半导体复合氧化物的室温固相合成研究

以无机盐为原料 ,遵守热力学定律 ,室温下研磨 ,使反应物发生固相化学反应而合成CdSnO3 、ZnFe2 O4、CdFe2 O4等半导体复合氧化物的纳米粉体 ,用XRD、TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析 ,结果表明 ,固相化学反应完全 ,所得产物为理论产物 ,且平均粒径小于 10 0nm。     

纳米材料SnO_2的室温固相合成及其气敏特性

以无机物SnCl4 ·5H2 O、Na2 CO3 (摩尔比 1:2 )为原料 ,室温下研磨 ,使其发生固相化学反应 ,制得SnO2 ,采用X -射线衍射技术 (XRD)和透射电子显微镜 (TEM)等测试手段对材料的物相和微观结构进行了分析 ,结果表明 ,所得产物为理论产物 ,且平均粒径约为 2 5nm ;采用HWC - 30A汉威气敏元件测试系统对材料的气敏性能进行了测试 ,结果表明 ,该材料制成的烧结型元件对可燃性气体有很高的灵敏度 ,通过控制工作温度可提高元件的选择性     

纳米材料SnO2的室温固相合成及其气敏特性

以无机物SnCl4.5H2O、Na2CO3（摩尔比1：2）为原料,室温下研磨,使其发生固相化学反应,制得SnO2,采用X－射线衍射技术（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等测试手段对材料的物相和微观结构进行了分析,结果表明,所得产物为理论产物,该材料制成的烧结型元件对可燃性气体有很高的灵敏度,通过控制工作温度可提高元件的选择性。     

CdSnO3纳米材料的室温固相合成及其气敏特性研究

以无机盐为原料,在遵守热力学限制的前提下,采用室温固相化学反应法合成了复合氧化物CdSnO3,X-射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等表征结果表明,固相反应完全,产物为β-CdSnO3,其粒径为30 nm左右,与传统方法相比,该法降低了CdSnO3的物相形成温度.气敏性能测试结果表明,以该法合成的CdSnO3为基体的气敏元件,对体积分数0.005%酒精的灵敏度高达63.6倍,抗干扰能力强,响应-恢复快,为应用前景良好的酒敏材料.     

室温固相合成纳米SnO_2及气敏性能研究

用室温固相法合成了SnO2 纳米粉体,在粉体材料中添加无机造孔剂调整材料的微结构。考察不同烧结温度和造孔剂添加量对气敏性能的影响。结果表明:适宜的无机造孔剂和烧结温度能改善气敏材料的微结构,从而提高气敏性能。材料对乙醇有较好的敏感性和选择性。在4. 5V加热电压下,对体积分数为5×10-4的乙醇、汽油和丙酮的灵敏度分别为85. 91, 8. 34和8. 37。     

氧化物半导体甲烷敏感元件研究进展

介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理,论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径.采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体甲烷气敏元件的灵敏度、选择性、响应和恢复特性、稳定性.     

室温固相化学反应法合成CdSnO3纳米粉及其铂、钯掺杂物气敏特性研究

用室温固相化学反应法合成了CdSnO3纳米粉,以XRD、SEM、Raman光谱等检测手段对其形貌和微观结构进行了表征,并进一步以铂、钯等贵金属对其进行掺杂,研究了它们的气敏性能.实验证明室温固相法合成的CdSnO3具有粒径大小均匀、纯度高、比表面积大等特点;掺杂铂、钯等贵金属后,灵敏度和选择性都有很大提高,对汽油、液化石油气、甲烷、一氧化碳、丁烷等的抗干扰能力强,且稳定性好,可望开发为一种性能优良的酒敏传感器.     

