多线切割中温度对悬浮液的影响

多线切割在光伏以及半导体行业中有着广泛的应用,多线切割所用的悬浮液有着非常重要的作用,性能优良的悬浮液兼有切削、粘滞、冷却三大功能,可以有效提高硅片质量,提高生产效率。研究其特性主要是温度对其的影响,说明在科研生产中,悬浮液要控制在适宜的温度范围内,才能有效控制晶片质量。     

线锯钢线断线续切技术研究

根据切割线的特性,分析了在多线切割过程中铜丝断线的各种原因;在生产中,有效控制断线率可以对降本增收起到很大的作用。在大量实验的基础上,归纳总结出断线后续切技术,有效的保障了生产工作的顺利进行。     

多线切割工艺断线问题的分析

在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。     

硅单晶锭多线切割中砂浆作用的研究

目前,在较长的硅单晶锭切割领域,多线切割机已基本取代内圆切片机.切割砂浆在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数.讨论了砂浆的使用条件与切割质量之间的关系,通过试验及对高速摄像机拍摄照片的分析,得出不同砂浆携带方式直接影响到切割出晶片几何参数的结论,并且对多线切割的切割机理作了相应的讨论.     

多线切割工艺中切割线直径对翘曲度影响的研究

目前,在硅单晶锭切割领域多线切割机已得到广泛的应用。切割砂浆及切割线在切割中有着极其重要的作用,不同的使用条件会直接影响切割晶片的几何参数。主要讨论切割线直径的不同对切割出晶片几何参数的影响。     

多线切割工艺中切割速度对晶片翘曲度的影响

目前,半导体单晶材料的加工多采用多线切割机进行切割。切割工艺直接影响着切割过后晶片的参数。在这些参数中,翘曲度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。影响翘曲度的因素很多,如切割速度、砂浆密度、晶片内部应力等,在切割工序中,通过调整多线切割的工艺条件,来控制和改善晶片的翘曲度。     

Si片多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了Si片的多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包Cu会造成Si片表面金属残留,钢线磨损影响Si片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了Si片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

SiC用多线切割技术与设备的发展现状与趋势

介绍了SiC用多线切割宏观切割机理与微观切割机理,指出控制钢线张力减少钢线震动是切割工艺的重要指标。讨论了切割过程主要影响因素,钢线的外包铜会造成SiC片表面金属残留,钢线磨损影响Si C片厚度,砂浆喷嘴和线网角度在形成水平薄膜层时能够获得好的表面质量。分析了钢线带动砂浆进行切割的核心工艺,给出了SiC片切割工艺理论切片量的计算方法。并简要概括了目前多线切割技术及设备的国内外发展形势和未来发展趋势,指出未来多线切割技术将朝着提高加工精度与加工效率、降低成本、改良切割用钢线这几个方向迈进。     

快速走丝线切割钼丝恒张力控制装置的研究

本文就提高电火花线切割加工的精度和表面质量进行了研究,找出了影响加工质量的因素。为克服快速走丝线切割加工中钼丝张力的变化对模具加工精度和表面质量的形响,设计了一套“快速走丝线切割相丝的恒张力控制装置”。经试验,该装置在提高加工精度和表面质量方面具有较为显著的效果。     

中走丝线切割多次切割跟踪式喷射流装置

随着模具加工技术迅速发展的需要及零件加工精度的不断提高,对中走丝线切割机床的加工精度和表面粗糙度提出了更高的要求.该文通过查阅相关资料和对一些重要资料进行研究和整理后设计实现了一种利用AT89C52单片机、金属传感器、步进电机以及滚珠丝杠组成的中走丝线切割多次切割跟踪式喷射流装置.该装置研究通过动态跟踪控制装置有效地控制工作液喷射压力和高度,以增强冷却和排屑效果,降低工件的表面粗糙度,进而提高工件的切割精度和切割效率.通过实际生产应用后表明,该跟踪式喷射流装置对提高零件的加工精度和切割效率具有很强的实用性.     

太阳电池用Si片切割过程中浆料作用研究

Si片生产技术及工艺的进步使得太阳电池用Si片的切片厚度不断降低,而超薄的太阳电池用Si片必须通过多线切割机进行切割.基于Si片切割过程中砂浆性能对Si片表面质量、Si片成片率和切割线寿命的影响,分析了多线切割机中切削液的性能,并采用不同工艺参数多次进行试验,总结出了砂浆对太阳电池用Si片切割状态的影响因素.通过分析,得出了改善砂浆性能来提高多线切割机切片性能并获得更高的Si晶片表面质量的方法.     

Si单晶片切削液挂线性能的研究

Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率.为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比.     

