低本底反康普顿HPGe γ谱仪的调试

本文报道的低本底反康普顿ＨＰＧｅγ谱仪．ＨＰＧｅ探测器对￣（６０）Ｃｏ的１３３２ｋｅｖγ射线的相对探测效率为３８．３％．能量分辨率为１．７７ｋｅＶ。在阱型反符合屏蔽下．对放在探测器端面的￣（１３７）Ｃｓ点状薄膜源的峰康比可达６８５．８：１；测量时间１００ｍｉｎ．置信度９５％时．￣（１３７）Ｃｓ点源的最小判断限为１．１２ｘ１Ｏ￣（－４）Ｂｑ。在物质屏蔽和阶型反符合屏蔽下，在５０～２１５２．８ｋｅＶ能区的积分本底为０．３４３ｓ￣（－１）。与无反符合屏蔽时相比，压缩系数大于４．５．对￣（１５２）Ｅｕ体源，谱仪积分非线性为０．０２７％。     

采用联反符合计数系统的康普顿抑制γ谱仪

本文介绍的用于低本底γ测量的小型康普顿抑制谱仪采用并联取样反符合计数系统，同时具有简单有效的物质屏蔽和数据自动采集和分析功能，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对置于ＮａＩ（Ｔｌ）主探测器上方３．５ｃｍ处的＾１３７Ｃｓ薄膜源的探测灵敏度为７４．３７Ｐａ；在５０－２０００ＫｅＶ能区的积分本底为１５ｍｉｎ＾－１，与无反符合屏蔽时相比降低了６１．５％。     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题…

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（＾１３７Ｃｓ５０￣５９５ｋｅＶ），相对探测     

一台自行组建的低本底Ge（Li）－NaI（T1）反符合γ谱仪

本文报道自行组建的一台Ｇｅ（Ｌｉ）－ＮａＩ（Ｔｌ）反符合γ谱仪的结构和性能。主探测器是φ６１．５ｍｍ×５６．０ｍｍ的同轴Ｇｅ（Ｌｉ）探测器（灵敏体积为１５０ｃｍ￣３），由φ８８．９ｍｍ×７６．２ｍｍ的圆柱形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体和外、内径×高为２５４ｍｍ、８８．９ｍｍ×３０５ｍｍ的环形ＮａＩ（Ｔｌ）晶体构成井型反符合探测器，主要的物质屏蔽层是１００ｍｍ铅＋１５ｍｍ钢＋５ｍｍ铜。Ｇｅ（Ｌｉ）探测器对￣（６０）Ｃｏ１３３３ｋｅＶ能量的分辨率为２．４ｋｅＶ，峰康比为４４，相对探测效率为２４％。在反符合屏蔽条件下，谱仪在康普顿坪（３５８—３８２ｋｅＶ）和康普顿端（４６０—４８４ｋｅＶ）的抑制因子分别为５．Ｏ和５．４；康普顿区积分（５０—５９５ｋｅＶ）抑制因子３．６，峰康比（￣（１３７）Ｃｓ点源）为４９４。在１００—２０００ｋｅＶ能区屏蔽室内、外的积分本底比为１：１３１。加反符合和不加反符合条件下的积分本底抑制因子为３．５，加反符合后的积分本底为１７．２ｃｐｍ。当测量时间１０００ｍｉｎ、置信度９５％时，￣（１３７）Ｃｓ的最低可探测活度（判断限）为５．８ｍＢｑ．２４小时内，￣（２４１）Ａｍ、￣（１３７）Ｃｓ和￣（６０）Ｃｏ     

地下铁室铅室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统及其应用研究

本文介绍一地下室铁室组合屏蔽低本底ＨＰＧｅγ谱测量系统。该系统由地下铁室和在其内的铅室组成物质屏蔽；在１００－２０００ｋｅＶ能区，相对效率为３８．４％的ＨＰＧｅ探测器积分本底计数率为０．７／ｓ，本底效率比为１．８２／ｓ；谱数据收集时间为１０００ｍｉｎ时对＾１３７Ｃｓ点源的探测下限为３．４ｍＢｑ，作为举例，还介绍了用该系统分析测量反应堆退役清洗去污后的不锈钢管道样品中＾１３７Ｃｓ和＾８０Ｃｏ含量及分     

一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题的解决方法

本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗（ＨＰＧｅ）γ谱仪研制过程中，针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为：能量分辨率ＦＷＨＭ＝１．７７ｋｅＶ（１３３２．５ｋｅＶ），峰康比６９４：１（６６２ｋｅＶ），康普顿积分抑制系数３．８（￣（１３７）Ｃｓ５０～５９５ｋｅＶ），相对探测效率３８．３％（１３３２．５ｋｅＶ），系统本底０．３９ｓ￣（－１）（５０～２０１４ｋｅＶ），连续４８ｈ运行，零点稳定，１３３２．５ｋｅＶ增益漂移小于０．０７％。     

