航天高电压设备的绝缘防护研究

通过对航天电子产品特殊的工作环境分析,针对低真空环境下的低气压放电问题,阐述了航天高电压设备对绝缘的特殊要求。在低气压条件下通过设计足够的间隙,减小电场强度分布,合理的排气通道避免低气压放电现象的发生。同时在绝缘防护工艺上采取绝缘涂覆或者灌封(或局部灌封)工艺,将气体绝缘转换为固体绝缘,可以有效提高产品的绝缘能力。     

电极留边量对高压瓷介电容器耐电强度的影响

通过对不同电极留边量的高压瓷介电容器耐电强度进行测试和分析,并从中发现当电极留边量控制在0.8~1.2mm时,能够使高压瓷介电容器的合格率达到最佳值(不良率小于50PPM).从而满足了整机客户的对可靠性的要求.     

基于高压陶瓷电容器放电回路的优化设计

针对使用高压电容器的几种放电回路,开展了回路参数仿真分析研究。参数辨识结果表明采用高压陶瓷电容和固态开关组成的放电回路参数明显优于采用高压固体电容器和触发管的放电回路,改进装配方式后回路参数也比改进之前明显减小。该改进技术的提出,在不改变既定电性能指标的基础上大大改善了整个回路电路的体积与质量。该改进技术已成功应用于多个爆破项目中。     

电致生物效应高压脉冲源控制系统设计

为了提高电致生物效应高压脉冲源连续运行时的输出精度及可靠性,设计了一种基于嵌入式实时操作系统Small RTOS51的电致生物效应高压脉冲源控制系统。采用NEC8254-2低成本地实现频率、占空比可调PWM输出,以MAX526,MAX197分别实现D/A,A/D功能,构成高压脉冲源输出控制与反馈回路,并提出了一种改进的采样信号中位值滤波算法。与传统中位值滤波算法相比,该算法具有更高灵敏度,基于RTOS的程序设计,提高了系统的可靠性。实验结果表明:高压脉冲源在连续运行条件下输出精度稳定达到0.1%。     

多路高压放大器输出直流电压监测与显示系统设计

在自适应光学系统中,自适应控制器AD输出控制信号需要通过高压放大器放大成高压电驱动压电陶瓷变形镜,从而实现波前实时校正.在实际系统中,往往需要对高压放大器输出电压进行实时监测.本系统采用小体积单片机C8051F310作为控制器,采用专用电表芯片CS5460A作为核心测量芯片,实现了单板对20路0～500 V直流电压的实时监测与显示,线性度优于0.2％.     

具有互补电荷岛结构的PSOI高压器件

本文提出一种新的具有互补n+-电荷岛结构的PSOI高压器件（CNCI PSOI）。该结构在PSOI器件介质层上下界面分别注入形成一系列等距的高浓度n+区。器件外加高压时,在上下介质层的n+-区域之间形成互补的空穴和电子岛,因此能有效的增强界面电场(EI) 和提高耐压(BV),通过源下的硅窗口还能减小器件的自热效应。本文分析了CNCI PSOI 的垂直界面电场的模型,分析结果和二维仿真结果吻合。CNCI PSOI LDMOS 在较低的自热效应的情况下,BV 和EI从常规PSOI的 216V 和81.4V/μm 提高到591V 和512 V/μm。文中详细研究了结构参数对所提出的器件性能的影响。     

高压阳极箔隧道枝孔的形成机理

增加枝孔处理是大幅度提高高压阳极箔比电容的有效途径。在分析高压阳极箔隧道孔生长机理的基础上,探讨了在隧道上形成枝孔的机理。主隧道孔的4个(100)面为枝孔的形成提供了材料的结构条件。提高阳极过程的?E(?E=Epit-Ecorr)和发生点蚀的临界电流密度ip,是增强在隧道孔中形成枝孔的必要电化学条件。     

Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI

A new partial-SOI(PSOI) high voltage device structure named CNCI PSOI(complementary n~+-charge islands PSOI) is proposed.CNCI PSOI is characterized by equidistant high concentration n~+ -regions on the top and bottom interfaces of a dielectric buried layer of a PSOI device.When a high voltage is applied to the device,complementary holes and electron islands are formed on the two n~+-regions on the top and bottom interfaces,therefore effectively enhancing the electric field of the dielectric buried layer(E_I) and increasing the breakdown voltage (BV),alleviating the self-heating effect(SHE) by the silicon window under the source.An analytical model of the vertical interface electric field for the CNCI PSOI is presented and the analytical results are in good agreement with the 2D simulation results.BV and E_I,of the CNCI PSOI LDMOS increase to 591 V and 512 V/μm from 216 V and 81.4 V/μm of the conventional PSOI with a lower SHE,respectively.The influence of structure parameters on the device characteristics is analyzed for the proposed device in detail.     

