用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文提出一种测量Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分均匀性的简便方法。该方法以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性,测量样品的截止波长,再用E_(?)-X经验公式求出样品的组分X。通过对样品的二维扫描,可求得Hg_(1-x)Cd_xTe横向组分的面分布。透光因子的定义     

布里奇曼法生长的Hg1—xCdxTe晶体的性能

本文简要地介绍了布里奇曼法生长的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体的组分分布、电学性质、微观结构和红外透射比曲线。这些晶体具有较好的横向组分均匀性、较低的载流子浓度和较长的少数载流子寿命。本文还报道了用此晶体制作的光电导器件的性能。     

光调制吸收测量HgCdTe载流子寿命及其干涉效应

用光调制红外吸收技术测量了Hg_(1-x)Cd_xTe(0.23相似文献   

用交流TSC法研究窄带Hg_(1-x)Cd_xTe中的深能级

决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A值的一个重要因素。因此,研究Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,弄清楚它对PN结性能的影响,对提高Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器的性能有重要意义。研究Hg_(1-x)Cd_xTe材料中深能级的电学方法主要有三种,即深能级瞬态谱(DLTS)、导     

用光截止法测量Hg_(1-x)Cd_xTe的横向组分均匀性

本文以相当可靠的黑体辐射公式为基础,利用Hg_(1-x)Cd_xTe样品本身的光截止特性测量样品的截止波长,再用E_g-x经验公式求出样品的组分(?)对样品进行二维扫描,获得了Hg_(1-x)Cd_xTe样品横向组分的面分布。测得的组分均方根偏差与电子探针的测量结果符合得很好。     

Hg1—xCdxTe组分x的横向均匀性

根据Hg_(1-x)Cd_xTe的吸收边规律,建立了从室温下体材料Hg_(1-x)Cd_xTe大光斑透过曲线确定样品平均组分x_0和均方差Δx的方法及计算软件.     

Hg_(1-x)Cd_xTe双色光电导探测器

Hg_(1-x)Cd_xTe是窄禁带半导体材料,适于制备高质量的本征光电导红外探测器,而且可以通过控制x值,分别制备出响应波段在1～3μm,3～5μm,8～14μm,16～22μm的探测器。Hg_(1-x)Cd_xTe材料的吸收系数一般大于10~3 cm~(-1),要求探测器厚度小于10μm。利用Hg_(1-x)Cd_xTe材料的这些特点,可以制备出叠层多色光电导探测器,上层是响应波长较短的探测器,下层是响应波长较长的探测器,利用短波探测器作为滤光片,滤去短波辐射,让大于     

利用Hg压控制生长溶液的Hg_(1-x)Cd_xTe滑移接触液相外延

制备均匀的接近完整的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶非常困难,其主要原因是Hg的蒸汽压高。然而,用外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄层得到基本上质量较高的材料却具有很大的潜力。采用一种新的、开管、水平滑移接触型液相外延(LPE)生长工艺,在这种工艺中,利用Hg压控制生长溶液,并证明了生长溶液的组份得到了高度的控制。在CdTe衬底上生长了Hg_(1-x)Cd_xTe的液相外延层,用光学输运测量和电子显微镜探针测量,进一步证实了外延层的高质量。薄层厚度均匀,通过改变过冷度或生长时间,层厚在5到40微米间变化。在原生长位置上退火的样品,77K下测量的结果是:电子载流子浓度低至8.6×10~(15)/厘米~3,电子的霍尔迁移率可达到2.8×10~5厘米/伏·秒。     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)

本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77～300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。     

窄禁带半导体的自由载流子吸收

从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5～50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。     

微测辐射热计的红外热响应模拟

利用有限元法对微桥结构的测辐射热计进行了二维热模拟.定量地分析了探测单元的大小尺寸、支撑层的厚度,支撑臂的长度和宽度、引线材料的选取等对微测辐射热计探测单元在红外辐射下温度的变化和热响应的快慢情况.评估了真空封装对微测辐射热计红外响应的影响.同时作为比较对平板空腔结构的红外探测器也进行了分析.     

一种改进的光谱响应测量方法

在分析以往光谱响应测量装置的基础上，结合黑体和单色仪的优点，利用普朗克公式，建立了一套改进的光谱响应测量装置，其综合性能指标优于目前的同类装置，可用于对探测器光谱响应及其测量仪进行检定，实现不同实验室之间光谱响应参数的量位传递。     

隧道窑中工件的温度响应

本文讨论隧道窑中工件的温度响应，结果表明。工件所经历的温度过程相对于隧道窑设定的温度曲线而言，会出现温度滞后。文章介绍了影响温度滞后的若干因素。     

由光谱响应选择红外探测器滤光片

通过对SPR制冷型InSb红外光伏探测器相对光谱相应的测试及滤光片透过率谱的测试,发现了场镜、滤光片、红外探测器组合件的光谱响应同滤光片技术条件的关系和差别.     

用扫描干涉法测定光电系统高频响应

提出了用扫描Fabry-Perot干涉仪对光电系统10～500MHz的频率响应进行测试的方法。用信号半值宽度τ_m来估计光电系统的高频截止频率fc,讨论了fc=1/1.7τ_m的理论依据和适用范围。本方法的特点是无需高频光源和高频信号源,即可进行光电系统的高频响应测试。     

考虑红外焦平面器件非线性响应的一种非均匀性校正方法

针对红外焦平面阵列的非线性响应特性,提出了一种考虑非线性响应的“曲线—直线”校正方法,并给出了校正的计算公式.仿真实验结果说明此方法具有精度高,计算量小的优点,需要存储的参数少,易于硬件实现.     

有耗耦合传输线瞬态响应的性质与分析

本文从频域电报方程出发,推出了一个描述传输线ABCD矩阵的微分方程,并将其解析解展开为矩阵无穷级数,从数学角度严格地推导出了有耗耦合传输线瞬态响应的两条重要性质。从这些级数还可近似计算ABCD矩阵的值。为了提高效率,采取了将传输线分割成许多相互级联的子网络的步骤。文章最后给出了利用ABCD矩阵分析传输线瞬态响应的方法和两应用实例。与经典的频域模式法相比,该方法完全避免了模式分解的复杂过程,因而其计算机程序更简单,节省了大约一半的内存。     

一种考虑红外焦平面器件非线性响应的非均匀性校正方法

针对红外焦平面阵列探测元响应具有非线性特征,提出了一种易于硬件电路实现的、考虑探测元响应非线性的非均匀性校正方法．通过理论分析和仿真实验,结果表明该方法校正参数少,易于硬件实现并且校正性能优于多点校正法和基于多项式拟合的校正方法．     

量子阱红外探测器响应峰值波长的Raman散射测量

通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出：由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长．它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠．     

硅化铂红外焦平面凝祝成像系统光谱响应特性的研究

讨论了硅化铂红外焦平面凝视成像系统光谱响应特性和测量方法．对其光谱响应特性进行了实验室定标，并分析比较了实验测量值和分离预期值．