准一维半导体纳米材料的研究进展

探索准一维纳米结构材料的维数和尺寸,对其光学、电学和力学等性质的影响有很大的研究价值。介绍了半导体纳米棒、纳米线、纳米带等典型准一维纳米材料的一些最新研究进展,并对准一维纳米材料的研究趋势作了展望。     

钛酸铅超细纳米晶及纳米线的制备与结构表征

近来，一维纳米材料吸引了物理学、材料学和化学界的广泛关注，成为纳米材料研究的热点。纳米线是物质在纳米尺度上的一种特殊结构，其优异的光学、电学和力学性能，在纳米器件的应用领域极具发展前景。纳米线的制备技术及物性的测量是材料在纳米原型器件制作和应用的关键，不断探索低维纳米材料的制备新技术，合成出多种材料的纳米线具有重要意义。     

纳米线、纳米管的制备、表征及其应用

在高度集成化浪潮的推动下,现代技术对纳米尺度功能器件的需求将越来越迫切。纳米线、纳米管等一维材料作为纳米器件中必不可少的功能组件,在纳米研究领域中的地位显得愈发重要。本文从一维纳米材料的研究范畴入手,介绍了纳米线、纳米管的制备方法,技术要点以及各种相关表征方法,并涉及了当前一维纳米材料的一些应用研究,为基于纳米线、纳米管功能器件的研制提供前期参考。     

关于准一维ZnSe纳米结构的合成与应用

硒化锌是Ⅱ-Ⅵ族中重要的宽禁带半导体材料,其禁带宽度为2.7 eV,是理想的蓝光探测器材料。准一维ZnSe纳米结构的合成有多种,如纳米带、纳米线、纳米棒等。由于纳米材料与薄膜材料相比具有表面积大、量子效应等独特的物理及化学特性,使得基于纳米材料的纳米器件在过去的几年内被广泛的制备与研究。目前准一维ZnSe纳米材料已经制备出多种纳米器件,文中将对ZnSe纳米结构的合成以及应用作介绍。     

正交相SnO2纳米带的电子显微学研究

自从1991年，Iijima发现纳米碳管以来，一维纳米材料（包括纳米线、纳米带、纳米棒等）成为材料科学研究中一个崭新的热点。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广泛关注和研究。     

ZnO纳米带的电子显微学研究

自从1991年Iijima发现纳米炭管以来，一系列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等)被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广     

激光烧蚀法制备准一维纳米材料

介绍了当前激光烧蚀法制备纳米丝、纳米管和纳米电缆的研究现状,讨论了准一维纳米材料激光烧蚀法制备的系统设备和制备条件,分析了激光烧蚀法制备准一维纳米材料的特点和发展趋势.认为准一维纳米材料是气相粒子在高温催化剂作用下生成的.激光烧蚀法具有洁净、可控性强及适应面广的特点.     

ZnS一维纳米结构中的高密度孪晶

一维纳米材料在纳米电子器件和光电子器件方面具有潜在的应用前景,因此,近年来有关一维纳米材料的研究吸引了许多科研小组的兴趣。已经制备出各种一维纳米构态例如纳米线、纳米带等。在众多已制备的一维纳米材料中,ZnS作为一种宽带系半导体在很多领域有着广泛的应用。它可以用在光学涂料、固态太阳能电池、光电调节器,光电导元件、场效应晶体管,     

ZnO纳米棒的制备与表征

近年来，一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米棒等由于在纳米电子器件和光电子器件中的潜在应用前景而吸引了众多科研小组的兴趣。ZnO纳米材料作为一种宽带系半导体，因其可以在各种高科技产品中的应用如光催化剂、气敏元件、光电二极管、变电阻等已引起人们广泛的研究，到现在为止，许多方法用来制备一维ZnO纳米材料，如电弧法、化学气相沉积、模板法和电化学沉积等。本文用溶液法合成ZnO纳米棒，并对其进行电子显微学的观察与表征。     

一维AIN纳米结构制备进展

采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构；同时研制成功多种一维纳米结构的降列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米；用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时，AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法，分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。     

五角星形纳米线形貌的电镜表征

由于纳米材料所表现出的不同于体材料的特性，近年来对纳米材料的制备和表征进行了大量的研究，尤其是准一维纳米材料，如纳米线等。纳米线的性质不仅与其体材料的性质有关，而且还与其直径、长度、晶体取向和形状有关。因此有必要对纳米线的特殊形貌进行表征，从而研究纳米线的结构、形貌与性能之间的关系。     

