硅振荡器特性分析研究

为了研究硅振荡器的特性,本文采用硅振荡器和传统石英晶振的对比实验来研究,通过对石英晶振的特性比较全面的把握,利用石英晶振的频率值精度高、温漂小、抖动不明显的特征,来研究硅振荡器的实际频率值、温漂和抖动特性,所采用的方法是使用鉴相器的频率合成方法来比对得出硅振荡器的特性参数,其中选用MAX7375硅振荡器和KSS石英晶振通过温度的变化以及抖动的测试完成硅振荡器的初步特性分析,方便为后期使用硅振荡器来校准晶振做基础性研究。     

硅振荡器的抗高过载实验设计与分析

硅振荡器是一种在高过载条件下有可能代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟的振荡器。对硅振荡器开展高过载实验研究,具有重要的应用价值。论文以LTC6909I型硅振荡器为实验对象,对高过载环境下可能产生的频率漂移及是否损坏这两个主要方面进行了实验研究。实验证明了硅振荡器能经受高过载环境的考验,可以代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟。     

SiTime开发新结构MEMS振子

美国SiTime公司正在开发未来用于硅振荡器的新结构MEMS振子。MEMS振荡器（硅振荡器）是由利用MEMS技术制造的硅共振结构（振子）和驱动电路等组合构成的,该公司目前量产的产品使用共振频率为5MHz的振子,通过PLL电路转换为符合客户要求的频率后输出时钟。     

以混频器作为信号处理单􀀂 元的环振式压力传感器

提出了一种新的环振式数字压力传感器，它采用做在硅梁上的MOS环形振荡器作为敏感元件，两个反方向变化的环形振荡器的输出信号通过集成在片内的混频器实现频率相减，分析了环形振荡器的频率特性，以及环形振荡器的谐振频率和压力的关系，分析并设计了压力传感器的环形振荡器电路、混频器电路、物理结构以及制作工艺，并制作了样品，其灵敏度为1．52kHz／kPa。     

元器件

低成本、3引脚硅振荡器 Maxim最新推出MAX73 75硅振荡器,采用节省空间的3引脚SC70或SOT23封装,芯片内部集成了固定频率的振荡器,省去了任何设置或调节频率的外部元件.     

低功耗硅振荡器

STCL1120系列硅振荡器启动快速,抗振动、冲击和抗电磁干扰（EMI）能力强,电流消耗低,且成本低廉、强稳耐用,可替代陶瓷或晶体振荡器。其片选控制功能使电源管理更加容易,能效更高。     

制作在SOI膜单晶硅中的晶体管

在绝缘层上激光再结晶硅中制作结体管业已实现。用氮化硅抗反射窄条,使硅在激光扫描退火后的边缘变陡。抗反射窄条可以精确控制晶粒边界的位置。晶粒边界在标准的LOCOS工艺中氧化,生成了完全嵌入氧化物中的单晶硅窄条。在再结晶的材料中制备了n沟晶体管和环形振荡器。获得的晶体管中表面迁移率为650cm~2/V.sec,测得环形振荡器(L=5μm)中每级延迟时间为1毫微秒。     

振荡器市场沉浮未定，赛普拉斯瞄准高端市场

颇具寓意的是,振荡器这个名字本身就意味着不安分,而振荡器技术的不断革新与演进使这种不安分在市场上得到更充分和形象的展现。从石英晶体振荡器到MEMS振荡器、全硅振荡器,以及Epson Toyocom的QMEMS振荡器,一场技术大战和市场争夺战早已打响。     

MEMS硅机械共振技术另辟振荡器新天地

时钟振荡器是电路中的一个必不可少的组成部分。目前市场中大部分时钟电路中采用的都是石英振荡器。30 多年来,业界一直在探讨一种能够替代石英振荡器的产品,因为石英的成本昂贵,相对于硅来说可靠性差,体积大,而且通常需要很长的生产周期,并且与CMOS并不兼容,在一个封装内只能提供一种振荡频率。近日,SiTime公司推出的MEMS硅振荡器,消除了石英振荡器所面临的困扰,在克服了其自身在长期稳定性、受温度变化影响等方面的不足后,未来将有望替代石英振荡器,开辟振荡器领域的新天地。     

振荡器市场硝烟弥漫，Si500重拳出击

长久以来,振荡器市场一直是石英振荡器的天下,这种采用机械式共振器来产生频率的振荡器产品是所有电子系统的心脏,针对这一领域的市场争夺和技术革新也在不断进行并愈演愈烈。随着半导体工艺及技术的飞速发展,一批硅振荡器产品应运而生,但由于其抖动及相位噪声等关