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报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的6m全微带GaAs耿氏振荡器.频率在44.6GHz时,输出功率为102mW;频率温度系数为4.8ppm/℃. 相似文献
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描述了一种3mm雪崩管集成振荡器。该振荡器由雪崩二极管,微带谐振装置,鳍线过渡段组成。通过对雪崩管振荡器的理论分析,利用电路设计软件ADS与三维仿真软件HFSS仿真优化,设计出了频率为95GHz的雪崩管集成振荡器。 相似文献
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文章介绍了一种双频切换,低相噪介质稳频振荡器(DRO)的设计方法。运用微波CAD设计的C波段DRO,其相位噪声可达到-72~-75dBc/1Hz/1kHz,最佳为-80dBc/1Hz/1kHz;输出功率大于20mW;推频系数小于100kHz/V;可在-20℃~+55℃工作。 相似文献
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介绍了一种C波段反射型GaAs MESFET雷达介质稳频振荡器(RDRO),进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ansoft公司的Serenade7.0软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率f0=5.06GHz,输出功率8dBm,从室温到60℃范围内频率稳定度可达3ppm/C。 相似文献
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本文采用介质谐振器的高阶模式,研制出振荡频率为10.7GHz的并联反馈型介质稳频振荡器,由于可以获得很高的有载Q值,振荡器具有良好的相位噪声性能。 相似文献
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分析了相对论扩展互作用腔振荡器(Relativistic Extended Interaction Cavity Oscillator)初次实验中存在的模式竞争和重复频率运行不稳定等问题.通过改进扩展互作用腔振荡器的长度,抑制了模式竞争问题;优化设计和选择了三轴提取腔和收集极结构与材料,解决了重复脉冲REICO的高功率稳定运行问题,减轻了脉冲缩短问题,稳定运行重频从15Hz提高到100Hz,辐射微波脉宽由20ns增加到38ns.采用900kV/16kA/45ns的电子束驱动REICO,实现了峰值功率4.1GW、频率2.85GHz、脉宽38ns、重频100Hz的辐射微波稳定输出,功率效率26%,能量效率22%,辐射微波平均功率16kW. 相似文献
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报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。 相似文献
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基于反馈式正弦波振荡器原理,设计出一款适合于UHF波段的高稳频型射频振荡器,本设计使用了高Q值选频技术,利用回路的谐振特性设计出多级的选频结构。振荡器输出频率范围:400 MHz~720 MHz,输出带宽大于300 MHz,属宽带射频振荡器。测试结果表明,在可用频段范围内,振荡器输出增益波动低于1 dB,输入驻波比VSWR<1.5 dB,输出驻波比VSWR<1.7 dB;中心频率f0=510 MHz时:频偏Δf=1 kHz处,相位噪声PN=-77.9 dBc/Hz;频偏Δf=10 kHz处,相位噪声PN=-95.8 dBc/Hz;频偏Δf=100 kHz处,相位噪声PN=-140.3 dBc/Hz;当频偏继续增加时,相位噪声呈指数下降。本设计可满足电视系统、无线对讲机系统、无线遥控系统等多种主流射频领域的应用要求。 相似文献
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研制了一种200 MHz高频晶体振荡器,概述了产品的组成及工作原理,给出了该高频晶体振荡器的详细设计方法.仿真与实测结果表明,该晶体振荡器不仅具有优良的相位噪声,同时也达到了预期的抗振设计要求. 相似文献
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三腔分离腔振荡器高频特性分析 总被引:5,自引:0,他引:5
本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致. 相似文献