计、多功能表面性能测试仪、电化学工作站等对膜层形貌及性能进行测试。结果表明:相比光滑试样形成的氧化膜层,微槽试样表面形成的膜层较厚、结合力较大,但由于微槽位置放电集中,能量过高,导致膜层多孔疏松,使硬度和耐蚀性降低;虽然表面微槽使得膜层质量略有下降,但其能提高微弧氧化放电能量,增加成膜速率。     

甩胶法制备ITO薄膜及性能研究

采用溶胶凝胶并通过甩胶制备薄膜方法制备了ITO薄膜。以转速、甩胶时间、干燥温度和退火温度为参数进行正交试验,确定了甩胶法制备ITO薄膜的最优化条件,并对最优化条件下制备的薄膜进行了电学性能、光学性能和形貌分析。结果表明:该透明导电薄膜具有良好的导电性能及透光性能,其表面方阻为13Ω/□,可见光透过率达到了96%。     

液位沉降法制备ITO薄膜及其光电性能研究

采用自制的液位沉降制备薄膜装置在普通玻璃衬底上沉积了ITO薄膜,并对实验条件进行正交设计以考察制备ITO薄膜的最优条件。结果表明,采用液位沉降法成功地制备出ITO薄膜。该装置结构简单、操作方便。影响ITO薄膜光电性能的主要因素是镀膜层数,在进行的实验中,制备ITO薄膜的优化条件为:注射回抽速度为2.5cm/min,膜层数为20层,装置倾斜角度为30°,在300℃下预处理5min,500℃下退火处理2h,得到的薄膜的透光率为88.3%,方块电阻为970Ω/□。     

低温热处理制备掺铝氧化锌薄膜技术的研究

使用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备掺铝氧化锌薄膜,研究热处理温度对薄膜结构、形貌、电学性能的影响。结果表明:使用低温热处理制备的薄膜具有更好的C轴取向生长,表面平整质密,面阻最小达到1800Ω/□。     

ITO薄膜特性及发展方向

铟锡氧化物(ITO)具有一系列的独特性能，近年来引起人门广泛关注。为了把握这一发展趋势，本文结合国际发展背景，首先对近几年来我国在ITO薄膜研究领域的发展状况从结构与机理、薄膜特性以及应用三个方面给予回顾。其次，对今后的发展予以展望。     

基于溶胶凝胶法ITO薄膜材料的制备与表征

基于溶胶凝胶法制备了掺铟二氧化锡（ITO）薄膜,探讨聚乙二醇（PEG）、退火温度、退火过程氧气浓度等因素对ITO薄膜性能的影响。实验结果表明：在相同实验条件下,添加PEG能够降低ITO薄膜表面粗糙度,退火温度会改变ITO薄膜的结晶度,提高含锡量和氧浓度会增加ITO薄膜的电阻率。本研究为ITO埋栅结构气敏传感器制备提供了实验基础。     

提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究

将纳米铟锡氧化物（ITO）粉体分散到乙醇溶液中制得ITO乙醇浆料,再添加成膜剂,制备纳米1TO涂料,通过提拉法镀膜制得透明隔热ITO薄膜．研究了ITO膜的性能,分析了提拉法参数与薄膜力学性能、光学性能、微观结构和隔热效果的关系．研究表明：提拉镀ITO膜具有很好的透明隔热性能,对可见光的透过率大于85％,对近红外透过率低于35％,膜的耐有机溶剂性好,提拉次数对膜的厚度、红外透过率以及宏观隔热性能成正比关系,提拉温度对膜性能的影响较为复杂,提拉温度为35℃时,膜的厚度最厚,综合性能较好．     

磁控溅射法制备的不同衬底上的TiO_2薄膜

利用射频磁控溅射方法,分别在改变氧气含量和沉积时间的条件下在ITO玻璃、Si和Al/ITO玻璃衬底上沉积了TiO2薄膜,并利用拉曼光谱表征了2种条件下的TiO2薄膜的结构.研究表明：衬底材料、氧气含量以及沉积时间明显地影响了TiO2薄膜的结构.随着氧气含量的降低,沉积在ITO玻璃衬底上的TiO2薄膜由锐钛矿和金红石的混合结构转变为单一的金红石结构,而沉积在Si衬底上的TiO2薄膜的结构没有改变,并保持单一的金红石结构;随着沉积时间的增加,Al/ITO玻璃衬底上的TiO2薄膜由金红石结构转变为锐钛矿结构.     

Preparation of Indium Tin Oxide Films on Polycarbonate substrates by Radio-frequency Magnetron Sputtering

1Introduction Indiumtinoxide(ITO)isadegeneraten typesemi conductingmaterialthathaswideapplicationsinoptics andoptoelectronics,suchasflatpaneldisplaydevices,antireflectioncoatings,pilotwindows,andheterojunction solarcells.Itselectricalopticalpropertieshave…     

FeS<Subscript>2</Subscript> (pyrite) electrodeposition thin films and study of growth mechanism

With the development of semiconductor solar cells, much attention has been focused on the low-cost, high-performance photovoltaic materials for solar cell fabrications. Sul-fide compounds[1,2], due to their desirable optical properties, were widely used in pre-paring solar cells. Although the Cd-based II-VI compounds solar cell, such as CdS, CdTe, etc.[3,4], processes a higher conversion efficiency than the sulfide-based solar cell does. The iron pyrite (FeS2) characteristic of suitable ba…