电子俘获光存储材料的最新研究进展

电子俘获材料是一类有着巨大应用潜力的光存储材料,它能将写入光照射材料后产生的电子(空穴)束缚在材料的某些稳定的高能级(陷阱)上。只有经过合适的读出光照射,被束缚住的电子(空穴)才能脱离陷阱复合发光。发光在空间的强度分布与写入光的分布一致,即再现了写入光的信息。电子俘获材料的种类很多,研究进展各不相同。其中,以作为X光影像存储材料的BaFBr:Eu为代表的碱土金属氟卤化物已经广泛应用于医疗诊断方面。本文分类介绍了近年来几种典型的电子俘获材料在发光机理和应用方面的最新进展,尤其重点介绍了新兴的玻璃陶瓷型电子俘获材料的研究工作情况。     

电子俘获材料在光存储技术中的应用

阐述了电子俘获光存储技术原理,进行了图像写／读／擦除及图像加／减等实验,探讨了电子俘获光存储中的动力学机制,研究了电子俘获材料中读出光、写入光和发射光三者之间的关系。实验表明,电子俘获材料以其写／读、擦速度快、存储密度高以及无限的读写循环寿命等优点,在光存储、光信息处理领域具有非常广阔的应用前景。     

电子俘获得光存储材料的研究进展

电子俘获存储技术是一种新型的存储技术，有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制，实现大密度稳定可重复擦写存储，文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制，以及各种材料的存储特性，并探讨了存在的问题。     

电子俘获光存储技术

随着计算机和信息产业的发展，越来越多的信息内容以数字化的形式存在、传输和保存。因此对大容量信息存储技术的研究就逐渐升温。激光技术的不断成熟，尤其是半导体激光器的成熟应用，使得光存储从最初的微缩照相发展成为快捷、方便、容量巨大的存储技术，各种光ＲＯＭ纷纷亮像，到最近的ＤＶＤ—ＲＯＭ发布之时，双面５．２５英寸大小已经可以存储１０Ｇ比特的数据。 与磁介质存储相比光存储技术寿命长，非接触式读／写，信息的载噪比（ＣＮＲ）高，信息位的价格低，但是不足也是明显的：光盘机价格较贵，传输速率低，重复擦写技术尚不成…     

电子俘获材料KCl:Eu2+的光存储特性研究

采用高温固相反应法制备出了粉末态的 KCl:Eu2 样品 ,研究了 Eu掺杂浓度与光激励发光的关系。测试了样品的发光性能和存储性能 ,并分析了 KCl:Eu2 的光存储的机制。     

（Ca，Sr）S：Eu，Sm的光激励发光和电子俘获机理的研究

研究了CaxSr1-xS;Eu，Sm(x=O～1)的光激励发光和吸收性质，测量了样品的红外光激励谱。发现激发后样品在红外区的吸收增强，增强部分的波长分布与光激励谱相同，峰的位置随组分x值而变化，同时在这些谱带上还发现了一些次级结构。由此说明Sm^3 对陷阱的红外激励吸收的影响。据此提出一个复合陷阱模型，指出电子俘获中心并非Sm^3 附近形成的晶格缺陷。     

电子俘获材料CaS：Eu,Sm红外上转换光衰减特性的研究

根据电子俘获机制，提出了CaS：Eu,Sm红外上转换的衰减模型，建立了速率方程并进了初步的求解，其解具有三级指数衰减的形式。从实验上测定了CaS：Eu,Sm在不同温度下的红外土转换光衰减特性，对实验结果进行了非线性拟合，拟合结果也具有三级指数衰减规律的形式。     

电子俘获材料的浓度猝灭

利用稀土直接掺杂工艺对电子俘获材料 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ , Ｓｍ 进行了配方优化,确定了最佳的激活剂浓度,并结合光谱测试,分析了引起 Ｃａ Ｓ： Ｅｕ , Ｓｍ 红外上转换发光浓度猝灭的原因     

红外光激励下稀土共掺杂SrS中的光存储

研究了ＳｒＳ：Ｅｕ,Ｓｍ,Ｃｅ在紫外和蓝光辐照下的光激励发光,分析了不同写入光激发下光激励发射谱的差异,发现空穴束缚对其起决定性的作用。对电子发生转移的途径和光激励及ＳｒＳ：Ｃｅ,Ｓｍ相比,ＳｒＳ：Ｅｕ,Ｓｍ,Ｃｅ在存储密度有进一步的提高。     

电子俘获材料的红外最小可激发阈值

在对撞脉冲锁模ＮｄＹＡＧ激光器产生的１．０６４μｍ超短红外脉冲激光激励下,采用参考光和测量光同时入射的测量方案,利用一台可见光条纹相机进行了电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值的研究,结果表明：在可见光条纹相机最小可探测能量密度Ｊｍｉｎ＝８．３×１０－１０Ｊ／ｍｍ２的条件下,测得电子俘获材料ＣａＳＥｕ,Ｓｍ的红外最小可激发阈值优于４．８×１０－９Ｊ／ｍｍ２。     

Thermo—analysis of Preparation Process for Electron Trapping Materials

The heated process of raw materials for electron trapping maerials(EMT) is investigated by thermo-analysis method.The temperature range of raw materials experienced some physical and chemical change processes,such as dehydration,organic solvent removal,crystal sulphur burning,oxidation of alkaline earth sulfides and solid phase reaction(rare earth doped)and so on,are obtained.The experimental results also show thaat the presence of oxygen in shielded gas is very harmful to prepare the ETM.The raw material thermo-analysis results provide very important experimental reference for optimizing the ETM preparation techniques.     

电子俘获材料的皮秒红外脉冲激励发光

在经过标定的Nd:YAG激光器产生的超短红外脉冲激光激励下,采用双光束入射、单脉冲测量方案,利用可见光条纹相机研究了电子俘获材料CaS:Eu,Sm的红外上转换发光情况,结果表明:在λ=1.064 μm,FWHM=19.2 ps的红外脉冲激光作用下,这类材料红外上转换发光的FWHM优于14.3 ps.     

日立公司最新电子枪技术

对日立公司新一代彩色显像管用电子枪的结构及性能进行了剖析和系统讨论. 聚焦对比实验显示出日立公司新一代电子枪具有优越的聚焦性能.     

WiMAX标准最新进展

概述了WiMAX的发展现状.从固定无线接入空中接口、移动无线接入空中接口以及管理平面相关的标准等方面介绍了IEEE 802.16标准的最新进展情况.进一步阐明了WiMAX的工作重点,包括认证规范与网络规范.     

物联网的最新发展动态

中央政府目前全局部署物联网产业发展,物联网政策和环境已逐步完善和细化,地方政府也根据自身的地方特点实施物联网应用。物联网技术和标准稳步发展,但物联网技术还有很大的提升空间,未来物联网的技术将在信息感知、信息传输和信息处理技术领域有很大的突破。     

SMT设备的最新发展趋势

表面安装技术自20世纪80年代以来已在电子工业中得到了广泛应用和发展。对SMT设备未来的发展趋势作了初步分析。从中可以看出SMT设备与电子技术相互促进、协调发展密不可分的关系。     

产品骚扰的的抑制方法

电子、电气产品之普及,已成为生活中不可缺少的一部分,伴随着而来的电磁干扰也越来越严重.文章介绍了EMC的规律,围绕电磁干扰的三要素,即电磁干扰源、电磁干扰的 传播途径和敏感设备,分析并讨论了抑制干扰的三大基本技术.即滤波、屏蔽、接地.