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高级IC封装中新兴的细铜丝键合工艺 总被引:2,自引:0,他引:2
在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时,近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此,业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料,进而带来了一些新工艺的研究。结果证实,铜金属化使电路的线条更细、密度晚高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝,进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。本文要阐述了铜丝键合工艺在IC封装中的发展现状及未来发展方向。 相似文献
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铜丝键合工艺在微电子封装中的应用 总被引:6,自引:0,他引:6
在铜丝或铜条长期应用于分立器件及大功率器件的同时,近年又出现了晶片的铜金属化工艺。由此,业内人士采用铜作为丝焊键合的一种材料使用,进而开始了一些新工艺的研究。结果证实,铜金属化使电路的线条更细、密度更高。因而铜丝可以作为一种最有发展前景及成本最低的互连材料替换金丝,可进行大量高引出端数及小焊区器件的球形或楔形键合工艺。主要阐述铜丝键合工艺在微电子封装中的现状及未来发展方向。 相似文献
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半导体封装行业中铜线键合工艺的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了半导体封装行业中铜线键合工艺下,各材料及工艺参数(如框架、劈刀、设备参数、芯片铝层与铜材的匹配选择)对键合质量的影响,并总结提出如何更好地使用铜线这一新材料的规范要求。应用表明芯片铝层厚度应选择在0.025mm以上;劈刀应使用表面较粗糙的;铜线在键合工艺中使用体积比为95:5的氢、氮气混合保护气体;引线框架镀银层厚度应控制在0.03mm~0.06mm。 相似文献
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铜线键合工艺作为当前框架类集成电路封装降低成本的重要措施,但是,铜线带来的相关工艺调整和可靠性认证,以及客户的认证都是当前需要产品公司考虑的问题。本文对于铜线键合工艺和可靠性从多方面进行了研究,对该研究的发展具有借鉴和推广价值。 相似文献
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功率混合集成电路键合强度控制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过引入铜过渡键合垫片,取消了金-铝键合系统,改用铝-铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。 相似文献
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芯片粘接实验软件控制系统 总被引:1,自引:0,他引:1
在芯片粘接前的布胶实验中不仅要实现如点、直线、圆、圆弧等基本图案和由基本图案组成的复杂图案胶液分配,而且还要通过速度匹配、增加返回过程等使其满足布胶精度要求,这使得布胶过程具有一定的特殊性。根据这种布胶过程的特殊性,介绍了由工控机控制胶液分配系统的软件控制系统。采用模块化、层次化设计方法来实现布胶系统的控制软件。 相似文献
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发光二极管引线键合可靠性探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要地描述发光二极管金丝引线键合过程,讨论分析了影响其键合可靠性的主要因素,说明了键合质量的评价方法,提出了增强键合可靠性的措施,以达到提高发光二极管寿命的目的. 相似文献
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介绍了金丝球焊制作焊接凸点的过程和工艺参数。通过实验优化了凸点高度、尾线长度、超声功率、超声时间、焊接压力、热台温度等工艺参数,得到一致性好、焊接性能稳定的焊接参数。 相似文献
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IC封装工艺过程中,芯片表面的氧化物及颗粒污染物会降低产品质量,如果在封装工艺过程中的装片前、引线键合前及塑封固化前进行等离子清洗,则可有效去除这些污染物.介绍了在线式等离子清洗设备及清洗原理,并对清洗前后的效果做了对比. 相似文献
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微机械加工中的图形硅片键合技术 总被引:1,自引:0,他引:1
重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺,测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能,估算了封闭腔内的剩余压力和腔体薄壁的形变。这对研制和开发新颖的微机械结构提供了一种重要的途径 相似文献
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