基于去除熔化物形态分析的铝合金薄板激光切割试验研究

为提高铝合金薄板激光切割质量,对切割去除熔化物进行了收集、观察及测量研究。在Nd:YAG脉冲激光切割模式下,采用不同气熔比0.1898,0.2798,0.3708和0.6519,对0.85mm厚的1000系铝合金薄板进行切割试验。试验通过超景深三维显微镜对收集的去除熔化物形状和尺寸进行观测研究。结果表明,去除熔化物颗粒由球形颗粒和蝌蚪形颗粒两种颗粒组成,其中球形颗粒平均尺寸在71～123μm之间;高气熔比切割去除熔化物主要呈球形,颗粒尺寸较小,切割质量较好;低气熔比下熔化物主要是蝌蚪形,其中呈现的球形颗粒尺寸较大,切割质量较差。试验最终在辅助气压0.6MPa高气熔比0.6519下获得了较高质量的切口。研究结果深化了铝合金激光切割的机理认识,有效提高了铝合金薄板的激光切割质量。     

钨浆料的稳定性研究

研究了用于质量分数为96%的氧化铝陶瓷的钨金属化配方以及相应的钨浆料生产工艺。为了提高钨浆料的稳定性,对浆料各组分的形貌、工艺进行了分析,发现粉体形貌、分散工艺、树脂性能对钨浆稳定性影响很大,提出了延长载体制备时间、提高载体黏度、选择粒度分布合理且比表面积较小的粉体等改善措施。结果表明,采用改善措施后在实际生产中取得了良好效果,制得的钨浆料印刷在陶瓷基片上于1 300℃烧结,平均封接强度达到39 MPa。     

激光打标机在音圈切线中的应用分析

为满足人们对扬声器和麦克风日益增加的需求,提高手机扬声器的生产效率、降低扬声器和麦克风的综合生产成本,需要对扬声器生产线进行自动化改造。在扬声器的整条加工生产线上,音圈生产设备是保证扬声器质量的关键,故而对音圈生产设备的自动化改造具有重要的理论和经济价值。本文采取激光切割的方式代替原有的刀具切割方式完成音圈线的切割工序,通过分析比较选取最为经济和便捷的激光器类型;通过系统建模分析,选择最合适的激光功率,并对其数值进行实验验证。结果表明激光切线能够大大增加音圈生产效率,音圈线切割质量也有了较大程度的提高。     

叠层薄膜电容器精密切割技术

介绍了叠层薄膜电容器的生产工艺.以切割工序中直条母料切片机为例,讨论了提高切割精度的关键技术.通过保证母料送料精度和锯片切割精度,提高了切割精度.通过采用PPS润滑膜和对锯缝的合理设计,提高了切割端面质量.经过实际生产验证,达到了预期的目的.     

有机添加剂对氧化铝流延浆料流变性能的影响

系统研究了流延法制备氧化铝陶瓷基片过程中分散剂、增塑剂和粘结剂对浆料流变性能的影响。结果表明:采用分散剂GTO和S80制得的浆料黏度最低,TEP制备的浆料黏度最高。利用增塑剂PEG400和DBP都能获得较低的浆料黏度,随着增塑剂与粘结剂比值R的增加,浆料黏度显著降低。采用分散剂TEA、粘结剂PVB、增塑剂DBP制备的氧化铝浆料,当R值为0.8~1.6时,流延浆料黏度为1 071~1 671 mPa.s,流延生带质量较好。     

不同分散剂对Al_2O_3浆料流变性的影响

探讨了各种分散剂在Al2O3水系浆料中的分散作用及其相关机理。结果表明:分散剂的相对分子质量大小、构象和添加量对Al2O3浆料的流变性有着重要的影响。随着PAA(聚丙烯酸)类分散剂添加量的增加,Al2O3浆料的Zeta电位值整体下降,其等电点由8.3移动到4.7,PAA最佳添加量(质量分数)为0.5%～0.8%。相对分子质量较大的聚电解质分散剂对浆料的分散、稳定性较好;相对分子质量较小的聚电解质分散剂的最佳添加量范围更宽,为0.5%～2.0%(质量分数),且浆料黏度的变化随分散剂添加量的不同变化较小。     

超细镁铝尖晶石凝胶注模用浆料的制备

研究了在凝胶注模用超细镁铝尖晶石浆料的制备工艺中，粉体粒度、pH值、分散剂等对浆料流变性、Zeta电位、粘度和稳定性的影响及作用机理。实验结果表明:相同剪切速率下，随着粉体粒径的减小，浆料粘度变大，稳定性提高。当浆料中不添加分散剂时，超细镁铝尖晶石浆料在酸性条件中的Zeta电位绝对值比在碱性条件下高。添加分散剂后，等电位点对应pH值向酸性方向移动，且随固相含量的提高，制备低粘度浆料所需分散剂百分含量越低。pH值和分散剂含量均存在最佳范围，过高和过低，浆料的流变性和稳定性均会变差。Zeta电位绝对值的大小仅仅是影响浆料稳定性的一个方面，如果分散剂过量，即使浆料颗粒Zeta电位绝对值很大，浆料也会产生团聚和絮凝。     

晶圆激光切割技术的研究进展

综述了半导体领域晶圆切割技术的发展进程,介绍了刀片切割技术、传统激光切割技术、新型激光切割技术及整形激光切割技术的特点、工作原理和优缺点以及国内外使用晶圆切割技术获得的研究成果及其应用前景.与刀片切割技术相比,激光切割技术具有切割质量好、切割速度快等优点.详细介绍了以进一步改善晶圆切割质量和提高切割速度为目的的几类整形激光切割技术,包括微水导激光切割技术、隐形切割技术、多焦点光束切割、“线聚焦”切割、平顶光束切割和多光束切割等.随着技术的不断完善、切割设备的不断成熟,整形激光切割技术在未来的晶圆切割领域将具有广阔的应用前景.