磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。     

SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性.分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验.使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率.并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量.发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有Vc＞Vsi;而对于(0001) Si面,有Vsi 酸＞Vsi碱;对于(000-1)C面,有Vc酸＞Vc碱.该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值.     

SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。     

普瑞光电硅上氮化镓基LED技术实现135 lm/W效能

美国LED照明技术研发暨生产商普瑞光电(Bridgelux)取得重大技术突破,其硅上氮化镓基LED技术已达到135lm/W的效能。普瑞表示,这是行业首个达到商用级性能的硅基LED。当大批量生产时,LED外延片大多采用蓝宝石或碳化硅衬底作为基板材料,但大尺寸的蓝宝石和碳化硅衬底价格昂贵,加工困难,且不易获得。     

P/P~+外延片制备过程中应力变化的研究

通过研究P/P+外延片制备过程中衬底加工、背损背封、化学机械抛光、外延生长等各主要工艺对晶片总厚度变化、弯曲度、翘曲度等几何参数的影响,来分析晶片内应力的变化。重点研究了衬底片加工和外延生长各工序中内应力不断累积,晶片几何参数变化较大的现象,以便解决在器件研制的快速变温过程容易产生形变等问题。     

蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺研究

由于蓝宝石衬底片的精密加工工艺复杂,最优工艺参数尚未明确,是目前国内重点研究的难题.采用X62 81521型抛光机对蓝宝石衬底片的精密加工技术一化学机械抛光工艺进行了研究.通过对蓝宝石抛光工艺性能参数的系统分析,采用了粒径为40 nm、低分散度的碱性SiO2,溶胶抛光液;通过大量实验总结,提出了优化方案,在pH值11.7、温度40 °c、压力在0.12 Mpa至0.15 Mpa时,可以获得的去除速率为12.1μm/h,表面粗糙度为0.58 nm,有效地提高了蓝宝石表面的性能及加工效率.     

福建省碳化硅衬底专利技术现状与发展建议

以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,已经成为国际半导体研究和产业化的热点。以碳化硅衬底技术专利活动情况为研究目标,从专利申请趋势、专利地域分布、主要申请人和技术领域分布等角度进行对比分析,梳理专利布局优势和存在的问题,提出福建省碳化硅衬底技术专利布局优化和质量提升的对策建议,全面助力福建省碳化硅衬底技术优化升级。     

基于田口方法的合金薄膜铜衬底超精密抛光工艺优化研究

为了获得性能优良的电化学沉积合金薄膜,需要精度非常高的合金薄膜铜衬底.以铜衬底表面粗糙度Ra和Rt为评价目标,探讨了基于田口方法的铜衬底抛光工艺参数优化设计方法.在给定工件材料和磨料(种类和粒度)的条件下,加工载荷、磨料浓度和加工速度是影响铜衬底抛光表面质量的主要工艺参数.运用田口方法进行了实验设计,并通过对实验结果的分析,得出了最佳的抛光工艺参数组合,采用该实验条件进行加工获得了非常光滑的铜衬底表面(Ra 6 nm,Rt 60 nm),表明田口方法能够有效的应用于铜衬底抛光工艺参数的优化设计和分析.     

射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响。利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律。利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz。     

碳化硅陶瓷基复合材料激光刻蚀技术研究进展

碳化硅陶瓷基复合材料(CMC-SiC)具有密度低、强度高、耐高温、抗腐蚀等优点,在航空航天领域具有广泛的应用潜力。但是CMC-SiC属于具有超高硬度且各向异性的难加工材料,常规加工技术难以胜任这种新型材料的优质高效加工。激光加工凭借加工质量高、非接触加工、输入热量低、适用范围广、易于和数控技术结合实现自动化等优势,有望成为CMC-SiC材质构件精密制造的主流技术。本文从CMC-SiC与激光的相互作用机理出发,分析了激光加工CMC-SiC中出现的典型热致缺陷,阐述了超短脉冲激光在CMC-SiC精密加工中展现的优势。在此基础上,指出了CMC-SiC激光加工技术的发展趋势,旨在为新型航空航天CMC-SiC材质构件的精密制造提供理论依据与技术参考。     

印制板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨的制作及性能研究

文章讲述了印制电路板中炭黑类埋置电阻喷墨打印油墨。制作的油墨黏度经黏度计测得0.087 Pa＆#183;s。TGA（热重分析）的分析结果显示油墨的固化条件为180℃、4 h。研究了固化后的埋置电阻油墨性能,包括电阻性能,玻璃化温度Tg,电阻温度系数TCR和热膨胀系数CTE等。该性能参数说明了固化后的埋置电阻油墨能够很好地与市面上大部分的印制电路板的兼容。最后,使用扫描电镜SEM观察到了炭黑颗粒在粘接剂树脂中的分布情况。     

利用AlxGa1-xN在Si(111)上生长无裂纹GaN

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同Al组分的AlGaN做缓冲层,再在缓冲层上生长GaN薄膜,采用XRD技术和原子力显微镜(AFM)分析样品知,样品整体的结晶质量良好。通过分析外延层的拉曼谱得出GaN中存在应力,而且是张应力,通过计算得出,应力为0.23 GPa。     

长期配戴角膜塑形镜对角膜内皮细胞的影响观察

目的：评价近视眼患者长期配戴角膜塑形镜后不同时期角膜内皮细胞密度和形态的情况。方法：用非接触型角膜内皮显微镜对22例（44眼）配戴角膜塑形镜者,在戴镜前、戴镜后1年及2年作角膜内皮细胞照相观察。结果：戴镜前、戴镜后1年及2年角膜内皮细胞密度分别为（3228±168）个／mm2、（3192±172）个／mm2及（3178...     

