3，3，3—三氟丙醛和3，3，3—三氟丙醛肟的制备

3,3a,4,6a-四氢环五烯并(?)唑-2-酮为手性中间体cis-5-氨基-2-环戊烯-1-醇的衍生物,作为重要的中间体可进行如下反应:     

Tb3+/Gd3+/Ce3+/Sb3+和Eu3+/Bi3+/Sb3+共掺玻璃的发光性能研究

为了得到显色改善的绿色和红色发光玻璃,本文采用高温熔融技术制备了Tb~(3+)/Gd~(3+)/Ce~(3+)/Sb~(3+)和Eu~(3+)/Bi~(3+)/Sb~(3+)共掺杂的硼硅酸盐透明玻璃。通过对共掺样品紫外可见吸收光谱的分析和长波紫外激发下的激发光谱及荧光光谱的分析,研究了Tb~(3+)/Gd~(3+)/Ce~(3+)/Sb~(3+)和Eu~(3+)/Bi~(3+)/Sb~(3+)共掺杂离子在玻璃基质中的发光性能,结果表明,在高能紫外光激发下,Tb~(3+)/Gd~(3+)/Ce~(3+)/Sb~(3+)共掺杂样品发射典型纯正绿光荧光的能力较强,Eu~(3+)/Bi~(3+)/Sb~(3+)共掺杂样品发射红光荧光的能力较强。     

3，3，3-三氟丙基三甲氧基硅烷

西安工程大学的金小玲等人发现,以3,3,3-三氟丙基三氯硅烷和甲醇为原料、采用溶剂法合成3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷的最佳工艺是：3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷与甲醇的量之比为1：3．4～3．5,氮气流量为35mL／min,     

2，3，3，3-四氟丙烯专利研究

欧洲指令2006／40关于汽车空调系统（MAC）规定在2011年1月1日后禁止使用GWP高于150的氟气体（F—gsses）,在距离此指令不到两年的时间中,正在开展关于替代HFC-134a（GWP：1300）制冷剂的激烈竞争。现在主要的替代制冷剂有HFC-152a、C02和2,3,3,3-四氟丙烯（HFO-1234yf,也称为HFC-1234）rf）。     

3，3，3-三氟丙烯制备方法综述

本文对3，3，3-三氟丙烯的制备方法以及各种制备方法中所用到的催化剂进行了较为详尽的总结。     

H_3BO_3对CaTiO_3:Eu~(3+)荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法合成了Eu~(3+)掺杂钛酸钙系列红色荧光粉(Ca_(0.95)TiO_3:0.05Eu~(3+),CTE),研究了助熔剂(硼酸)用量(0%、5%、10%、15%)对其晶体结构与光学性能的影响。XRD和SEM表明,硼酸用量对主晶相晶体结构影响较小,当硼酸用量为5%时,晶体结晶性能最佳;光学性质研究表明,合成的CTE荧光粉可被397nm的紫外光有效激发,辐射出位于594 nm和615 nm的红色光波;当硼酸用量为5%时,辐射光波的强度达到最大值,表明合适的硼酸用量有助于提高CTE荧光粉的发光性能。     

Ba3Tb(BO3)3:Eu3+的制备与发光性质

采用高温固相法合成了Ba3Tb(BO3)3:Eu3+红色荧光粉,并研究了Ba3Tb(BO3)3:Eu3+的发光特性。Ba3Tb(BO3)3:Eu3+的激发光谱包含250nm～330nm和350nm～400nm的2个宽带,最大峰值位于383nm,可以被紫外-近紫外发光二极管(light-emitting diodes,LED)有效激发。Ba3Tb(BO3)3:Eu3+的发射谱显示出4组发射峰,其主发射峰位于620nm,对应Eu3+的5D0→7F2跃迁;Eu3+掺杂摩尔分数为2%时,Ba3Tb(BO3)3:Eu3+发光亮度最高。经分析发现Ba3Tb(BO3)3:Eu3+存在Tb3+→Eu3+的能量传递。     