浅析新型氧化物半导体光电极的合成

本文首先阐述了新型氧化物半导体光电极合成的开发背景,然后对新型氧化物半导体光电极合成中的氢气制备进行了探讨,最后展望了新型氧化物半导体光电极合成的技术前景,从这三个方面对新型氧化物半导体光电极的合成进行了浅析。     

半导体氧化物气敏材料的电导振荡特性研究

本文对半导体氧化物气体敏感材料的电导振荡特性加以研究分析,通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件,并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明．同时,对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结,指出其优缺点和需要解决的问题．     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

全固态汞离子选择电极的研究

汞是剧毒物质,易对水环境造成严重的污染,研发适合现场在线检测汞的技术非常必要。通过2个阶段的固相反应合成了一种全固态离子选择电极,电极成分为AgI,Ag2S和HgI,该电极对二价汞离子具有选择性,线性范围为10-110-5mol/L,斜率为29.3 mV/decade,pH适用范围为02,检测下限为3.31×10-6mol/L,响应时间小于3m in。     

Ammonia sensing properties of polypyrrole thin films at room temperature

Polypyrrole thin films were synthesized in situ by chemical polymerization. Fourier transform infrared spectroscopy revealed formation of polypyrrole. The morphological studies by scanning electron microscopy showed formation of uniform granular structure with average grain size of 0.6 μm. The film composition was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy for chemical composition in polypyrrole film. These films were investigated for their sensing behaviour towards NH₃ and NO at room temperature. It has been observed that these films are selective for NH₃ and the sensitivity exhibited a linear response in range of 4-80 ppm.     

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。     

Direct microscale imprinting of Al at room temperature with Si inserts

For direct imprinting of metals, hard materials such as diamond and SiC have been used to construct mold inserts in preference to Si, despite the ease in fabricating Si-based micro-/nano- scale structures. In this communication, we demonstrate that micron scale Al structures can be replicated with good fidelity at room temperature by compression molding with Si inserts without incurring insert damage. We further report on results of a finite element analysis of the mechanics of the molding process. The finite element results provide some understanding of the observed lack of damage to the Si inserts.     

Synthesis of ScAlN thin films on Si (100) substrates at room temperature

Microsystem Technologies - Scandium aluminum nitride alloy (ScAlN) thin films have been synthesized using reactive sputtering of a scandium aluminum alloy (Sc0.40Al0.60) target on Si (100)...     

Light induced enhancing gas sensitivity of copper-doped zinc oxide at room temperature

Copper-doped zinc oxide (ZnO) (1 mol%) nanocrystals were synthesized using a sol–gel method and characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), inductive coupled plasma with optical emission spectrometry (ICP-OES). The XRD result indicated that the introduction of copper had no influence on the crystal structure of ZnO, though ICP-OES exhibited the molar ratio of copper and zinc was 0.86:100. The gas response of the copper-doped ZnO was also studied to ethanol and acetone without and with the illumination of 355 nm light. It was found that the ultraviolet light irradiation could enhance the gas response, and the mechanism with irradiation was discussed. Our results demonstrated that light irradiation was a promising approach to achieve large response at room temperature.     

常温下氧化钨基NO2传感器气敏特性的光照强度依赖研究

为了研究WO3的常温气敏性能,以热氧化钨丝的方法制备WQ3纳米材料并制作厚膜气敏元件,通过XRD对材料的晶体结构进行表征,对敏感元件进行了气敏性能测试,测得该元件在常温、0.4W/cm2紫外光(波长:300～450nm)辐照条件下对50ppm的NO2的灵敏度S=15.4,响应时间τres=2.5s,恢复时间τrec=18.1s;在加热功率为0.81W条件下,元件对50ppm NO2的灵敏度为S=22.5,响应时间τres=1.5s,恢复时间τrec=10.7s,研究了灵敏度对光功率密度和加热功率的依赖关系,实验结果表明WO3纳米材料在常温、紫外光照条件下对NO2具有较好的气敏性能.     

半导体温度传感器研究进展综述

半导体温度传感器体积小、功耗低,且能与其他外围控制电路集成在同一芯片上,其应用领域广阔。评述了各种半导体温度传感器的基本实现方式、发展现状,总结了现有各种设计方法中的关键技术及其存在的问题和改进方向。