70As的衰变研究

采用低本底ＮａＩ－ＨｐＧｅ反康普顿谱仪和γ－γ－Ｔ（ＨｐＧｅ－ＨｐＧｅ）三参数快慢符合系统研究了＾７０Ａｓ３７→＾７０Ｇｅ３８的衰变，通过γ单谱和反康普顿谱的分析，给出了６５条γ射线的能量及相对强度；利用符合关系建立了＾７０Ａｓ３７→＾７０Ｇｅ３８的衰变纲图，其中，１０３６．９９、１１９６．６６、１５３９．２９、２５３１．７ＫｅＶγ射线为首次测到的，３５７０．５３、４２４３．１０、５２６５．８１ｋ     

一台低本底反符合γ谱仪本底主要来源的确定

放射性核素＾４０Ｋ是我们已经研制成功的ＨＰＧｅ低本底反符合γ谱仪本底的主要来源，本文介绍确定＾４０Ｋ来源的方法及其结果，结果表明，＾４０Ｋ本底主要来自自由北京核核仪器厂的ＳＴ１０５型ＮａＩ（Ｔｌ）环探测器所使用的６个光导玻璃窗，其钾含量１５．８％，所含＾４０Ｋ总的放射性活度约为９１０Ｂｑ，同时指出了为进一步降低仪本底所应采取的措施。     

锗γ谱仪^110mAg符合相加修正因子测量

通过在ＨＰＧｅ探测器表面及距探头２８ｃｍ处分别测量形状相同的＾１１０ｍＡｇ（６５７．８ｋｅＶ）和＾１３７Ｃｓ（６６１．６ｋｅＶ）体源的全能峰妆计数率,可在避开源活度,发射几度和自吸收修正等条件下,测得在探测器表面测量＾１１０ｍＡｇ６５７．８ｋｅＶγ射线的符合相加修正因子Ｆ０;本文介绍了此测量方法的原理和测量结果。     

探测器校准用的6130keV单能γ源

通过混合＾２３８Ｐｕα辐射体和＾１３Ｃ制得单能６１３０ｋｅＶ高能γ射线校准源，测量了ＨＰＧｅ探测器效率、标准源的中子发射率、γ射线能谱及其发射率，讨论了不同投料比和工艺。     

乏燃料后处理溶液中U,Pu的^57Co原激发K—XRF分析

自制一套＾３７Ｃｏ源激发与Ｋ系Ｘ射线荧光（Ｋ－ＸＲＦ）分析系统，用＾３７Ｃｏ的ｋｅＶγ射线激发工艺溶液中Ｕ，Ｐｕ的Ｋ系Ｘ射线荧光，用ＨＰＧｅ探测器－多道微机分析系统进行测量，并以１２２ｋｅＶγ射线康昔顿散射线为内标，建立强度比－浓度校正曲线，快速同地测定了ＰＷＲ乏燃料后处理工艺溶液中Ｕ，Ｐｕ浓度，测定范围为０．５－２００ｇ／Ｌ，精密度为５．０％－１．５％。方法适于ＰＷＲ乏燃料后处理工艺中，Ｕ，Ｐｕ     

^75Se和^113Sn的KX射线发射几率测量

用＾５４Ｍｎ、＾５７Ｃｏ、＾６５Ｚｎ、＾８５Ｓｒ、＾１０９Ｃｄ、＾１３７Ｃｓ等核素发射的ＫＸ射线和Ｉ（ＫＸ）／Ｉ（γ）比值法在５￣４０ｋｅＶ范围内对Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的效率进行了刻度（不确定度小于２％）。在此基础上,用Ｓｉ（Ｌｉ）Ｘ射线谱仪系统和ＨＰＧｅγ射线谱仪系统对核素＾７５Ｓｅ和＾１１３Ｓｎ的主γ射线和ＫＸ射线进行了测量,获得了＾７５Ｓｅ和＾１１３Ｓｎ的ＫＸ射线发射几率,并与文献报道值进行了     

丰中子核素238Th的分离和鉴别

用６０ＭｅＶ／ｕ＾１８Ｏ离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子新核素＾２３８Ｔｈ。采用放射化学分离方法从铀和反应产物中分离钍,用ＨＰＧｅ探测器做γ单谱时间序列谱测量,在测得的Ｔｈ样品的γ谱中观察到了＾２３８Ｔｈ衰变子体＾２３８Ｐａ的１０６０．５ｋｅＶγ射线的生长和衰变。从而鉴别了新丰中子核素＾２３８Ｔｈ,并确定其半衰期为（９．４±２．０）ｍｉｎ。     

