共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延(PE-MBE)生长的GaN,Aln和InN薄膜的微结构特性。闪匀矿和纤锌矿多晶相分别在(001)GaAs和0001)6H-SiC衬底上优先成核。沿(111)平面的层微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷,而在纤锌矿结构薄膜中,以沿(0002)平面的层错和始于衬底表达的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高. 相似文献
2.
3.
采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
4.
(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 总被引:7,自引:3,他引:4
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积(ECR-PAMOCVD)法,在低温条件下,在(001)GaAs衬底上异质外延,生长了立方晶GaN薄膜.高分辩电镜(HREM)观测与X射线衍射(XRD)测量结果表明:GaN薄膜具有典型的闪锌矿结构;三种方法测得其晶格常数为0.451~0.457nm;在GaN/GaAs界面处的生长模式为异质外延;GaN薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错;随着远离界面,GaN中位错密度与镶嵌组织迅速减少. 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
本文首次报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[233]方向,收缩面由对称的{111}A面构成.低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明:这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域,分别对应于三个不同的激发光波长.说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化.低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰 相似文献
10.
对在GaAs(001)、Al2O3(0001)和Si(111)等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到了α相GaN的A1(LO)模、A1(TO)模、E1(LO)模和E2模.结合X射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN的喇曼谱与GaN外延层的结构相、完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段.对含有少量β相GaN样品,观测到了包含有β相GaN贡献的声子模式(740cm-1). 相似文献
11.
国内首次报道用热壁外延(HWE)技术在(100)GaAs衬底上生长出Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te(111)薄膜。结果表明,薄膜在15~20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于10 ̄3cm ̄(-2)薄膜组分、层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到国际先进水平,优于国内Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te块晶,是外延生长HgCdTe的理想替代式衬底。文章强调了生长前GaAs衬底,多晶源预处理的重要性。 相似文献
12.
13.
用ICB外延技术在NaCl(100)和Si(111)衬底上生长了CdTe单晶薄膜.X光衍射、电子背散射通道及RHEED都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面.外延取向关系为CdTe(100)/NaCl(100)和CdTe(111)/Si(111).实验发现,生长温度小于230℃时,外延膜呈闪锌矿(立方)和钎锌矿(六方)的混合相结构.薄膜生长体现出团粒束淀积的规律,即随着团粒能量的增大,CdTe外延膜的结晶质量显著提高.在Si衬底上,外延得到的最好的CdTe膜,其双晶衍射摆动曲线半高宽为11弧分左右. 相似文献
14.
利用汽压控制直拉法,成功地生长了InP和GaAs单晶,其位错密度十分低,比液封直拉法生长的单晶要小一个数量级。VPEGaAs衬底的乘余应力是LEC衬底的1/4。当分子束外延生长时,产生的滑移位错在VCZ衬底上得到明显改善。在S掺杂的VPRInP晶体上没有滑移位错。在这种衬底上生长的VPEInGaAs外延层显示出几乎没有传播位错,而且漏电流极小。 相似文献
15.
本文采用Lowdin微扰原理改进计算效率的局域密度泛函(LDF)线性Muffin-tin轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带从头计算方法,以平均键能Em作参考能级,计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石(C/BN)、以C0.5(BN)0.5合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼(CIBN)、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼(C\BN)和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长(C-BN)等四种不同情况下,宽禁带半导体异质结C/BN的价带偏移△Ev值,结果分别为1.505、1.494、1.38 相似文献
16.
17.
用电流控制液相外延(CCLPE)方法首次在(100)InP衬底上成功地生长出In1-xGaxAsyP1-y(0.30<x<0.47,0.70<y<0.96)外延层,并对外延层特性进行了详细研究,提出在InP衬底上生长电外延层的机理,推导出生长动力学的理论模型,该模型与上述实验结果十分吻合。 相似文献
18.
采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在GaAs(100)衬底上进行了InSb薄膜的分析束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现:不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
19.
采用无GaAs缓冲层,低温+常规的方法在G8As(100)衬底上进行了InSb薄膜的分子束外延(MBE)生长,测试了样品的双晶X射线衍射半峰宽(FWHM),电学霍尔(Hall)特性及红外透射谱。通过大量的实验发现。不生长0.5μmGaAs缓冲层,同样可生长出电学性能及红外透过率都较理想的样品,这可缩短材料的生长周期,降低生产成本,对将来器件的批量制作有一定的意义。 相似文献
20.
采用经验的紧束缚方法对生长在InxGa1-xAs(001)衬底上的应变薄层GaAs的电子能带结构进行了计算。应变对能带结构的影响按标度定则进行计算,其中标度指数根据对畸变势常数的实验值进行拟合而确定。给出了GaAs/InxGa1-xAs(001)能带结构随衬底合金组分x的变化关系,讨论了应变对能带色散关系的影响。 相似文献