CGP37157对静息期心肌细胞钙循环的影响

目的：研究离子通道阻断剂CGP37157对成年大鼠静息期心肌细胞钙循环的影响。方法：（1）32只雄性SD大鼠随机等分为4组,用于测定心肌组织中cAMP的含量。对照组不灌流CGP37157,实验组分3个时间梯度：用10μmol/L CGP37157灌流心脏15 min、30 min和60 min;（2）20只雄性SD大鼠随机均分为两组,对照组和实验组（细胞池中加入10μmol/L CGP37157）采用常规酶解法分离心肌细胞,激光扫描共聚焦显微镜记录钙瞬变;利用SPSS11.5统计软件进行数据处理,所有数据以均数±标准差（x珋±SD）表示,两组间均数的比较采用t检验。P〈0.05为差异有统计学意义。结果：（1）心肌组织中cAMP含量的比较：CGP37157引起心肌组织cAMP的含量显著增加（n=8,P〈0.05）,对照组、15 min、30 min和60 min各组测得的cAMP的含量分别为（791±35）pmol/g、（1 101±55）pmol/g、（1 525±40）pmol/g、（2 017±60）pmol/g;60 min组较30 min组cAMP含量显著增加（n=8,P〈0.05）;（2）对静息期肌浆网钙循环的影响：实验组钙存储改变量（20.2±0.8）显著高于对照组（0.3±0.3;n=10,P〈0.01）;实验组钙释放速率变化（5.02±0.015）比对照组显著增大（1.01±0.006;n=10,P〈0.01）;实验组钙回摄速率变化（1.08±0.15）与对照组没有差异（0.99±0.09;n=10,P〉0.05）。结论：CGP37157导致静息期心肌细胞钙循环的异常,原因可能为其导致PKA通路异常。     

IGBT模块焊料层空洞对模块温度影响的研究

介绍了IGBT模块的封装工艺,分析真空回流焊接过程中焊料层空洞的形成机理,并使用SAM方法检测并测量空洞;接着通过有限元模拟方法对模块进行热分析,对比了焊料层有、无空洞情况下模块的整体温度,具体研究焊料层空洞尺寸、空洞分布位置和焊料层厚度对芯片温度分布的影响。     

基于虚拟仪器的锁相放大器远程实验系统设计

设计了基于虚拟仪器的锁相放大器远程实验的软件系统,用LabVIEW软件编写了客户机与实验机程序,实现了串口与单片机系统的通信、声卡采集信号、TCP/IP网络通信等功能。用Linux中的IPtables防火墙技术实现实验机与服务器间的端口映射,使得互联网上的所有用户可以通过服务器访问实验机,进行远程实验。     

纯钛表面纳米多孔TiO2膜的孔径分布研究

本文采用微弧氧化法在纯钛表面制备多孔钛氧化膜层.室温条件下,分别采用200 V、230 V、260 V、290 V、320 V和350 V恒压模式以0.5 mol/L磷酸溶液作为电解液进行微弧氧化实验.FESEM形貌分析表明不同电压下,微弧氧化法制备出的氧化膜层均能观察到多孔结构,孔径尺寸分布随施加电压的升高而增大.随...     

趋化因子配体18与鼻咽癌相关性研究及意义

目的：探讨趋化因子配体18（CCL18）在鼻咽癌患者血浆中的表达水平及检测在体外对人鼻咽癌细胞株增殖和迁移能力的影响。方法：收集到重庆医科大学附属第二医院就诊并病理诊断为鼻咽癌患者37例,在未接受任何治疗前留取血液标本,另取20例健康体检者外周血液标本作为正常人群对照。以酶联免疫吸附测定（ELIAS）方法检测血浆中CCL18的表达水平。体外实验以人鼻咽癌细胞株HNE-1为研究对象,用噻唑蓝（MTT）比色法检测重组CCL18对细胞增殖能力的影响,用Transwe11体外迁移系统检测CCL18对鼻咽癌细胞的趋化作用。结果：鼻咽癌患者血浆中CCL18的表达水平明显高于健康体检者（P〈0．0001）,伴有颈部淋巴结转移的鼻咽癌患者较未发生颈部淋巴结转移者血浆中CCL18的表达水平显著升高（P〈0．05）。CCL18因子在体外对鼻咽癌细胞无明显促进增殖作用（P〉0．05）。CCL18对鼻咽癌细胞具有明显促进迁移趋化作用,并呈现浓度依赖性。结论：CCL18是鼻咽癌的生物学标志物,其表达与鼻咽癌的侵袭转移相关,对鼻咽癌的诊断和预后判断有一定临床意义。     

Cross-section analysis of electric devices by scanning capacitance microscope

Carrier influence of semiconductor devices is important as it affects the function of the device. In this experiment, the carrier density distribution in the cross-section of semiconductor device was analyzed by SCM: Scanning Capacitance Microscope which is one of the measuring mode of SPM: Scanning Probe Microscope.This paper describe measurement result of change in carrier density by the gate voltage at p channel area of CMOS device and its efficiency to investigating dopant profile on 16MDRAM cross-section.