乏燃料后处理溶液中U、Pu的~(57)Co源激发K-XRF分析

自制一套５７Ｃｏ源激发Ｋ系Ｘ射线荧光（Ｋ－ＸＲＦ）分析系统。用５７Ｃｏ的１２２ｋｅＶγ射线激发工艺溶液中Ｕ、Ｐｕ的Ｋ系Ｘ射线荧光，用ＨＰＧｅ探测器－多道微机分析系统进行测量，并以１２２ｋｅＶγ射线康普顿散射线为内标，建立强度比－浓度校正曲线，快速无损地测定ＰＷＲ乏燃料后处理工艺溶液中Ｕ、Ｐｕ浓度。测定范围为０．５—２００ｇ／Ｌ，精密度为５．０％—１．５％。方法适于ＰＷＲ乏燃料后处理工艺中Ｕ、Ｐｕ浓度的快速控制分析或在线分析。在同时应用５７Ｃｏ透射源的情况下，精密度达０．５％，方法适于核燃料衡算分析。     

反符合屏蔽低本底Ge(Li)γ谱仪

本文报道了一台由Ge(Li)主探测器和环形NaI(Tl)反符合探测器组成的高灵敏度γ谱仪的结构、性能和应用。谱仪用交替的物质屏蔽和井形NaI(Tl)反符合屏蔽降低本底。Ge(Li)探测器的体积为78cm~3,对~(60)Co 的1332keVγ射线的分辨率为2.42keV,不加任何屏蔽时峰康比为36.4,相对效率为16%,对~(187)Cs 点源γ射线全能峰的探测效率为1.6%。本谱仪在不加和加反符合屏蔽时,对~(137)Cs 点源的峰康比分别为79和333;康普顿区积分抑制因子为3.67,康普顿端抑制因子为5.2;在50—2700keV 能量范围内,本底抑制因子为3.2。在物质屏蔽和反符合屏蔽条件下,在上面的能量范围内,谱仪本底为24cpm。对~(137)Cs 点源,当测量时间为1000min、置信水平为95%时,谱仪的最小探测限(判断限)为2.2×10~(-2)Bq(0.59pCi)。本谱仪主要用于分析测量环境样品和其他低水平放射性样品中发射γ射线的核素的含量。     

碘化汞半导体探测器的能量分辨率

介绍了ＨｇＩ２晶体的生长方法及探测器制备技术，讨论了ＨｇＩ２半导体探测器的能量分辨率，测得ＨｇＩ２探测器在室温玻地＾５５Ｆｅ５．９ｋｅＶ和＾２４１Ａｍ５９．５ｋｅＶＡ射线的能量分辨率分别为１．３ｋｅＶ和３．４ｋｅＶ。     

一套低本底反康普顿HPGeγ谱仪系统积分本底的实验研究

本文对一套低本底反康普顿HPGeγ谱仪系统的积分本底进行了实验研究,测量了谱仪系统在无屏蔽、屏蔽室以及屏蔽室加反符合三种条件下的积分本底.结果表明,谱仪系统积分本底主要来源于康普顿连续坪区和40K核素1460keVγ射线全能峰.实验确定了40K主要来自NaI (Tl)环探测器的六个光导玻璃窗及光电倍增管,两者所含40K总的放射性活度约为612Bq.     

碘化钠-塑料探测器反符合屏蔽低本底Υ谱仪

本文报道一台以φ75×75mm 的 NaI(Tl)晶体为主探测器,以φ430×500mm 的环型塑料闪烁体为反符合探测器,以另一φ75×75mm 的 NaI(Tl)晶体为符合探测器所组成的反符合屏蔽低本底γ谱仪。采用含放射性杂质少的结构物质和屏蔽材料,符合、反符合等措施降低本底。在井型反符合屏蔽条件下,主探测器在0.05—2.0MeV 能区内的积分本底为68cpm。对~(137)Cs(φ8mm)面源的能量分辨率为10.5%,全能峰效率为10.9%,康普顿散射减弱因子可达2.1;当测量时间为1000min,置信水平为95%时,面源最小可探测下限为1.13dpm。该谱仪适于环境样品及某些弱放射性样品的测量。     

135La(EC+β+)衰变的研究

用ＨｐＧｅ探测器和低本底普顿抑制谱仪研究了＾１３５Ｌａ的放射性衰变,实验得到单谱,康普顿抑制谱和γ－γ符合谱。根据实验数据得到＾１３５Ｂａ低激发态,γ跃迁的能量,强度和级联关系以及＾１３５Ｌａ衰变纲图。采用了角动量投影壳模型理论为＾１３５Ｂａ低激发态能级进行计算,并与实验值进行了比较。     

高纯锗探测器的快定时性能及其应用

为了将高纯锗（ＨＰＧｅ）探测器用于快定时的物理实验中，本实验研究厂影响高纯锗探测器定时谱仪时间性能的各种因素，找出了获得谱仪最小时间分辨的各种最佳参数。并建立了分辨时间为４．１９ｎｓ，能量分辨率为２０ｋｅＶ，微分非线性好于±２．０％，计效率可承受１２０×１０￣３ｓ￣（－１）的时间微分扰动角关联谱仪。利用此谱仪，以￣（２０４）Ｂｉ为探针核，研究了Ｂｉ系高温超导的微观机理，取得了较好的结果。