高压开关柜温度在线监测系统设计

高压开关柜温度在线监测是保证其安全运行的重要措施。设计了一种高压开关柜温度检测系统,具有价格低、使用方便等特点。讨论该系统的总体设计原则和功能,分析了该系统的关键技术,包括测温单元设计、ZigBee技术的特点与其网络拓扑结构的选择及监控中心设计。系统的模拟运行表明其达到了设计的要求,很好地完成了对高压开关柜温度的检测。     

用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管

论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 ,以及在制造过程中易出现的问题和解决方法     

红外辐射测温技术在煤矿高压电器检测中的应用

红外辐射测温技术具备了实时、便捷以及非破坏性等特点,广泛用于电器产品温度的检测中,特别是煤矿高压电器设备由于复杂的运行施工环境,常规手段很难准确的测量温度的变化,而红外辐射测温能够迅速准确的对煤矿高压电器进行测量。本文主要从红外辐射测温技术在煤矿高压电器温度的测量方面出发,重点研究了红外辐射测温的形成机理、测试手段以及需要注意的测试技巧,为生产实际过程中提供一个可靠的理论依据。     

高输入阻抗测压电路

本文简要说明了电压测量电路要求具有较高输入阻抗的原理,针对直流电压测量技术中采用的实际电路介绍了几种高输入阻抗的测压电路,并简要分析它们的工作原理和特点.测量几伏或几百毫伏电压时,可采用场效应管差分式电路(输入阻抗达几百兆欧或上千兆欧);也可采用高阻型集成运放(如CA3130输入阻抗高达TΩ量级,即1012Ω)构成测压...     

五硼酸铵在高压铝阳极箔化成液中的作用机理

采用恒流恒压法化成制备高压铝阳极箔,研究了硼酸溶液中添加五硼酸铵对化成液的表面张力、电导率及化成铝箔耐电压和比电容的影响,探讨了五硼酸铵在铝箔高压化成液中的作用机理。结果表明:在硼酸化成液中添加的微量五硼酸铵提高了化成液的表面张力和电导率,改变了化成液的电离平衡,使化成铝箔的耐电压提高了约5%。     

高电压大容量变压器绝缘技术的应用

在市场经济的发展下,社会的用电量不断增加,使高电压大容量变压器得到了广泛应用,保障其安全、稳定的运行具有十分重要的意义.传统的绝缘技术水平比较低,抗电压、抗电流能力比较差,存在严重的安全隐患.对此,本文对高电压大容量变压器绝缘技术的应用进行了分析,以供相关人员进行参考.     

高功放高压联锁电路改进与测试

高压联锁性能的好坏直接影响设备能否正常工作。通过分析CPI高功放（HPA）的延时加高压程序、高压联锁电路和交流延时器工作原理,研究出一种新改进的高压联锁电路方案和用于交流延时器的测试方法。分析阐述表明,该方案和测试方法克服了CPI高功放的高压联锁方案的弊端。另外,根据分析结果设计了延时测试电路,它可对交流延时器性能参数进行定量测试。     

高频高压电源电晕放电研究

本文报告了一种高频高压电源，利用交直流叠加技术，产生高频快速上升沿的交流脉冲，满足产生低温等离子体的需求。实验表明，交直流叠加电源能够产生良好的低温等离子体     

高压微型砷化镓太阳电池的研究

介绍了高压微型砷化镓太阳电池的研究情况,研究了MOCVD砷化镓外延片的结构设计和制作,研究了高压微型砷化镓太阳电池串联结构设计和器件工艺的情况。研制的高压微型砷化镓太阳电池在1cm2面积内串联了118个电池单元,每个电池单元有效面积为500μm×400μm。在AMO光强下,开路电压大于80V,短路电流大于50μA。     

一种新的基于E-SIMOX衬底的SOI高压器件

本文提出一种新的基于E-SIMOX衬底的n+电荷岛结构的SOI高压器件（NI SOI）。该结构在SOI器件介质层上界面注入形成一系列等距的高浓度n+区。纵向电场（EV）所形成的反型电荷将被来自横向电场（EL）的电场力和未耗尽n+区内高浓度电离施主杂质的库仑力综合作用下固定于界面两个n+之间,从而能有效的提高介质场（EI）,增强器件的击穿电压（VB）。提出的NI SOI的纵向解析模型与二维仿真结果相吻合。对0.375μm的介质层,2μm顶层硅的NI SOI 器件,EI =568V/μm和VB =230V。该器件在工艺上通过注入砷形成高浓度n+区,使用外延技术得到2μm的顶层硅(即E-SIMOX技术),它除了增加一张掩模版以外,和常规的CMOS工艺完全兼容。     

A new SOI high voltage device based on E-SIMOX substrate

A new NI (n+ charge islands) high voltage device structure based on E-SIMOX (epitaxy-the separation by implantation of oxygen) substrate is proposed. It is characterized by equidistant high concentration n+-regions on the top interface of the dielectric buried layer. Inversion holes caused by the vertical electric field (Ev) are located in the spacing of two neighboring n+-regions on the interface by the force from lateral electric field (EL) and the compositive operation of Coulomb's forces with the ionized donors in the undepleted n+-regions. This effectively enhances the electric field of dielectric buried layer (EI) and increases breakdown voltage (Vb). An analytical model of the vertical interface electric field for the NI SOI is presented, and the analytical results are in good agreement with the 2D simulative results. EI = 568 V/μm and VB = 230 V of NI SOI are obtained by 2D simulation on a 0.375-μm-thick dielectric layer and 2-μm-thick top silicon layer. The device can be manufactured by using the standard CMOS process with addition of a mask for implanting arsenic to form NI. 2-μm silicon layer can be achieved by using epitaxy SIMOX technology (E-SIMOX).     

探究电力高压试验中串联谐振装置的作用

在日常电力试验中,为了保证电力系统的使用效率和运输速度,有的时候需要通过高压试验来测试电力系统的安全性和稳定性。而在进行测试的时候,就一定要展现出串联谐振装置的基本作用,以保证高压测试的有效实施。因此,本文主要研究串联谐振在电力高压试验中的优点以及在实验中的应用。