3，3-二乙氧基丙腈

3,3-二乙氧基丙腈是合成维生素B1、胞嘧啶及其衍生物等重要化合物的前体。综述了3,3-二乙氧基丙腈的合成方法,包括酰胺脱水、金属氰化物取代、醚化和异噁唑法,用于工业化生产较为满意的合成路线是以1,1,3,3-四乙氧基丙烷为原料的异噁唑法。     

Electrical properties of Sb and Cr-doped PbZrO3–PbTiO3–PbMg1/3Nb2/3O3 ceramics

The pyroelectric, dielectric and DC resistive properties of Sb and Cr-doped ceramics with a base composition of Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_0.025(Zr_0.825Ti_0.175)_0.975O₃ have been studied. Sb doping has been shown to produce a linear reduction in Curie temperature (T_C=−22z+294 °C) with concentration (z) and to give an increase in pyroelectric coefficient from 250 to 310 μCm⁻² K⁻¹ for z increasing from 0 to 3 at.%. It also produces first a reduction and then an increase in both dielectric constant and loss, so that the 33 Hz pyroelectric figures of merit (FOM's) are as follows: F_V peaks at 3.8×10⁻² m² C⁻¹ and F_D peaks at 1.2×10⁻⁵ Pa^−1/2. The resistivity is increased substantially from 1.1×10¹¹ to ca 6×10¹¹ Ωm with 1 at.% Sb, thereafter changing little. The behaviour has been explained in terms of Sb acting as a donor ion, reducing oxygen vacancy concentrations up to 1 at.%, with conductivity dominated by hole hopping between traps (E_a=0.59±0.05 eV) that are not changed by the Sb doping. It is concluded that additions of higher levels of Sb do not produce electron-mediated hopping conduction. The Cr additions have no effect upon T_C, but reduce dielectric constant and loss, pyroelectric coefficient and resistivity at doping levels up to 3 at.%. The FOM F_V peaks at 3.6×10⁻² m² C⁻¹ and F_D at 1.9×10⁻⁵ Pa^−1/2. The behaviour of the electrical resistivity as a function of dopant level is shown to produce a linear ln(σ_o) vs z^−1/3 dependence (σ_o=DC conductivity), as would be expected for hole hopping conduction between Cr³⁺ sites, with an E_a=0.38±0.03 eV.     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3压电陶瓷的电学性能研究

采用固相烧结法制备了0.40Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-(0.6-x)PbZrO3-xPbTiO3压电陶瓷,系统研究了其组分变化对晶体结构、介电和压电性能的影响。研究结果表明,所有样品均属于钙钛矿结构,无第二相产生。随着组分的变化,存在三方相向四方相的转变,并且在x = 0.38附近获得准同型相界组分,呈现出最优的电学性能,最高的压电系数d33 = 520 pC/N,居里温度TC = 238 °C,平面机电耦合系数kp = 0.60,厚度机电耦合系数kt = 0.52,纵向机电耦合系数k33 = 0.73。     

MnCO3添加剂对MgTiO3-CaTiO3系瓷改性的研究

用单因素法分析了MnCO3添加量对MgTiO3-CaTiO3系瓷的结构、吸水率、介电常数、介电损耗和温度系统的影响 ,用XRD确定了其物相组成。结果表明 ,在 10GHz时介电常数为 2 1、频率温度系数为 - 6.3× 10 - 6 ℃、Q(10GHz)≥ 42 0 0的高致密度介电陶瓷 ,具有良好微波特性     

3，3，3-三氟丙烯生产技术研究进展

3，3，3-三氟丙烯（CF3-CH=CH2，简称TFP）是合成氟硅橡胶（γ-三氟丙基甲基聚硅氧烷）、氟硅油、氟硅涂料等高性能高分子材料的基本原料，其中氟硅橡胶堪称当今世界综合性能最好的合成橡胶之一，现已广泛应用于宇航、飞机、汽车、人工器官等现代工业及国防、交通运输、医学等领域。综述了3，3，3-三氟丙烯（简称TFP）的基本特性、主要用途和分别以三氯丙烯、四氯丙烷、五氟丙烷及四氯化碳等为原料的工艺合成方法，并简要说明了各方法的优缺点。