VCO电调特性的线性校正技术综述

VCO电调特性的线性校正技术是决定线性调频连续波雷达系统性能的关键技术之一。给出了VCO电调线性度的基本定义。VCO电调特性的线性校正技术主要包括电抗补偿线性校正、开环线性校正和闭环线性校正三种基本校正方案。详细分析了各种校正方案的基本原理,并对各种校正方案的优缺点进行了对比分析;同时,详细介绍了VCO线性校正技术的最新研究进展。     

两个新颖的VCO电路

本文介绍两个实用的VCO电路。第一个VCO由运算放大器、乘法器和RC网络构成;第二个VCO是第一个VCO的改进。文中给出了实验结果。     

线性度校正的新方法与系统应用

在传统的延迟锁相环路的基础上提出一种工程上易于实现的线性调频连续波线性度校正的方法,对其校正原理作了详细描述,并对这种校正方法进行计算机仿真分析.从仿真和实际应用的结果可以看出,该方法提高了线性调频连续波雷达扫频源的线性度,满足了其高精度测距的实际需要.     

3mm线性调频源线性度的校正技术及其计算机模拟研究

提出了一种３ｍｍ线性调频源性度的实时环校正方法。应用该方法研制了３ｍｍ线性调频源线性度校正系统。重点对这种实时闭环校方法进行了计算机模拟研究，证实了３ｍｍ线性调频源稳态线性度高，可满足３ｍｍ线性调频连续波雷达的高线性度要求。     

Ka波段宽带变容管电调振荡器研究

本文分析交建立了串联型宽带变容管电调振荡器的电路模型,在Ｋａ波段上完成了电路设计,获得了１３．３％的相对电调带宽,带内最小功率４０ｍＶ,最大功率达９０ｍＶ;最大电调速宽达到４．６ＧＨｚ。     

8mm波段高稳电调倍频源研究。

介绍了采用X波段DRVCO+四倍频功放组件方案研制8mm波段高稳电调倍频源的设计。该频率源结构紧凑、机械调谐带宽和电调谐带宽分别可达1GHz和400MHz、电调谐灵敏度可达40MHz/V、相位噪声为-96dBc/Hz@100kHz。     

一种毫米波梳状鳍线电调衰减器的研究与实现

为实现毫米波信号功率电平控制,设计出一种电调衰减器,衰减器传输线为波导鳍线形式,通过在鳍线槽缝中并联PIN二极管实现衰减,另外,为了抑制波导与鳍线夹缝中的能量泄露,采用了一种新型纵向的梳状结构进行改善。整个电路结构紧凑,易于加工实现,经过仿真、优化并实测,在Ka波段1 GHz 带宽内插损不超过2 dB,最大衰减量可达32 dB,衰减性能良好。     

一种新颖的VCO电路

本文介绍了一种采用以四象限模拟乘法器作基本元件,并使用AGC环的新颖VCO电路.     

提高VCO频谱纯度的方法

本文详细分析了影响压控振荡器（VCO）频谱纯度的因素，并从中得出了提高VCO频谱纯度的方法。     

基于标准CMOS工艺的毫米波线性叠加振荡器

采用UMC0.18μm标准CMOS工艺,实现了输出频率为36.56GHz的振荡器。基波振荡单元使用交叉耦合振荡电路实现,两个基波振荡单元之间通过交叉互连实现相位钳位,得到四路振幅相等相位差为90°的正交振荡信号,四路正交信号通过线性叠加结构实现对基波信号的四倍频。突破了工艺截止频率的限制,显著的提高了振荡频率。芯片测试结果表明：工作电压1.8V时,消耗的电流为40mA,基波信号频率为9.14GHz,校正后输出功率为-10.85dBm,在1MHz频偏处相位噪声为-112.54dBc/Hz;四倍频信号频率为36.56GHz,校正后输出功率为-37.17dBm。本文中的振荡器可以广泛的应用于毫米波通信系统,有高集成度、低成本等优点。     

一种新型电容阵列结构线性宽带VCO

针对开关电容阵列结构压控振荡器(VCO)的非线性粗调谐特性,提出了一种新型的电容阵列结构线性宽带VCO。该VCO只有1组MOS电容、4路数字控制信号控制电阻阵列和电流源阵列,得到1组偏置直流电压以进行粗调谐;1路模拟控制电压通过电流叠加的方式叠加在MOS电容的控制电压上,进行精细调谐。电阻阵列控制不同数字控制信号下的调谐增益KVCO,与电流源阵列共同产生直流偏置电压以控制步进频率,可以灵活地精确设置不同数字信号控制下的电容值大小,取得线性的粗调谐特性。仿真结果显示,该VCO的调谐范围为5.00~5.87 GHz,步进频率为166 MHz,调谐增益KVCO变化范围为－900~－450 MHz/V,不同数字控制信号下的调谐特性几乎相同,比传统二进制电容阵列拥有更好的粗调谐特性。1.8 V供电电压下,电路最大消耗4.43 mA直流电流。     

MC1648两种改进型VCO的压控特性和频率稳定性研究

本文对2种改进型VCO的压控特性和频率稳定性进行了分析,并给出实际测量结果。结果表明,两VCO在变容管允许承受的整个反偏压范围内,压控特性具有较好的线性,频稳度达10^-4-10^-5级,大大优于一般频率固定的LC振荡器,所以适合于性能要求较高的场合使用。     

低相位噪声毫米波单片压控振荡器的研制

采用0.18um GaAs PHEMT工艺,设计和研制了毫米波压控振荡器.该压控振荡器采用反射式结构,并针对了我国本地多点分配业务(LMDS)频段进行了优化设计,芯片采用OMM IC ED02AH工艺实现,芯片的尺寸为1.2mm×0.8mm.实测性能指标为:在28.46GHz,该压控振荡器的输出功率为7.3dBm,偏移1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,调谐范围为27.5~30.4GHz.     

JX处理器内嵌PLL中VCO的设计

设计了一种应用于微处理内嵌PLL中的具有新型结构的VCO。具体阐述VCO各组成部分的单元电路和工作过程，进行了模拟。完成版图设计，采用SMIC0．18μm CMOS工艺进行流片加工，对实际芯片进行测试．得出结论：在电源电压为1．8V下，当噪声峰值大于10mV时，其平均抖动约为12p8。     

MC1648两种基本型VCO的压控特性和频稳性研究

本文对集成锁相环中常用的 2种基本型MC1648负阻集成VCO的压控特性和频稳性进行分析并给出实际测量结果。结果表明 ,压控特性在较宽范围内具有较好的线性 ;频稳度均优于 2×10 -4 量级 ,已达到甚至优于一般频率固定的LC振荡器。     

C波段GaAs FET VCO设计的一种方法

在小信号Ｓ参数基础上，提出了一种宽带优化方法，设计了宽调谐、低相噪ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ。用该方法设计的Ｃ波段ＧａＡｓＦＥＴＶＣＯ用变容二级管调谐，其电压调谐范围在０～１５Ｖ，在调谐带宽为５００ＭＨｚ范围内ＶＣＯ的调谐线性度为１：１．５，带内相位噪声优于－８２ｄＢｃ（偏离１００ｋＨｚ处）输出功率大于２０ｍＷ，功率起伏小于±１ｄＢ。