NT50型中子管离子源放电特性研究

通过NT50型中子管离子源放电特性实验，测量放电电流与离子源电压和管内压强的关系，做出三者对应关系的相应曲线，进行数据分析，得到放电规律，从而确定离子源结构，找出离子源的最佳工作状态和工作参数，提高中子管产品质量。     

用于强流离子注入的多极头离子源

多极头离子源技术已在融合和等离子加工的中性束加热方面获得了应用,但把这种离子源应用于离子注入的报道却少见。多极头离子源的几何形状能满足离子注入所希望的若干特征,具有束流引出面积大,产生静等离子体和形成手段灵活等特点。与常规的弗里曼源不同,它不需外加磁场、用于强流离子注入机的多极头离子源已研制成功,实验结果表明这种离子源的性能与标准弗里曼源相似,而且源的寿命更长。本文将介绍用BF_3作为掺杂气体的多极头离子源性能和寿命的实验结果。     

用于双聚焦磁质谱仪的离子源电参数仿真研究

离子源是双聚焦磁质谱仪的重要组成部分，离子源性能对质谱仪的分辨率、灵敏度有关键影响。本文通过COMSOL仿真，建立了用于双聚焦磁质谱仪的电子轰击型离子源的模型，并探究了离子源中电参数对性能的影响。仿真结果表明，在设计的离子源结构中，电离电压可在100~140V之间找到一特定值,使电离几率最高，引出极电压和加速极电压均会影响离子的二次聚焦位置,从而影响引出离子束的束宽、角度分散、能量分散和引出率。仿真结果对离子源的实际电参数的设计有参考意义。     

电子器件基础

0009181强流离子源新型 LaMo 阴极的制备〔刊〕/陶小平//真空科学与技术学报.—2000,20(2).—137～139(L)作为强流离子源新型的 LaMo 阴极,其用于强流离子源阴极的实验结果表明 LaMo 阴极是一种有效的热阴极发射体,且该阴极用于强流离子源时,离子源放电起弧正常,使用寿命大大延长(相对于 LaB_6阴极)。本试验对 LaMo 阴极材料的制备进行了探索性的尝     

End-Hall与APS离子源辅助沉积制备的薄膜特性

利用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了单层HfO2薄膜,离子源分别为End-Hall与APS离子源。采用Lambda900分光光度计、可变角光谱椭圆偏振仪(V-VASE)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、ZYGO干涉仪和激光量热计测试了薄膜的透射光谱、光学常数、晶体结构、表面形貌和吸收(1064nm)。实验结果表明,薄膜特性与辅助离子源及起始膜料有着密切的关系。End-Hall离子源辅助沉积制备的薄膜出现轻微的折射率不均匀性。两种离子源辅助沉积制备的薄膜折射率均较高,吸收损耗小,薄膜均为单斜晶相。不同离子源辅助沉积条件下,利用金属Hf为起始膜料制备的薄膜表面平整度较好,其均方根粗糙度和总积分散射均相对较小。与End-Hall离子源相比,APS离子源辅助沉积制备的薄膜吸收相对较小。     

用于反应离子束刻蚀的离子源

本文介绍了几种在超大规模集成电路制造中,采用反应离子束刻蚀(RIBE)时所用的离子源。阐述了这些离子源的工作原理、设计参数和一些工艺试验结果,并比较了各种离子源的性能。     

冷阴极潘宁离子源的改进实验及其应用

一、引言 离子源是离子注入机的关键部件。注入机如能配备一个较理想的离子源,就可以得到品质较好,数值较大的束流以及不同种类的离子。 由于冷阴极潘宁离子源具有功耗小、寿命长、结构紧凑、体积小、电源简单、束流调节方便等特点。所以被广泛应用在离子注入机上。尤其作为半导体器件注入工艺用的离子注入机大多采用冷阴极潘宁离子源。     

智能离子源弧流稳定系统

在离子源使用中都有弧流稳定问题。一般的离子源有直热式和间热式两种,两种状态的弧流稳定所控制对象是不同的,而且弧流是在高电压状态下的参量,这给控制回路的设计制造带来很多困难。为此,很多离子源没有弧流稳定装置。我们新近研制的使用单片微机的离子源稳流系统使用一套弧流控制电路,能同时适用于直热式和间热式两种离子源,它的控制器处在低压侧(即地电位),便     

用于材料改性的宽束离子源现状及其发展

本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。     

一种铯离子源

正 (一)引言 在光电发射体以及光电器件的研究中,都要应用碱金属源。碱金属源分为中性源和离子源两大类。在研究ⅢⅤ族光电发射体中多用离子源作为碱金属源。碱金属离子源还用于原子碰撞和离子碰撞研究中以及在低气压(p10-5)托)情况下伴随电击穿现象的研究中,此时把平稳的离子流作为研究用的一种探针。所以,研究如何获得碱金属离子源是有意义的。我们为了研究光电发射体的需要,研究了一种铯离子源。 (二)离子源的描述 把高纯度的Al2O3电泳于钨螺旋上作为载体,将其浸入