准一维半导体纳米结构的电子显微学研究

本文总结了近年来我们在功能准一维纳米结构材料研究方面所获得的一些有意义的结果。借助于现代电子显微镜技术，不仅研究了硅、氮化稼、氧化锌等一维纳米材料的形貌和显微结构，还研究了其一维择优生长机理及小尺度效应。尤其是利用高能量分辨电子能量损失谱、高角环形暗场探头等先进技术，解决了一个传统X－光等结构分析手段所不能解决的难题，分析了一种SiOx/SiC复合纳米电缆的成份与结构。     

一维AlN纳米结构制备进展

采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的阵列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法,分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。     

铁电纳米材料和纳米结构研究的进展

铁电纳米材料和纳米结构(如纳米线、纳米管、纳米环)具有新型尺寸效应特性,在铁电基电子器件的微型化方面受到广泛关注.近年来在铁电纳米材料和纳米结构的制备和(电性能和微结构)表征及理论模拟方面取得了相当进展,本文对这方面的最新进展进行评述.首先对高质量的铁电纳米材料和纳米结构的制备方法进行了简短评述,然后介绍铁电纳米材料和纳米结构的纳尺度物性表征.随后介绍了最近发展的四种理论模型(尤其对铁电纳米管、纳米线、纳米点),以及从第一原理出发理论模拟铁电纳米结构的新现象,如铁电纳米结构的自发极化螺旋有序和自发极化涡旋结构.最后总结了铁电纳米材料和纳米结构的微结构研究进展,并讨论了有关铁电纳米结构中自发极化螺旋畴的一些基础物理问题以及实验上寻找自发极化螺旋畴的研究进展.     

有机纳米材料制备技术获突破

<正>日前,中国科学院理化技术研究所张晓宏研究组发明了一种高纯度、低结构和形貌分散度相对普适的制备一维和准一维单晶有机纳米结构的新方法。这一发明扩展了能够形成一维单晶有机纳米材料的有机分子结构种类,为深入理解纳米材料的一维生长     

NiS纳米丝的制备和表征

纳米材料的性质与纳米粒子的大小和形状密切相关，因此，合成纳米粒子时，在控制其大小及尺寸分布的同时控制其形状是十分重要的。一维纳米结构如纳米棒、纳米线和纳米管等由于具有新奇的光、电等特性和潜在的应用前景，已引起人们极大的兴趣，是当前纳米材料研究中的热点之一。     

硅纳米线纳米器件的研究进展

硅纳米线作为一类重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面具有很好的应用前景,可以用于高性能场效应晶体管、单电子探测器和场发射显示器件等纳米器件的制备.介绍了近两年来硅纳米线作为检测细胞、葡萄糖、过氧化氢、牛类血清蛋白和DNA杂交方面的纳米传感器、纳米晶体管、光电探测器等纳米器件的最新进展,并对其研究前景做了展望.     

零维和一维半导体纳米结构

介绍了几种零维和一维无机半导体纳米结构的制备及其应用。其中,零维无机半导体纳米结构以Si,Ge量子点为代表,一维无机半导体纳米结构以碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米线和氮化镓纳米结构为代表,介绍了它们的制备和应用研究动态;最后分析了纳米技术的研究和抢占技术制高点的重要性。     

原位电子束诱导沉积制备碳纳米结构

以多壁碳纳米管为基本材料,利用电子束诱导沉积的方法进行了纳米结构加工、修饰研究.电子束诱导沉积实现了二个碳纳米管端部之间的牢固焊接,实现了纳米材料间的几乎无损伤连接.原位测量表明多壁碳纳米管间的连接为欧姆接触.进一步对碳纳米管施加外电场可以使端部碳原子间的π键打开,外部碳原子经电子束诱导沉积在碳纳米管的端部,并定向生长成非晶态碳纳米线.由于碳纳米管和纳米线结合处的.键作为绝缘界面,形成了电子输运的势垒,所得到的碳纳米管-纳米线复合结构具有整流特性.利用电子显微镜进行纳米材料的结构加工、修饰,具有选择位置精确、可实时监测、对纳米材料几乎无损伤、重复性和可靠性高,以及加工尺度可人为控制的特点.     

钛酸和铌酸纳米结构的合成、表征和形成机制

自碳纳米管发现以来，纳米管、纳米线等纳米结构的研究受到广泛重视。钛酸和铌酸是半导体，有光催化和离子交换特性，可用于气体传感器，能量转换和环境净化等，由这些材料组成的纳米材料有可能成为很好的纳米器件。本文工作中，我们合成了这类层状化合物的多种纳米管、纳米线、纳米带和纳米片。