Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延

我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温度和入射束比的关系能用原子表面覆盖度的动力学方程得到解释。     

新型全固源分子束外延技术及其在器件制作中的应用

１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用与发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都有重要的意义。反过来，对器件质量和性能的进一步要求又推动人们探索更新、更好的外延技术。外延技术首先从硅外延技术发展起来，进而到化合物半导体外延。１９６２年、１９６３年，氯化物汽相外延法（ＶＰＥ）和液相外延法（ＬＰＥ）相继问世，用这些方法制备的材料广泛应用于制作各种微波及光电子器件…     

分子束外延GaAs/AlGaAs材料及应用

利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。     

分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格

提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。     

化学束外延及其在半导体材料与器件中的应用

本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术--化学束外延(CBE),通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这一新技术的基本概念,生长动力学以及在半导体材料和激光器件方面的应用.     

分子束外延δ掺杂研究

用分子束外延生长了δ掺杂结构,并用电化学C-V和汞探针C-V测量了载流子的分布特性,其半峰宽约85(?)。δ掺杂用于AlGaAs/GaAs调制掺杂异质结,在77K具有较好的输运特性。     

新一代STE分子束外延系统(英文)

Method of Molecular Beam Epitaxy (MBE) is based on the growth of semiconductor layers by effusion source components evaporation under ultrahigh vacuum (10～11 Torr), so the flow of growth components in space occurs in the molecular beam mode. To ensure UHV and the required purity of the process (besides oil-free pumping system: turbo molecular pumps, ion pumps, cryopumps), cryopanels built into the growth reactor and filled with liquid nitrogen are used. Sources and wafer strong heating, integrated research methods, necessity of precision wafer mechanical movement between chambers in UHV conditions mean the complexity of equipment. As a result, MBE systems are produced only by a few companies in USA and Europe. In Russia, serial production of such equipment begun in 80's but in mid 90's was widely discontinued.     

半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)的分子束外延生长

用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为 85 0 nm.由实验表明 ,19个周期的反射镜获得了高达 99%以上的高反射率 .与此同时 ,采取自行设计的二次钨丝掩膜质子注入法制成 15 μm× 15 μm的正方形电流注入区 ,以此测定 P型反射镜的串联电阻 ,克服了湿化学腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点 ,实验得出此 P型反射镜的串联电阻仅为 5 0 Ω 左右 .在生长过程中 ,发现在只含一个铝源的分子束外延生长系统中 ,生长这种半     

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

半导体量子阱激光器（QWL）及其进展

由于半导体量子阱结构限制电子和空穴到极薄区域的量子尺寸效应,导致了它具有二维台阶状的态密度。因此,用这种结构制备的量子阱激光器(QWL)具有低的阈值电流密度,窄的谱线宽度,宽的波长调谐范围以及高的调制频率响应知易实现大功率、短波长可见光输出等优点。本文在描述了这种结构的台阶状态密度分布的基础上,主要介绍了 QWL 主要优异特性和最近的发展水平。最后对今后的发展方向作了预测。     

量子阱激光器超晶格缓冲层的研究

在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。     

半导体光电子学的进展

综述了第八届集成光学和光纤通信国际会议(IOOC’91)与第十七届欧洲通信会议(ECOC＇91)上报道的有关半导体光电子学进展情况。     

光电检测技术应用半导体激光管的新进展

综述了近年来在光电测厚、测速、测距、测浓度、测表面质量等方面应用半导体激光管的新进展。这些成就展示了采用半导体激光管后对仪器小型化、仪器进入生产线监控过程的前景。     

Nature of Growth Pits in Lead Salt Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy

We present a detailed study on the surface morphologies and chemical composition of growth pits in lead selenide (PbSe) epilayers grown by molecular-beam epitaxy. Various growth pits were investigated by scanning electron microscopy and energy-dispersive x-ray analysis. The vast majority of growth pits within the PbSe epilayers contained either single or multiple PbSe microcrystals with a distinct cuboid shape. Based on the observed structures and morphologies of the PbSe microcrystals, the formation mechanism of the cuboid structures was considered to be (100) preferential crystal growth originating from PbSe polycrystalline seeds.     

半导体激光器动态量子AM和FM噪声的理论

本文用小信号分析的方法,研究了当对半导体激光器(LD)进行直接调制时(动态)LD的量子噪声,首次给出了LD的动态AM与FM噪声谱的解析表达式.分析表明,调制强度与调制频率均对LD的量子噪声有极大的影响.