单击事件扰动机理

采用2维瞬态数字模拟器和电路代码,模拟了经受140MeV氪轰击的桑迪亚SRAM的SRAM单元的恢复时间,研究了在n~-和p~-沟道截止状态时对漏进行的轰击,得到了4个重要结果:轰击后的恢复时间与再生晶体管的驱动力密切相关,被轰击的截止态p~-沟漏-栅电容耦合将对带有反馈电阻的SRAM的恢复时间产生明显影响,恢复时间在直到0.4pC/μ的LET范围内与LET大致成线性关系,最后,在无反馈电阻器的桑迪亚SRAM内观察到了实验性的n~-沟单击事件扰动(SEU)。     

CMOS技术中的光集成电路

鉴于CD-ROM更大存贮电容和更高的数据速率,数字视盘(DVD)更长播放时间和这些光存储系统的更低价恪的不断增长要求,单片光集成电路(PIC),又称作含集成光探测器红光光电集成电路,成为新的光存储系统的关键电路。ULSI(甚大规模集成电路)CPU的时钟频率正在不断增长,电气互连特别易在电路     

CMOS集成电路/大规模集成电路

CMOS电路作为低功耗和高速度的最在武器来说,近年来已生台式计算机、钟表、存储器、电子计测器、电视综合器等各领域取得了显著的进展。 台式计算机的CMOS化是从1971年试制三片C~2MOS大规模集成电路组成的台式计算机开始,到1972年2片台式计算机就商品化了。其后只要处加电压就能显示,到场效应型的液晶商品化C~2MOS就成为压倒的产品,现在也出现用2只氧化银电池连够连续使用2000小时的袖珍型台式计算机,博得了好评。同时还研制单片集成1万几千个元件的函数台式计算机,和有钟表的台式计算机,这就迎来了发展C~2MOS台式计算机多样化的时代。     

封闭式CMOS集成电路

CMOS集成电路具有功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压范围宽的优点。因些自六十年代问世以来,发展迅速,目前已广泛地应用于各类基本电路,手表,存贮器和微处理机。但是由于CMOSS集成电路中必须采有重参杂的扩散条将各元件包围起来。这样就增大了电子的无沅区面积。集成是目前CMOS集成电路的一个主要缺点。估计NMOS,PMOS,TTL (LSI),CMOS和TTL(MSI)的单门面积此的为1:1:2:4:10:10。从近几年的发展来看,大规模集成电路的单片（应数/）大约每年提高一倍,但是CMOSR单片容量总是只有同期NMOS的四分之一。例如1976年NMOS动态RAM生产水平已达16位。     

高低压CMOS复合集成电路

日本某公司研制成能将700伏耐压的MOS晶体管与低压控制用CMOS电路高密度地集成在一个芯片上的MOS集成电路新技术.为了从本质上消除MOS晶体管的寄生双向效应,采用了屏蔽源极的新结构(见图).这种结构把起寄生双向发射体作用的源极     

CMOS集成电路使用注意事项

数字集成电路可分为TTL和MOS电路(目前以CMOS为主)。TTL以高速度见长,MOS电路则以低功耗著称。高速CMOS是CMOS的第二代产品,同时有低功耗的特点,因此得到了广泛应用。本文介绍CMOS集成电路在使用过程中的几点注意事项。一、使用之前认真阅读产品说明书或有关资料,了解管脚分布情况及其极限参数。     

CMOS集成电路工艺设计

一、引言 工艺问题是MOS集成电路（以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是工艺条件和方法的稳定,可控,以保证上述工艺参数的实现和稳定。正确的工艺设计建立在目前工艺水平基础之上,过来又纶工艺条件的控制来方便,可以二者是紧密相关的。 本文着重讨论CMOSIC的工艺设计问题,即从CMOSIC的应用条件（如电源电压VOD),由参数指标（如噪工作频fmax等）出发,确事实上的于开启电压VT（坊）开启电压VTF,沅漏击穿电压BVDS以及分布电阻,分布电容等参数的要求,从影响各参数的诸工艺因素的盾分析中,确定材料参数,（如栅电极材料,栅介质材料,S,底材料等）及各工艺参数（如各次氧层厚度,各次扩散结深,化层厚度,表面电控制等）以期实现CMOSICR 的突击特点。即真正的微功耗,较高的速度,较高的容,并保证良好的成率,此外它还为决CMOSIC的突击问题——提高集成度指明方向。工艺设计的中心问题是CMOS的两种沟栅开启电压V_T和厚膜开启电压V_(TF)的控制。我们首先讨论这向问题。     

CMOS集成电路电子报警器

本文介绍了用二输入端四或非门集成电路 TC4001和大规模 CMOS 四声模拟集成电路 KD9561制作的一种电子报警器。     

CMOS集成电路测试中的几个问题

作者根据多年来对CMOS集成电路测试过程中发现的一些技术问题,提出了解决办法。本文较详细介绍了CMOS器件的功耗概念,ΔI_(CC)参数的重要性及测试方法。对于近几年已引起集成电路厂商和军界重视的使用I_(CCQ)测试法发现工艺制造过程中可能存在的缺陷,作一简要介绍。文章还叙述了芯片测试过程中存在的波形反射及解决办法,对于因连线引起的参数误差,提出了修正措施。     

CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践

分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法－IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。     

CMOS集成电路低功耗设计方法

近年来，功耗问题已成为VLSI设计，尤其是在电池供电的应用中必须考虑的重要问题之一。文章通过对CMOS集成电路功耗起因的分析，对CMOS集成电路低功耗设计方法和设计工具进行了深入的讨论。     

CMOS型时基集成电路

一、CMOS型时基集成电路ICM7555/7556 我们常用的NE555/556是双极型集成电路。INTERSIL公司生产的ICM7555/7556是能与NE555/556作引脚互换的CMOS型时基集成电路。 与555/556相比,7555/7556由于是CMOS结构,不但降低了功率损耗,还展宽了工作温度和电源电压的范围,所要求的输入电流很小,工作     

CMOS混合信号集成电路中的串扰效应

论述了混合信号集成电路中的串扰效应及其对电路本身的影响,重点讨论了在重掺杂衬底中数字干扰对模拟器件的影响,并给出了数字噪声注入等效电路.同时从制造工艺和设计技术方面讨论了降低串扰效应的方法.     

浅谈CMOS集成电路的应用

CMOS集成电路因其高性能、低功耗的特点已经在集成电路设计中得到了极为广泛的应用。本文浅析了CMOS集成电路的性能特点,通过对其特点的分析,介绍了目前CMOS集成电路的应用方面,并指出了CMOS集成电路应用的注意事项,为集成电路的发展提供理论依据。