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XD-YES:IC功能成品率模拟器的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
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首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
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采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAs IC CAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,电路性能有所改善。 相似文献
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采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化,并编制了软件,加入到GaAsICCAD系统中。应用该软件对X波段低噪声MMIC、超宽带MMIC放大器进行了设计,成品率有较大的提高,电路性能有所改善。 相似文献
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本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布,在详细考察缺陷空间成团效应的基础上,提出了一个新的描述缺陷空间分布的量-分数维,并建立了一个结构化的模型。用分数和维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟,并验证了结果的正确性。本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础。 相似文献
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金属-绝缘体-金属(MIM)电容量影响GaAs微波单元集成电路(MMIC)成品率的主要原因之一,PECVD氮化硅膜又是影响MIM电容质量和成品率的主要因素。本文通过实验和分析,提出了提高氮化硅膜质量和减少薄膜针孔的方法,结果大大提高了MIM电容GaAsMMIC的成品率,降低了GaAs MMIC的成本。 相似文献
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考虑缺陷形状分布的IC成品率模型 总被引:3,自引:2,他引:1
实现了基于圆缺陷模型的蒙特卡洛关键面积及成品率估计,模拟了圆缺陷模型估计的成品率误差与缺陷的矩形度之间的关系,提出了更具有一般性的两种集成电路成品率模型,它们分别对应于矩形度相同和不同的缺陷.仿真结果表明该模型为成品率的精确表征提供了新途径. 相似文献
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集成电路可制造性工程与设计方法学 总被引:4,自引:2,他引:2
集成电路可制造性工怀设计是近年来发展很快的研究领域,它集IC设计、制造、封装和测试过程为一体,在统一框图(即产品制造成本和成品率驱动下)下,对产品进行规划和设计,应用该设计可以大大缩短IC产品研制周期,降低制造成本,提高成品率和可靠性,本文将综述该领域的研究进展,并阐述进一步的研究方向。 相似文献
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集成电路局部缺陷模型及其相关的功能成品率分析 总被引:2,自引:0,他引:2
大规模集成电路(VLSI)使亚微米特征尺寸的大面积集成电路制造以及集成数百万个器件在一芯片上成为可能。然而,缺陷的存在致使电路版图的拓扑结构发生变化,产生IC电路连接错误,导致电路丧失功能,从而影响IC的成品率,特别是功能成品率。文章主要对缺陷的轮廓模型、空间分布模型和粒径分布模型作了介绍;对集成电路成品率的损失机理作了详细论述。最后,详细介绍了功能成品率的分析模型。 相似文献
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硅片缺陷粒径分布的分形特征及动力学模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文研究硅片上与光刻工艺相关的尘粒的粒径分布,分析缺陷粒径分布的分形特征,利用缺陷粒径的分布函数得到缺陷粒径体系的分维数,建立缺陷粒径分布的分形模型,同时给出此模型所得参数的物理意义。最后,本文对缺陷粒径变化过程给出了新的动力学模型,并对此进行分析和讨论。揭示光刻缺陷的粒径分布及其动力学成因,为集成电路可制造性设计及功能成品率的精细表征开辟了一条新径。 相似文献
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PSPICE是一种能够数字模拟电路的混合模拟电子线路CAD软件,文中讲述了PSPICE的描述语言,使用方法,模型与参数,并讨论了PSPICE的优势与不足。 相似文献
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通过PSPICE5.0的模型参数提取工具PARTS软件,提取并确定了低温低频低噪声双极晶体管的器件模型参数,利用PSPICE5.0对低温红外前置放大器进行了计算机辅助设计和优化,成功地对双极模拟电路进行了温度为120K(—153℃)的多种模拟分析。采用MCM技术制作出了混合集成低温红外前置放大器,实际电路的CAT测试结果与计算机辅助设计结果相吻合。 相似文献